【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上に薄膜を形成する原子層堆積装置１０であって、原料ガスと反応ガスとが供給される成膜容器２０と、原料ガス供給管を介して原料ガスを供給する原料ガス供給部６０と、反応ガスを供給する反応ガス供給部９０と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部５２と、を備え、原料ガス供給部は、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部６２と、原料ガスを生成するために、液体原料を加振する超音波振動部６６と、液体原料貯蔵部に接続され、かつ、原料ガス供給管を通して成膜容器と接続される原料ガス供給バルブと、原料ガス供給バルブから成膜容器までの原料ガス供給管の温度を調節する温度調節部８６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、原料ガス供給口と反応ガス供給口とが形成された成膜容器と、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部と、液体原料貯蔵部に貯蔵された液体原料を直接気化し、流量を制御する気化制御部と、を含み、原料ガスを原料ガス供給口に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを反応ガス供給口に供給する反応ガス供給部と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部と、原料ガス供給口から供給される原料ガスが衝突するように配置される衝立板と、衝立板の温度を調節する温度調節部と、を有することを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】 気化室の所定温度下での気化効率を効果的に向上させることができ、その上、後工程に送られるガス中の原料ガスの分圧を高くできる液体原料の気化方法を提供する。
【解決手段】 気化室２２に通じる原料供給路３２、４２を介して液体原料を供給する際、原料供給路内で液体原料に所定流量でセカンドキャリアガスを予め混合して気液混合状態とし、気化室を臨む原料供給路の導入口周辺からキャリアガスを噴射することで、液体原料を気化室内に噴霧し、この噴霧された液体原料を、所定温度に加熱された気化室内での熱交換により気化し、この気化された原料ガスを当該気化室に開設した排出口２４から排出する。この状態で前記導入口から気化室に噴射する。 （もっと読む）

【課題】液体ソースを気化して成膜処理に用いられる処理ガスを得るにあたり、気化量を安定させ、かつ処理ガス濃度を高めること。
【解決手段】液体ソースを貯留するための気化室３の天井部に面接触した状態で、毛細管現象により液体ソースが広がる繊維体からなる面状体４１を設ける。また、一端側が前記面状体４１に接続され、他端側が前記気化室３内の液体ソースに接触するように、前記液体ソースを毛細管現象により吸い上げて面状体４１に供給する吸い上げ部４２を設ける。気化室３を加熱することにより、面状体４１が加熱され、液体ソースが液面から気化すると共に、面状体４１の表面からも気化するので、処理ガス濃度を高めることができる。また、吸い上げ部４２のみが液体ソースに接触しているので、液面の高さ位置が変動しても、面状体への液体ソースの拡散状態に影響がなく、安定した気化量を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】原料溶液供給部における原料タンクの交換を効率よく安全に実行できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】タンク出口バルブ、不活性ガス供給ラインバルブ、排出ラインバルブ、原料溶液供給ラインバルブ、溶媒供給ラインバルブとを有する原料溶液部において、タンク出口バルブ、不活性ガス供給ラインバルブ、排出ラインバルブ、原料溶液供給ラインバルブ、及び溶媒供給ラインバルブで囲まれた特定領域に残留する液体が、排出ラインバルブ側に自然流下するように、排出ラインバルブから原料溶液供給ラインバルブに向けて鉛直上方に延びる直線状の主配管に、タンク出口バルブ、不活性ガス供給ラインバルブ、及び溶媒供給ラインバルブを接続する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面における酸二無水物及びジアミンのそれぞれのガスの供給量の変動を防止し、酸二無水物とジアミンとの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、固体状態の第１の原料を気化させ、気化した第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、液体状態の第２の原料を気化させ、気化した第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器２１の内部の圧力と第２の気化器４１の内部の圧力とを調整することによって、第１の原料ガスの供給量と第２の原料ガスの供給量との比が一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】材料が多量に余っているにも関わらず早い時点でバルブが全開になる等して制御不能となるのを防ぐことができる材料ガス制御装置を提供する。
【解決手段】前記導出管Ｌ２に設けられた第１バルブ１と、前記混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定機構ＣＳと、前記濃度測定機構ＣＳにより測定される材料ガスの測定濃度が、予め設定された設定濃度となるように前記第1バルブ１の開度を制御する第１バルブ制御部２４と、前記導入管Ｌ１に設けられた第２バルブ３２と、前記第１バルブ１の開度が全開の開度から第１所定値だけ小さい開度である閾値開度になった場合において、所定時間内に前記第２バルブ３２の開度を、前記第１バルブ１の開度が閾値開度になった時点での変更前開度から第２所定値だけ大きい変更後開度となるように制御する第２バルブ制御部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】原料供給管を介して下方側から上方側に液体材料を供給するにあたり、当該原料供給管内から液体材料を容易に排出すること。
【解決手段】気化器１１に近接して液抜き機構５０を設けて、原料供給管１５の上端をこの液抜き機構５０の第２の原料供給バルブ７４におけるバイパス流路５４に接続すると共に、この第２の原料供給バルブ７４の上端側からＮ2ガス及びオクタンが供給されるように各バルブ１８を配置する。そして、原料供給管１５の下方側に別の液抜き機構５０を設けて、当該液抜き機構５０に原料貯留部１４から伸びる供給管１４ａ及び液体材料を排出するための第１の原料排出管６１を接続して、原料供給管１５内の液抜きを行う場合には、当該原料供給管１５内に対して上方側から下方側に向かってＮ2ガスやオクタンを供給する。 （もっと読む）