【課題】基板の温度が１００℃以下の低温環境下において、基板上にシリコン窒化膜を適切に成膜し、当該シリコン窒化膜の膜特性を向上させる。
【解決手段】ガラス基板Ｇ上にアノード層２０、発光層２１、カソード層２２、シリコン窒化膜２３を順次成膜して、有機ＥＬデバイスＡを製造する。シリコン窒化膜２３は、プラズマ成膜装置の処理容器内にシランガス、窒素ガス及び水素ガスを含む処理ガスを供給し、処理容器内の基板の温度を１００℃以下に維持し、且つ処理容器内の圧力を２０Ｐａ〜６０Ｐａに維持した状態で、処理ガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマ処理を行って成膜される。 （もっと読む）

【課題】波長２４０〜３００ｎｍの領域における紫外光の透過性に優れた窒化アルミニウム単結晶、該単結晶からなる層を有する積層体、該積層体を製造する方法、および該積層体から紫外光の透過性に優れる窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
酸素原子、及び炭素原子を含む窒化アルミニウム単結晶であって、酸素原子の濃度を［Ｏ］ｃｍ^−３、炭素原子の濃度を［Ｃ］ｃｍ^−３としたときに、下記式（１）の条件を満足することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。
［Ｏ］−［Ｃ］ ＞ ０ （１） （もっと読む）

【課題】 半導体素子を歩留まりよく製造する。
【解決手段】 （ａ）成長基板上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を備える空洞含有層を形成する。（ｂ）空洞含有層上に、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成され、空洞を閉じるｎ層を形成する。（ｃ）ｎ層上に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成される活性層を形成する。（ｄ）活性層上に、ｐ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から構成されるｐ層を形成する。（ｅ）ｐ層上方に、支持基板を接着する。（ｆ）空洞が形成されている位置を境界として、成長基板を剥離する。工程（ａ）または（ｂ）において、空洞を閉じる前に、加熱を行いながら、層を構成する材料の少なくとも一部の供給を減少させる。 （もっと読む）

【課題】親水性を向上させる新規の立方晶窒化ホウ素膜の成膜技術を確立し、該成膜技術に基づく新規の立方晶窒化ホウ素膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有するウェーハ、結晶成長方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、ベース層と、下地層と、中間層と、機能部と、を備えたウェーハが提供される。前記ベース層は、前記基板の主面上に設けられシリコン化合物を含む。前記下地層は、前記ベース層の上に設けられＧａＮを含む。前記中間層は、前記下地層の上に設けられＡｌＮを含む層を含む。前記機能部は、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記下地層の前記ベース層の側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高い。前記下地層は、前記第１領域に設けられた複数の空隙を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が低く高い結晶性を有するＧａＮのａ面：＜１１−２０＞面やｍ面：＜１−１００＞面を主面とする基板、或いは＜１１−２２＞面を主面とする基板など、多様な面方位の面がサファイア下地基板上に積層されたＧａＮ積層基板、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア下地基板１０と、該基板上に結晶成長せしめて形成された窒化ガリウム結晶層とを含み、該窒化ガリウム結晶層は、サファイア下地基板１０の主面に複数本形成された溝部の各側壁２１から横方向結晶成長して該主面と平行に表面が形成された、ａ面やｍ面などの無極性面、＜１１−２２＞面等の半極性面からなり、且つ、該窒化ガリウム結晶の暗点密度が２×１０^８個／ｃｍ^２未満、好ましくは１．８５×１０^８個／ｃｍ^２以下、特に好ましくは１．４×１０^８個／ｃｍ^２以下である窒化ガリウム結晶積層基板。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶内のキャリア濃度のムラの少ない窒化物半導体結晶を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内に下地基板８を準備する工程、およびＩＩＩ族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて前記下地基板８上にＣ面とＣ面以外のファセット面を混在させながらＩＩＩ族窒化物半導体結晶９を成長させる成長工程、を含むＩＩＩ族窒化物半導体結晶９の製造方法であって、前記成長工程は、ケイ素含有物質を前記結晶成長炉内に導入し、かつＣ面以外のファセット面で成長した領域に酸素を含有させながらＩＩＩ族窒化物半導体結晶９を成長させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にIII族窒化物材料を成長させるための新規な方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、
上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、
上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。
さらに、本発明は、高品質のIII族窒化物層のエピタキシャル成長に非常に適した方法、中間層若しくはテンプレートデバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 （もっと読む）