【課題】ＣＦＲＰあるいはグラファイト等の難削材の切削加工において、ダイヤモンド皮膜の耐剥離性にすぐれたダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面にダイヤモンド皮膜を被覆形成したダイヤモンド被覆切削工具において、工具基体表面直上からダイヤモンド皮膜の膜厚方向４００ｎｍ以下の範囲にわたってダイヤモンド相とグラファイト相の共存領域を形成し、該共存領域には、１０〜１００μｍの格子幅でダイヤモンド相を格子状に形成し、かつ、該格子状のダイヤモンド相の格子間間隙を埋めるように幅１０〜２００μｍのグラファイト相を分散分布させることにより、刃先近傍に大きな負荷が作用する難削材の切削加工におけるダイヤモンド皮膜の剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】Ｃ／Ｃコンポジットに較べて低温での摩擦係数が高く、また摩擦係数の温度依存性の抑制されたＣ／Ｃコンポジット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルコールＣＶＤ法などの熱ＣＶＤ法により、Ｃ／Ｃコンポジット表面にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を生成させることで、低温での摩擦係数が上昇し、摩擦係数の温度依存性が改善され、広い温度域において優れた摩擦特性を有し、自動車、自動二輪車等の車両や航空機などのブレーキ材料のように温度変化が激しい用途の構成材料として好適なＣ／Ｃコンポジットを提供できる。 （もっと読む）

【課題】反応管内の清掃を不要にし得るカーボンナノチューブ形成用のＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応管２１内に水平方向で配置された基板Ｋの表面に原料ガスＧを供給して熱化学気相成長法によりカーボンナノチューブを形成するための熱ＣＶＤ装置１であって、上記反応管２１内で所定の隙間を有して上下に複数の基板Ｋを保持し得る基板ホルダー体１１と、この基板ホルダー体１１を載置する台座板１９とを具備するとともに、基板Ｋを保持した基板ホルダー体１１により、反応管２１内を、それぞれ原料ガスＧが供給される下の基板Ｋ表面と台座板１９との間および基板Ｋ同士間の反応空間部７と、上の基板Ｋ表面および台座板１９表面と当該反応管２１内壁面との間の原料ガスＧが供給されない非反応空間部８とに区画し得るようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性と耐食性を兼ね備えた炭素系被膜を形成する技術を提供し、摺動性と耐食性に優れた耐食性摺動部材の提供を課題とする。
【解決手段】
摺動部材表面から炭素系被膜の表面に向かってシリコン添加量を減少させる一方、前記摺動部材表面から炭素系被膜表面に向かってフッ素添加量を増大させた傾斜機能皮膜を形成する、又は／及びシリコン元素の添加量が１０原子％から３０原子％、フッ素の添加量が１０原子％以下の第１の炭素系被膜層と、シリコン元素の添加量が５原子％から２０原子％、フッ素元素の添加量が１０原子％から３０原子％の第２の炭素系被膜層を積層する。 （もっと読む）

【課題】導電性の低い金属化合物を主成分としながら、別途導電材の混合を要しない、高い導電性を有する粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】低い導電性を有する、金属酸化物、金属カルコゲナイド化合物、金属燐酸化合物等の金属化合物粒子（５）の表面に、前記低導電性金属化合物粒子（５）よりも高い導電性を有する炭素材（７）を蒸着により付着させる。前記粒子表面に付着した炭素材の黒鉛化度は好ましくは０．３以上である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁物、特に耐熱性の低い絶縁物に、短時間で効率的にプラズマ成膜、及び表面改質処理可能な方法及びそのための装置を提供する。
【解決手段】 真空排気された反応容器内にプラズマ生成源となる原料ガスを導入し、該反応容器内に設置されたカソード電極にマイナス電圧を印加して原料ガスを分解しプラズマを生成すると共に、上記反応容器内に設置された被処理基材上との間で反応を起こさせて、電圧印加による電界で生成されるプラズマイオン、ラジカルを前記被処理基材に照射または堆積させる、表面改質及び成膜方法において、カソード電極の少なくとも一部を、原料ガスが透過可能な電極とすると共に、被処理基材の改質や成膜など表面処理が必要な面と直接接触しないようカソード電極を配置し、且つ、カソード電極に−２ｋＶ〜−２０ｋＶのパルス状のＤＣ電圧を印加することを特徴とするプラズマ表面改質、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】電子素子へ容易に適用が可能な状態で、キャリアがドープされたカーボンナノチューブが形成できるようにする。
【解決手段】基板１０の上に、ＣｏおよびＮｉより選択された金属の微粒子１０３を直接形成する。次に、ステップＳ１０３で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも１つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、微粒子１０３よりキャリアがドープされたカーボンナノチューブ１０４を成長する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法により大面積で高透過率、低抵抗率の透明導電膜を得ること。
【解決手段】ＣＶＤ反応容器の第１の領域にショウノウを配置する工程と、ＣＶＤ反応容器の第２の領域にグラフェンシートを形成する基板を配置する工程と、第１の領域を加熱して、ショウノウを蒸気化し、ＣＶＤ反応容器内において、不活性ガスのキャリアガスを第１の領域から第２の領域に向けて流すことにより、加熱された第２の領域に配置された基板（Ｎｉ）上にショウノウの蒸気を導く工程と、加熱された第２の領域に配置された基板上において、ショウノウの蒸気を熱分解して、基板上に、グラフェンシートを得る工程を有する。そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ビーム誘起堆積を用いて、極低温で基板上に材料を堆積するように改善した方法を供することである。
【解決手段】 ビーム誘起堆積を用いることによって、極低温にて基板上に材料を堆積する方法。前駆体気体が、前記基板の極低温よりも低い融点を有する化合物の群から選ばれる。好適には、前記前駆体気体は、所望の極低温にて0.5〜0.8の付着係数を有する化合物の群から選ばれる。この結果、前記前駆体気体は、前記所望の極低温にて、前記基板表面に吸着する前駆体分子と前記基板表面から脱離する前駆体気体分子との間で平衡に到達する。適切な前駆体気体は、アルカン、アルケン、又はアルキンを有して良い。-50℃〜-85℃の極低温では、ヘキサンが材料を堆積する前駆体気体として用いられて良い。-50℃〜-180℃の極低温では、プロパンが前駆体気体として用いられて良い。 （もっと読む）

【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるＤＬＣ皮膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされたＤＬＣ皮膜であって、表面エネルギーが５２〜７４ｍＪ／ｍ^２またはエチレングリコールの接触角が２７〜５１度であるＤＬＣ皮膜。前記ＤＬＣ皮膜は、Ｘ線散乱スペクトルにおいてグラファイト結晶ピークを有する。予め作製されたＤＬＣ皮膜にプラズマ処理を施して、表面エネルギーを制御することによりＤＬＣ皮膜を製造するＤＬＣ皮膜の製造方法。前記プラズマ処理は、照射イオン量を調整してＤＬＣ皮膜にプラズマ照射する処理であり、照射イオン量は１．３０×１０^１６〜１．８５×１０^１７イオン／ｃｍ^２であり、バイアス（イオン加速）電圧は８０〜１４０Ｖである。 （もっと読む）