【課題】種々の炭素質膜に対応して、親水性の炭素質膜を容易に製造できるようにする。
【解決手段】親水性炭素質膜の製造装置は、炭素質膜を成膜するための炭素源となるガスのプラズマ及び酸素のプラズマを発生させるプラズマ生成部１１と、炭素源となるガスのプラズマを用いて基材２１の表面に炭素質膜を成膜し、成膜した炭素質膜へ酸素を含むプラズマを照射するためのチャンバ１２と、酸素を含むプラズマの照射中に、炭素質膜の赤外吸収を測定する赤外吸収測定部１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の電気的接続構造を提供する。
【解決手段】 ビアホールの底部の導電体上に導電性触媒担持体層を設け、予め微粒子化した触媒微粒子を当該導電性触媒担持体層上に堆積し、その後リフトオフ法により前記ビアホール底部以外の前記触媒粒子を除去して触媒微粒子層となし、当該触媒微粒子層上に炭素細長構造体を設ける電気的接続構造の製造方法において、前記触媒微粒子が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅからなる群から選ばれた金属の微粒子であること。 （もっと読む）

【課題】安価に密着強度の高い炭素被膜を形成することができるチタン系材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チタン製の基材１１の表層に炭素元素を固溶させて炭素固溶層１２を形成する工程と、該炭素固溶層１２の表面に炭素被膜１３を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】新規のグラフェン製造方法を提供する。
【解決手段】本発明はグラフェンの製造方法に関し、以下の段階を含む。
・基板上にアモルファス炭素を含む薄層を堆積する段階、
・光及び／又は電子照射の下で前記薄層をアニーリングし、それによってグラフェンを含む層が得られる段階。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素被覆部材において、基材をArイオンでエッチングした後に非晶質炭素膜を基材上に被覆する方法ではエッチング効果が低く、中間層を基材と非晶質炭素膜の間に形成する方法でも、機械部品や、切削工具、金型に対して実用可能な密着性が得られないという問題を有していた。
【解決手段】 基材に負のバイアス電圧を印加することにより、基材表面に周期律表第IIIa、IVa、Va、VIa、IIIb、IVb族元素から選択される１種以上の元素イオン、あるいは、該元素イオンとKr、Xe、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₆H₆、CF₄から選択される１種以上のガスを少なくとも含む雰囲気ガスによるガスイオンを複数組み合わせて照射した後、基材上に非晶質炭素膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】下地基板１０上に、第一の膜１１である炭素膜を形成する工程と、第一の膜１１上に炭化チタン層１２を形成する工程と、炭化チタン層１２を窒化する工程と、窒化された炭化チタン層の上部にＧａＮ半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、ＧａＮ半導体層から、下地基板１０を除去して、ＧａＮ半導体基板を得る工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】平滑度の高く、高硬度で緻密な炭素膜の形成方法、前記炭素膜を保護膜として用いて記録密度を向上させ、生産効率を高めた磁気記録媒体の製造方法及び前記炭素膜の形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】カソード電極１０４と、アノード電極１０５と、基板ホルダ１０２と、を備えた成膜室１０１内を排気した後に、第２の導入管１１１から不活性ガスＡを導入して、カソード電極１０４の加熱を行うクリーニング工程と、不活性ガスＡの導入を止めて前記成膜室１０１内を排気した後に、第１の導入管１０３から導入した原料ガスＧを前記カソード電極１０４で加熱して、カソード電極１０４とアノード電極１０５との間で放電させ、カソード電極１０４又はアノード電極１０５と基板ホルダ１０２に支持された基板Ｄとの間で電圧を印加して基板Ｄ上に炭素膜を形成する成膜工程と、を有する炭素膜の形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】該非晶質炭素被膜の初期摩擦係数の低減を含む初期馴染み性を向上させることができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、水素を含有した非晶質炭素被膜を成膜する工程と、前記非晶質炭素被膜の表面に紫外線を照射する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制し、品質が安定して確保される炭素膜、炭素膜の製造方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】基材１を被覆する炭素膜２であって、平均粒径が２００ｎｍを超えるダイヤモンド粒子からなる第１炭素膜１１と、平均粒径が２００ｎｍ以下のダイヤモンド粒子又はＤＬＣからなる第２炭素膜１２と、を備え、前記第１、第２炭素膜１１、１２が、前記基材１側からこの順に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高硬度で緻密な炭素膜を形成することを可能とし、更なる薄膜化が可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧した成膜室１０１内に炭素を含む原料の気体Ｇを導入し、この気体Ｇを高周波プラズマによりイオン化し、このイオンを用いて基板Ｄの両表面に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法であって、高周波プラズマにより原料の気体Ｇをイオン化するプラズマ空間１０６と、イオンを加速させる加速空間１０８とが連続する成膜室１０１内において、基板Ｄを加速空間１０８内に配置し、この状態で加速していないイオン又は加速されたイオンを用いて、基板Ｄの両表面に炭素膜を形成する第１の工程と、第１の工程の後に、第１の工程時よりも反応圧力を下げた状態で、第１の工程時よりも加速度を高めたイオンを用いて、基板Ｄの両表面に炭素膜を形成する第２の工程とを含む。 （もっと読む）