【課題】 グラフェン構造体及びその製造方法、並びにグラフェン素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成される側面が露出された成長層と、成長層の側面に成長されたグラフェンと、を備えるグラフェン構造体である。 （もっと読む）

【課題】ＰＧコート製品に適用可能な新規有用なトレーサビリティ表示手法を提供する。
【解決手段】ＰＢＮなどで本体１を製造した後、該本体表面の任意箇所に純化黒鉛でトレーサビリティ表示２を設け、該トレーサビリティ表示を含めた本体表面を膜厚１００μｍ以下のＰＧ膜３で被覆して、ＰＧコート製品４が製造される。ＰＧ膜厚を１００μｍとすれば、本体表面に表示した製品シリアル番号を読み取るに十分な透明性を与えることができるので、トレーサビリティ表示手法として好適である。 （もっと読む）

【課題】大気中においても、摩擦係数０．０１以下となる低摩擦を実現する摺動部材およびこの摺動部材を用いた摺動システムを提供する。
【解決手段】相互に摺動する一対の基材１１、１２のうち、少なくとも一方１１に硬質炭素被膜１３が形成された摺動部材において、基材１１と硬質炭素被膜１３との間に、珪素と酸素とを含む化合物によって形成される中間層１４を設ける。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの形成方法及び熱拡散装置に関し、カーボンナノチューブの直径の制御性を高め且つ成長密度を高める。
【解決手段】 基板表面に平均周期が２０ｎｍ〜１００ｎｍの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成し、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成し、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成したのち、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にし、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.（0℃、大気圧）、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.（0℃、大気圧）とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】転写プロセスを用いずに、所期のグラフェンを制御性良く容易且つ確実に安定形成し、信頼性の高い高性能の微細な電子デバイスを実現する。
【解決手段】基板１上に絶縁層２を形成し、絶縁層２に空隙２Ａを形成し、空隙２Ａに触媒材料４を充填し、絶縁層２における触媒材料４の露出面４ａにグラフェン５を形成し、絶縁層２上でグラフェン５の両端部に接続するように一対の電極５，６を形成し、グラフェン５を一部除去してグラフェンリボン８を形成し、グラフェンリボン８の除去された部位である間隙２Ａ１，２Ａ２を通じて触媒材料４を除去する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の均一な炭素膜を、３次元形状の処理物に成膜する成膜装置，炭素膜の成膜方法及び炭素膜を提供すること。
【解決手段】本発明の炭素膜の成膜装置１は、プラズマＣＶＤ法によってワークＷの表面に炭素膜を形成する炭素膜の成膜装置１であって、真空槽１０と、ワークを保持する第一の電極２と、第一の電極２と間隔を隔てた位置にもうけられ、かつ第一の電極２の外周に立設してもうけられた立設部３１を備えた原料ガスをイオン化する第二の電極３と、第一の電極２，第二の電極３のそれぞれに独立して電力を供給する電源装置２５，３５と、原料ガスを供給するノズル４２と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い耐久性を有する炭素膜を金属材の表面に安定的に形成する表面処理法を提供する。
【解決手段】 本願は、第１工程と第２工程とをこの順序で行なう金属材の表面処理方法を開示する。第１工程は、金属材の表層に圧縮残留応力を付与する工程を含む。第２工程は、金属材の表層に窒化層が形成される窒化条件の下で有機ガスとともに金属材を熱処理することによって、カーボンナノコイル、カーボンナノチューブおよびカーボンナノフィラメントからなる群から選ばれる少なくとも１種のナノカーボン類を含むナノカーボン炭素膜を金属材の表面に形成するナノカーボン炭素膜形成工程と、ナノカーボン炭素膜の表面にフラーレン類を塗布するフラーレン類塗布工程と、炭素膜が形成された金属材を４００℃以上に加熱する焼成工程と、をこの順序で行うことを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上において垂直に近い状態で配向し、かつ高密度なカーボンナノチューブを極力低い温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成方法は、触媒金属層に温度Ｔ_１で酸素プラズマを作用させ、表面が酸化された触媒金属微粒子を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、触媒金属微粒子に温度Ｔ_１より高い温度Ｔ_２で水素プラズマを作用させ、触媒金属微粒子の表面を還元して活性化する工程（ＳＴＥＰ２）と、活性化された触媒金属微粒子の上に温度Ｔ_３でプラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを成長させる工程（ＳＴＥＰ３）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素被膜が形成された摺動部材において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材である。摺動部材の非晶質炭素被膜は、珪素原子の含有量／炭素原子の含有量の原子比が、０．１以上であり、窒素原子の含有量／炭素原子の含有量の原子比（Ｎ／Ｃ比)が、０．１〜０．２５の範囲にある。 （もっと読む）