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国際特許分類[C23C16/448]の内容

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【課題】材料ガスの濃度をある設定濃度で一定に保っている際において、材料ガスの分圧が非常に低くなり、バルブの可動範囲内では材料ガスの分圧に対応した全圧を達成することができず、材料ガスの濃度を設定濃度で一定に保てなくなるような状況が生じることを防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】材料気化システム100に用いられるものであって、前記導出管12上に設けられる第1バルブ23と、前記混合ガスにおける前記材料ガスの濃度を測定する濃度測定部CSと、前記濃度測定部CSで測定された前記材料ガスの測定濃度が、予め定められた設定濃度となるように前記第1バルブ23の開度を制御する濃度制御部CCと、前記タンク内の温度を設定温度となるように温調する温調器41と、前記温調器の設定温度を設定する温度設定部42とを備えた。 (もっと読む)


【課題】薄膜蒸着システム及び薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜蒸着システムは、原料物質を提供する原料物質供給部210と、前記原料物質供給部に連結されて、前記原料物質供給部から原料物質を受け取って気化させる気化器231が設けられた原料ガス供給部230と、前記原料ガス供給部に連結されて、気化された原料物質を受け取って被処理物上に薄膜を蒸着する薄膜蒸着装置100と、一端が前記気化器に連結されて、前記気化器の内部を排気する気化器排気ユニット300と、前記気化器排気ユニットに連結されるように設けられて、前記気化器排気ユニットの圧力を調節することによって、前記気化器の内部に供給された原料物質の流速を制御する圧力調節部350と、を含む。 (もっと読む)


【課題】送出原料ガスに混ざるミストの供給を抑え、パーティクルが発生し難い液体原料気化用の気化器ユニットおよびこれを含むガス輸送路そして半導体処理システムを提供する。
【解決手段】気化器1を原料ガス輸送配管の一部とし、これに接続された加熱装置とともに配管型の気化器ユニット10を構成する。気化室4は、外側に加熱部材21bを有する配管21aの入口側端部に霧化部5を配設することで形成し、気化室4の出口にサイクロン流生成部材32を配設してサイクロン流を生成することで加熱効率を向上させ残留ミストの発生を防止する。これにより気化器ユニット10を小型化して反応炉周辺での占有面積を低減し、反応炉から1m以下の近傍において気化器ユニット10を配置可能とする。 (もっと読む)


【課題】溶液気化型のCVD装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第1温度Tを測定する第1温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第2温度Tを測定する第2温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第2温度Tが一定となるように制御する。そして、第1温度Tの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 (もっと読む)


【課題】液体原料を効率的に気化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウエハ14を処理する処理室70と、気化器82により液体原料を気化して得られた気化ガスを、処理室70内に供給する第1のガス供給管80a、第1のキャリアガス供給管100a及び第1のガス供給ノズル96aと、処理室70内の雰囲気を排気する真空ポンプ114と、を有し、気化器82は、液体原料を導入して当該液体原料を気化する気化室を少なくとも2以上備える。 (もっと読む)


【課題】弁ユニットの淀み部分を少なくし、ガスによる制御性の低下を防止し、切替時の残存ガスの影響を低減して処理品質の向上を図る。
【解決手段】少なくとも2つのエアバルブを弁ブロックに設け、一方の弁ブロックに少なくとも2つの入側流路21,23を形成すると共に少なくとも1つの出側流路22を形成し、一方の弁ブロックに設けたエアバルブにより前記2つの入側流路のいずれかと前記1つの出側流路とを選択的に連通する様にし、他方の弁ブロックには入側流路26と出側流路27とを形成し、前記他方の弁ブロックに設けたエアバルブにより前記入側流路と前記出側流路とを連通遮断する様にし、前記一方の弁ブロックの1つの入側流路に第1の配管3を接続すると共に出側流路に第2の配管3′を接続し、前記他方の弁ブロックの入側流路に第3の配管7を接続し、他方の弁ブロックの出側流路と一方の弁ブロックの他の入側流路とを連通させた。 (もっと読む)


固体前駆体送出組立体(200)は、概して、上部および下部を有する容器(202)と、入口チャンバ(238)、出口チャンバ(244)、ならびに第1の前駆体チャンバおよび第2の前駆体チャンバ(240、242)を含む容器内に画定される複数のチャンバを備える。第1の前駆体チャンバおよび第2の前駆体チャンバは、容器内に前駆体物質を保持するように構成される。焼結フリット(248、250、252)は、容器の内部部分に固定結合および封止され、容器内の複数のチャンバの少なくとも一部を画定する。焼結フリットのうちの少なくとも1つは、第1の前駆体チャンバ内で前駆体物質を上に保持するように構成され、焼結フリットのうちの少なくとも1つは、第2の前駆体チャンバ内で前駆体物質を上に保持するように構成される。入口(206)は、搬送ガスを容器に送出するために容器に結合され、出口(208)は、気化した前駆体物質および搬送ガスを容器から取り出すのに用いるために容器に結合される。 (もっと読む)


【課題】原料ガスの発生を停止した際の気化器内における液体原料の残留を抑制し、液体原料供給経路内の洗浄を容易に行うことが可能な気化器を提供する。
【解決手段】気化器229s,229b,229tは、液体原料を気化する気化室51s,51b,51tと、気化室内を加熱するヒータ61s,61b,61tと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズル31s,31b,31tと、噴霧ノズル内へのキャリアガス、液体原料および溶媒の供給を制御するバルブと、を有し、該バルブは噴霧ノズル31s,31b,31tに直結されている。 (もっと読む)


【課題】高品質の酸化亜鉛系の薄膜を低コストで得ることができる技術を提供する。
【解決手段】第一原料ガス精製装置3は、成膜チャンバーに導入される亜鉛原料ガスをジエチル亜鉛から生成させるものであり、減圧可能な液体原料気化容器21a,21bとヒータ22a,22bを主要構成としている。ヒータ22a,22bにより液体原料気化容器21a,21b内のジエチル亜鉛を減圧下で加熱することができ、ジエチル亜鉛が減圧蒸留に供される形となる。そのため、純度96.0〜99.8%の低純度ジエチル亜鉛を用いても、高純度ジエチル亜鉛の使用時と変わりなく、低コストで酸化亜鉛系の薄膜を製造することができる。また当該薄膜は、特に光の散乱性能の点で高い性能を有し、太陽電池の透明導電膜として有用である。 (もっと読む)


【課題】液体原料が気化器へ供給される際の応答性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ14を処理する処理室16と、第1の液体原料の流量を制御するLMFC78hと、LMFC78hにより流量制御された液体原料を気化する気化器76hと、気化器76hで液体原料を気化した原料ガスを処理室16内に供給する原料ガス供給管90と、LMFC78hにおける液体原料の流量設定値をウエハ14処理時の第1の流量設定値(f1)に設定する際に、それよりも先行して一旦第1の流量設定値(f1)よりも小さい第2の流量設定値(f2)に設定するようにLMFC78hを制御するコントローラ150と、を有する。 (もっと読む)


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