【課題】 樹脂材の熱伝導率、摺動性、さらには耐熱性、強度、剛性を一層高め、高熱伝導性、剛性、傷つき防止、高摺動性などの特性を付与された積層体を提供する。
【解決手段】 樹脂材と、抵抗値１×１０⁷Ωｃｍ以上(１００℃)を有する膜厚５０ｎｍ〜１０μｍの炭素膜とを積層し、前記炭素膜は、ＣｕＫ_α1線によるＸ線回折スペクトルにおいて、ブラック角（２θ±０.３°）の４１〜４２°にスペクトルのピークを備え、かつ前記樹脂材に形成された炭素膜の熱伝導率は、光交流法で測定した値で７０〜７００Ｗ／ｍＫである積層体であって、前記炭素膜は、プラズマの電子密度；０.５〜３.０ｅＶの位置に置かれた樹脂材の上に形成される。 （もっと読む）

【課題】銅基材に対し簡単な方法で密着性の高い炭素薄膜を積層できる炭素薄膜付銅材の製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素薄膜付銅材（10）の製造方法は、銅基材（1）を、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、該銅基材（1）の表面に前記金属を含む化成皮膜からなる下地層（2）を形成する下地層形成工程と、前記工程により下地層（2）を形成した銅基材（1）を炭化水素ガスが存在する雰囲気中で４５０℃〜銅基材の融点未満に加熱し、下地層（2）上に炭素薄膜（3）を形成する炭素薄膜形成工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】作動時に６００ＭＰａあるいはそれ以上の高い摺動面圧が作用する部材に使用しても、成膜した硬質炭素膜層の剥離が生じないようにした硬質炭素膜層を備えた層構造体を開示する。
【解決手段】基材２の上にＴｉ層３、中間層４および硬質炭素膜層５をこの順で積層してなる層構造体１において、中間層４はＳｉとＣの混合成分層であってＴｉ層３の上に形成される第１の層４１とその上に形成される第２の層４２とで構成される。第１の層４１はＣ量に対するＳｉ量の組成比が３０〜６０ｍａｓｓ％の層であり、第２の層４２は第１の層４１から硬質炭素膜層５に向かうに従いＣ量に対するＳｉ量の組成比が減少していく傾斜層であり、硬質炭素膜層５の直下においてＣ量に対するＳｉ量の組成比５〜２０ｍａｓｓ％である。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム基材に対し簡単な方法で密着性の高い炭素薄膜を積層できる炭素薄膜付アルミニウム材の製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素薄膜付アルミニウム材（10）の製造方法は、アルミニウム基材（1）を、鉄、ニッケルおよびコバルトのうちのいずれか１種以上の金属を含む処理液を用いて化成処理を行い、該アルミニウム基材（1）の表面に前記金属を含む化成皮膜からなる下地層（2）を形成する下地層形成工程と、前記工程により下地層（2）を形成したアルミニウム基材（1）を炭化水素ガスが存在する雰囲気中で４５０℃〜アルミニウム基材の融点未満に加熱し、下地層（2）上に炭素薄膜（3）を形成する炭素薄膜形成工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】炭素系ガスを用いて、低温でグラフェンの形成を可能とするグラフェンの形成方法を提供する。
【解決手段】グラフェンの形成方法は、基材１の一方の面１ａにグラフェンを形成するグラフェンの形成方法であって、還元雰囲気下、前記基材１の温度を６００℃以下に保持した状態で、前記基材１の一方の面１ａ近傍に炭素系ガスを導入し、前記基材１の一方の面１ａを１００℃以上に、５μｓｅｃ以下の時間でパルス的に、加熱する加熱処理工程を備える。 （もっと読む）

【課題】高温でも耐酸化性や摩擦摺動特性等に優れる被覆部材を提供する。
【解決手段】
本発明の被覆部材は、基材と、この基材の少なくとも一部を被覆しＳｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）とを有する被覆部材であって、その非晶質炭素膜は、表面近傍のＳｉ濃度が基材との界面近傍のＳｉ濃度よりも高いことを特徴とする。本発明に係る非晶質炭素膜は、表面近傍でのＳｉ濃度が高いことにより高温域でも硬質性が保持されると共に、基材との界面近傍でのＳｉ濃度が低いので、適度な靱性を有して高温域でも高い密着性を発現する。これらが相乗的に作用して、本発明の被覆部材は安定した耐熱性を発現する。本発明に係るＤＬＣ−Ｓｉ膜は、表面側のＳｉ濃度が８〜３０原子％であり、基材側のＳｉ濃度が漸増する傾斜組成であると好適である。 （もっと読む）

【課題】容易に分解し、かつ、緻密で高炭素比率の導電性フルオロカーボン薄膜を効率的に形成できる原料ガスを用いた導電性フルオロカーボン薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】一般式ＣｘＦｙＨｚ（式中のｘは２又は３、ｙは１〜４の整数、ｚは１〜５の整数を示す。）で示され、かつ、分子内に炭素−炭素の二重結合を有する化合物を含む原料ガスを真空プラズマ装置内で励起・分解することによって試料表面に導電性のフルオロカーボン膜を堆積させる。原料ガスを励起・分解する際の圧力は１〜１３３Ｐａの範囲、温度は１５〜１００℃の範囲が好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、潤滑剤に対する濡れ性が高く、平滑な表面を有し、高硬度で緻密な水素を含む炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法、並びに、該炭素膜の形成方法により形成された水素を含む炭素膜を有する磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することを課題とする。
【解決手段】水素を含む炭素膜の形成後に、成膜室１０１内に不活性ガスを導入し、不活性ガスをイオン化して水素を含む炭素膜の表面に加速照射し、水素を含む炭素膜の少なくとも表層部を脱水素化する。 （もっと読む）

【課題】カーボン膜の抵抗率を低減することができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１が載置されたチャンバ４内に炭素を含有する原料ガスを供給する。基板１１の周囲からチャンバ４内のアノード１に向けて電子を放出させてチャンバ４内にプラズマ１４を発生させ、基板１１上にグラファイト、グラフェン等のカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置の製造方法において、アニール処理の際の珪素および炭素の蒸発を防止する保護膜の膜厚測定を精度良く、かつ、低コストで行うことが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板保持具３５にウエハＷＦを搭載して成膜炉３２内に置き、成膜炉３２内を真空ポンプによりガス排気部３３を介して真空排気し、残存する酸素を極力除去した後、Ａｒやヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスをガス導入部３１を介して導入しながら、減圧下で成膜炉３２内の温度を８００℃〜９５０℃の範囲に加熱する。この温度に達したら、不活性ガスの流入を停止し、成膜炉３２内にソースガスとして気化したエタノールをガス導入部３１を介して導入することで、ウエハＷＦの全表面にグラファイト膜を成膜する。 （もっと読む）