【課題】 下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。
【解決手段】 アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にＳｉ−Ｃ結合を含む初期層を形成する工程（ｔ４）と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程（ｔ６）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】大規模、均一かつ高品質のグラフェン膜およびその作成方法を提供する。
【解決手段】結晶質基板１００上に触媒薄膜１０１を形成し、この触媒薄膜を加熱処理して高秩序で選択的に配向した結晶質触媒薄膜を形成し、ガス状炭素源を加熱し触媒薄膜を冷却することで、触媒薄膜上にグラフェン膜１０２が形成される。前記触媒薄膜の触媒材料はＮｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＲｅからなる群から選択された１つまたは複数の元素を含み、厚さは約１ｎｍから約２ｍｍの範囲である。 （もっと読む）

【課題】導電性基板が絶縁部材で覆われている場合においても、適切に導電性基板を加熱できる熱ＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ装置並びにカーボンナノチューブの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】炭素原料ガスＧが導入される加熱室１３内に配置され且つ少なくとも一方の表面に絶縁部材Ｚが設けられた導電性基板Ｋを加熱して熱化学気相成長法により導電性基板Ｋにカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法であって、所定間隔を有して配置された一対の電極２２を絶縁部材Ｚの表面に接触又は隙間を有して対向させると共に、各電極２２と、其に対応する導電性基板Ｋと、絶縁部材Ｚ又は絶縁部材Ｚ及び隙間とにより構成される一対のキャパシタ、並びに両キャパシタ同士間の導電性基板Ｋにより形成される抵抗により構成される電気回路の両電極２２間に交流電圧を印加することにより、局所的に導電性基板Ｋを加熱するものである。 （もっと読む）

【課題】基板選択の自由度が高く、大面積のグラフェン膜を基板上に形成することが可能なグラフェン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】種グラフェン結晶を設置した基板に炭素含有ガスを供給し、ＣＶＤ法により前記基板上にグラフェン膜を形成する。炭素含有ガスは、炭化水素系化合物及び／又は炭化フッ素系化合物であることが好ましい。基板は、Ｓｉ基板、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板及び石英ガラス基板から選ばれる一種以上であることが好ましい。種グラフェン結晶は、グラフェン単層体及び／又はグラフェン積層体であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱伝達効率が高く、信頼度の高い伝熱管をより安価で製造する装置を提供する。
【解決手段】ロール・ツ・ロール方式により第１のローラ２５０から金属部材を前処理部４００に供給し、金属部材をプラズマ４１０で表面処理し、前処理した金属部材をグラフィン合成部５００に移動させて、金属部材表面にグラフィンを合成すると共にコーティングし、コーティングされた金属部材を第２ローラ３００に巻いて回収するグラフィンロール・ツ・ロールコーティング装置。 （もっと読む）

【課題】実際の燃料電池の使用環境に即した条件下においても優れた導電性および耐食性を示す燃料電池用セパレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】燃料電池用セパレータ４０は、ステンレス鋼からなる基材４１と、基材の少なくとも電極に対向する表面に形成され、Ｃを主成分とし、Ｎを３〜２０原子％、Ｈを０原子％を超え２０原子％以下含み、かつ、Ｃの全体量を１００原子％としたときにｓｐ^２混成軌道をもつ炭素（Ｃｓｐ^２）が７０原子％以上１００原子％未満であって、グラファイトの（００２）面が厚さ方向に沿って配向する配向性非晶質炭素膜４２と、基材と配向性非晶質炭素膜との界面に生成され両者の構成原子をそれぞれ一種以上含む混合層４３と、混合層から配向性非晶質炭素膜内に突出し、平均長さが１０〜１５０ｎｍである複数の突起４４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に原料ガスを均一に供給し得る熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】加熱室４にカーボンを含む原料ガスＧを導くと共に原料ガスを加熱して加熱室に配置された基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを形成し得る加熱炉１を具備する熱ＣＶＤ装置であって、加熱室内に、基板をそのカーボンナノチューブ形成面が下面となるように保持し得る基板保持部材11を配置し、この基板保持部材下方の加熱炉底壁部1aにガス供給口５を形成すると共に基板保持部材上方の加熱炉上壁部1bにガス排出口６を形成し、上記基板保持部材の上側に発熱体13を配置し、ガス供給口から導かれた原料ガスを基板保持部材の下面に導くためのガス案内用ダクト体14を設け、このガス案内用ダクト体と基板保持部材との間に反応ガスを分散させる邪魔板15を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】新規の構造を有し、高い導電性を示す配向性の非晶質炭素膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】配向性非晶質炭素膜は、Ｃを主成分とし、Ｎを３〜２０原子％、Ｈを０原子％を超え２０原子％以下含み、かつ、Ｃの全体量を１００原子％としたときにｓｐ^２混成軌道をもつ炭素（Ｃｓｐ^２）が７０原子％以上１００原子％未満であって、グラファイトの（００２）面が厚さ方向に沿って配向する。この膜は、Ｃｓｐ^２を含む炭素環式化合物ガスならびにＣｓｐ^２と窒素および／または珪素とを含む含窒素複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上の化合物ガスと窒素ガスとを含む反応ガスを１５００Ｖ以上で放電させる直流プラズマＣＶＤ法により形成できる。 （もっと読む）

【課題】高いＳＮＲを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にＲｕ合金またはＣｏ合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第１加熱工程と、第１加熱工程の後にＣｏＣｒＰｔを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第２加熱工程と、第２加熱工程の後にＣＶＤ法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 導電性と耐食性に優れた炭素皮膜をステンレス鋼の表面に形成する方法を提供する。
【解決手段】 ステンレス鋼板に例えば９．０％以上の冷間圧延処理を施し、表層部のオーステナイト組織の一部を応力誘起マルテンサイト組織に変態させ、次いで表面にエッチングなどの前処理を施した後、プラズマＣＶＤ法により炭素皮膜を形成する。 （もっと読む）