【課題】気化器内部の圧力を低く保ち、安定的に大流量の液体原料の気化動作を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔには、圧力損失が小さい、大口径のゲートバルブ方式のメンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４がそれぞれ設けられている。メンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４の設置箇所には、ダイヤフラムバルブのようにバルブ内で流路が狭くなっていたり、バルブ内で流路が屈曲していたりする箇所はなく、実質的にバルブが設けられていない場合の第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔと同等である。 （もっと読む）

【課題】原料溶液を気化して反応室に供給する気化器を備えた溶液気化型のＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置の操作方法に関する技術であって、装置の休止中に原料溶液が配管に漏れ出す等して気化器のノズル詰まりが生じるのを防止し、原料溶液の安定供給とメンテナンスの低減を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】原料溶液を噴霧用ガスと合流させてから気化器５０に導入する溶液気化型のＣＶＤ装置１００において、原料溶液輸送管３０における原料溶液供給部１０との連結点及び溶媒供給部２０との連結点より下流側であって、ガス輸送管４０との合流点より上流側にストップバルブＶＥを設け、このストップバルブＶＥより上流を溶媒で充填可能とする。 （もっと読む）

【課題】供給安定性のある固体原料ガス加熱気化装置を用いる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理室と、固体原料容器５０１と、該容器内の固体原料５０２を加熱昇華させる第１の加熱部５１１と昇華原料ガスを固化保持する原料保持板５１０と、前記原料保持板を加熱する第２の加熱部５１２と、前記固体原料容器５０１に接続された第１のバルブ５０５と第２のバルブ５０６と、５０５、５０６を加熱する第３の加熱部５１３とを備え、前記基板処理室に原料ガス及びキャリアガス５０８を供給する前に、前記５１３を前記５１１よりも高い温度で加熱し、前記５１２を前記５１１よりも低い温度で加熱することにより、前記固体原料５０２を加熱して昇華させつつ昇華した原料ガスを前記原料保持部５１０に固化して堆積させ、その後、前記基板処理室に原料ガス及びキャリアガス５０８を供給する際には、前記５１２の温度を、前記５１１と同じ温度とする。 （もっと読む）

【課題】金属含有材料の薄膜を形成するために使用される２成分以上の組成物であり、有効成分として少なくとも１種類の金属化合物及びこれ以外の化合物を含有してなる薄膜材料組成物の有効成分の一部又は全部の成分を測定する方法を提供する。
【解決手段】近赤外分光法によるスペクトル吸収を使用する成分測定方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化剤である水を噴射弁により直接噴射する際の不具合を解消した成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを内部に保持し、ポンプ７１により減圧されている成膜室２内に、有機金属化合物を含む液体原料を噴射弁４１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記液体原料を気化させて、基板表面に有機金属化合物を吸着させる吸着工程と、成膜室２内に、酸化剤である水と水よりも気化潜熱の小さい有機溶媒との混合溶液を噴射弁５１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記混合溶液を気化させて、基板表面上に吸着した有機金属化合物を酸化する酸化工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】固体の粒子を安定的にを昇華させることが可能な気化器を提供する。
【解決手段】常温において固体状態である固体の粒子を気化させる気化器において、前記固体の粒子を供給するための供給部と、前記供給部より供給された前記固体の粒子を気化するための加熱部を有する気化部と、を有し、前記加熱部には傾斜が設けられており、前記固体の粒子は前記傾斜を転がりながら気化することを特徴とする気化器を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】固体の粒子を安定的に昇華させることが可能な気化器を提供する。
【解決手段】常温において固体状態である固体の粒子３０を気化させる気化器２１において、前記固体の粒子３０を供給するための供給部３１と、前記供給部３１より供給された前記固体の粒子３０を気化するため、複数の孔部が設けられた加熱部を有する気化部３３とを有し、前記気化部３３は、重力の働く方向に上から順に設けられた分散網３４と加熱網３５と加熱傾斜部３６からなる。 （もっと読む）

この方法は、プラズマドーピング、プラズマ堆積およびプラズマエッチング技術においてプラズマ組成を調整するために用いられる。開示された方法は、プラズマ中の電子エネルギー分布を改良することによりプラズマ組成を制御する。超高速電圧パルスによりプラズマ中で電子を加速することで、高エネルギー電子がプラズマ中で生成される。パルスは、電子に影響する程度には長時間だが、イオンに大きな影響を与えるには早すぎる。高エネルギー電子およびプラズマ構成物質の衝突の結果、プラズマ組成が変化する。プラズマ組成は、使用される特定目的の要求に適合するように最適化され得る。これはプラズマ中のイオン種の比率の変化を伴い、イオン化対解離の比率を変化させ、またはプラズマの励起状態集団を変化させる。 （もっと読む）

【課題】バブリング量の変化に追従してピックアップ量を制御することができるバブリング気化供給方法及び装置を提供する。
【解決手段】熱交換器１１が内蔵された密閉原料槽１０内に液体原料Ｌを貯えると共に導入管８を挿入し、熱交換器１１に所定温度の熱媒Ｍを循環させつつ導入管８にキャリアガスＣを所定流量で導入して液体原料Ｌをバブリングし、バブリングによる気化ガスＧとキャリアガスＣとの混合ガス（Ｇ＋Ｃ）を原料槽１０の気相部から抜出して供給する。好ましくは、導入管８上に熱交換器１４を設け、所定温度の熱媒Ｍを原料槽１０内の熱交換器１１及び導入管８上の熱交換器１４に循環させつつキャリアガスＣを導入する。更に好ましくは、原料槽１０に原料補充管１５を接続すると共に補充管１５上に熱交換器１６を設け、その熱交換器１６にも熱媒Ｍを循環させながら液体原料Ｌを補充する。 （もっと読む）

本発明は、排気することができ、かつ基板を受容するために設けられる少なくとも１つの受容器と、少なくとも１つのガス前駆体を受容器内に導入することができる少なくとも１つのガス供給デバイスと、その端部が支持要素上の固定点に固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素を含む少なくとも１つの活性化デバイスとを含むコーティング装置に関する。ガス前駆体の影響から少なくとも部分的に少なくとも固定点を保護することができる遮蔽要素が設けられる。前記遮蔽要素は第１の側および第２の側を有する長手方向の延長部を有し、前記第１の側は支持要素上に配置され、閉止要素は遮蔽要素の第２の側に配置され、前記閉止要素は少なくとも１つの出口を有する。本発明は、少なくとも１つの分離壁が遮蔽要素の内部に配置されることを特徴とし、前記壁は遮蔽要素の内部容積を第１の部分容積と第２の部分容積とに分離する。
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