【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗でかつ高透過率な透明電極膜を簡易な工程で製造する方法を提供すること。
【解決手段】 基体上に透明導電膜を形成する熱ＣＶＤ（化学気相成長）法であって、固体原料（Ｒ）を直接加熱により気化させる工程（Ｓ１）と発生した原料ガスを加熱基体に堆積させる工程（Ｓ２）により透明導電性酸化スズ（ＳｎＯ_２）膜（Ｐ）を得ることができる。この方法は、スプレーノズルや真空設備等を必要とせず大気下で成膜可能であり、簡易設備での高品位な導電性酸化スズ膜の製造を可能にする。 （もっと読む）

【課題】容器の容量を増やした場合であっても、チャネリングが発生しにくく、有機金属化合物をより長時間安定して供給できる有機金属化合物の供給装置を提供する。
【解決手段】供給装置は、有機金属化合物６を充填するカラム型の２つの容器１０Ａ、１０Ｂと、容器１０Ａ、１０Ｂの内部をその下端で連絡する連通管５とを有する。容器１０Ａの上部にはガス導入管２が設けられており、容器１０Ｂの上部にはガス導出管３が設けられている。容器１０Ａの内部は、ガス導入管２が接続された側から連通管５が接続された側まで、キャリアガスの流れ方向が上下方向となるように順番に連通する複数の空間Ｓ１〜Ｓ３に区画されている。 （もっと読む）

【課題】特殊材料ガスを用いることなく、放電効率の低下を回避して大面積基板にＳｉなどを成膜できる大気圧プラズマ成膜装置及び方法を得ること。
【解決手段】貫通孔４を備えた略平板状であり、固体誘電体で形成された第一の電極１と、貫通孔５を備えた略平板状であり、固体シリコンで形成され、第一の電極１と略平行に設置された第二の電極２と、第一の電極１と第二の電極２との間に、貫通孔４を介して反応ガス９を供給する反応ガス供給装置９１と、第一の電極１と第二の電極２との間に電圧を印加して、第二の電極２から発生したシリコンと反応ガス９との化合物を含んだプラズマガスを第一の電極１と第二の電極２との間に発生させる電源８と、成膜対象の基板３を載置可能であり、貫通孔５を介してプラズマガスが供給される基板ステージ１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】液体原料の種類・蒸気圧に応じて基板処理装置への原料ガス供給方式を選択可能なバブラを提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、液体原料をバブリングするためのキャリアガスを供給するキャリアガス供給ライン１０３に設けられたキャリアガス用ＭＦＣ１０６、第１バルブ１０７及び第２バルブ１０８と、液体原料を気化して得た原料ガスを処理容器２００内に供給する原料ガス供給ライン１０９に設けられた低差圧ＭＦＣ１１２、第４バルブ１１１及び第５バルブ１１３と、原料ガス供給ライン１０９から分岐して前記低差圧ＭＦＣ１１２、前記第４バルブ１１１及び前記第５バルブ１１３をバイパスするように設けられたバイパスライン１１５及び第６バルブ１１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体処理システム（３２０）の前駆物質を生成する装置を提供する。
【解決手段】装置は、側壁（４０２）、上部、底部を有するキャニスタ（３００）を含んでいる。キャニスタ（３００）は、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）を有する内容積（４３８）を画成している。一実施形態においては、装置は、更に、キャニスタ（３００）を部分的に取り囲んでいるヒータ（４３０）を含んでいる。ヒータ（４３０）によって、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）間に温度勾配が生じる。また、精製ペンタキス(ジメチルアミド)タンタルから原子層堆積によってバリヤ層、例えば、窒化タンタルバリヤ層を形成する方法も特許請求される。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着（ＣＶＤ）用金属含有前駆体を一定濃度で蒸発させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】本装置は外部ケーシング１０２と内部ケーシング１１０からなりその間を流体で恒温とした蒸発器１００と熱交換器３０４からなり、内部ケーシングはキャリア流体を導入する第１の導管２１０と前駆体を同伴したキャリア流体を取り出す第２の導管２１４、熱交換器から蒸発器へ前駆体を導入する第１の前駆体導管３０６からなっている。熱交換器を蒸発器の近傍に配置することによって、蒸発器内の前駆体の温度と同じ温度で蒸発器に新たな前駆体を供給できるので、蒸発器内の前駆体を実質的に一定の温度に維持できる。 （もっと読む）

【課題】高融点金属においても金属薄膜の膜質を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 （もっと読む）

本開示は、気化及びその後の基板上への薄膜蒸着用の液滴エアロゾルを形成する装置１０及び方法に関する。装置１０は、装置１０を通過する液体流量を制御する機構を有し、該機構は、前記液体流量を調整する圧電アクチュエーター２４０と、圧縮ガス源７０からガスを引き込む噴霧機構とを有する。ガス源が液体と結合すると、液体が噴霧され、ガス中に浮遊する液滴が形成され、結果、基板上への薄膜蒸着に適した液滴エアロゾルが形成される。本方法は、圧縮ガス源からガスを引き込むステップと、液体源から液体を引き込むステップとを含む。液体とガスとは、同軸流関係、径流関係、及び、径流と同軸流との間の偏流関係のいずれかで結合して、ガスが液体と交わり、気化及びその後の基板上への薄膜蒸着に適した液滴が形成される。
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【課題】 保存安定性を長期に亘って良好に保持することができるセラミックス薄膜形成
用組成物の保存方法、セラミック薄膜の製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド
の製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミックス薄膜を構成する有機金属化合物と、水と、を少なくとも混合
してセラミックス薄膜形成用組成物とし、該セラミックス薄膜形成用組成物を冷結晶化さ
せた後、冷結晶化のピーク領域の上限温度より高く融解開始温度より低い温度で保存する
。 （もっと読む）