【課題】気相中で固体前駆体化合物を反応器に供給するための供給装置が提供される。
【解決手段】当該装置は、出口室と、固体前駆体化合物および固体前駆体化合物上に配置された充填材料の層を含む前駆体組成物を含む入口室とを含む、固体前駆体化合物用の気相供給装置である。かかる装置は、その上に充填材料の層を有する固体前駆体化合物の前駆体組成物を含む。ＣＶＤ反応器内への供給のために前駆体化合物によって飽和されたキャリアガスを移送するための方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】固体成膜原料を、従来からのＣＶＤ法やＡＬＤ法による成膜方法に使用できる形態で安定的に供給する。
【解決手段】固体成膜原料２１を気化させて供給する気化供給装置１であって、超臨界流体を生成して供給する超臨界流体供給部１０と、超臨界流体供給部１０から供給される超臨界流体を固体成膜原料２１に接触させて、超臨界流体に固体成膜原料２１を溶解させる超臨界流体調整部２０と、固体成膜原料２１が溶解した超臨界流体を気体に相転移させて、気体中に固体成膜原料２１を析出させるとともに、析出した固体成膜原料２１を気化させる気化部３０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】送達装置から固体前駆体化合物が枯渇するまでのプロセス全体にわたって均一で高濃度の前駆体蒸気を送達することができる送達装置を提供する。
【解決手段】送達装置１００は入口１０４および出口１０８を含む。この送達装置は入口チャンバー１１４および出口チャンバー１２０を含み、出口チャンバーは入口チャンバーに対して反対側にあり、かつ円錐セクション１１６を介して入口チャンバーと流体連通している。出口チャンバーは迷路１１０を含み、この迷路は送達装置に収容される固体前駆体化合物の固体粒子が送達装置から出るのを妨げ、一方で同時に固体前駆体化合物の蒸気が出口を通って送達装置から出るのを可能にするように機能する。 （もっと読む）

【課題】液体原料中の溶存ガスに起因して出現し得る気泡が気化器における気化量制御に悪影響を及ぼすのを回避する。
【解決手段】液体原料を不活性ガスにより圧送する液体原料供給源と、液体原料供給源が圧送する液体原料の流路となる液体原料供給管と、液体原料供給源から液体原料供給管を通じて供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化器が生成した気化ガスが供給される処理室とを有する基板処理装置において、液体原料供給管の経路途中に液体原料供給管内を流れる液体原料を貯留する液体原料溜め部を設け、液体原料供給管内での圧力低下によって液体原料中に現れる気泡を液体原料溜め部内にて除去する。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで高効率なミストＣＶＤ方法、およびミストＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】底面に超音波振動子６が設置されたミスト発生容器内の原料溶液に、底面から斜め上方に超音波振動を与え、液柱７を斜め上方に向かって形成してミスト８を発生させる際に、斜め上方に向かって形成された液柱の頂点付近に衝突部材を設置する。このことにより、超音波振動子の設置間隔を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】固体原料を用いて成膜を行う場合に、成膜原料ガスを安定的かつ効率的に基板の表面へ供給することが可能であり、かつパーティクル汚染や膜中への不純物混入の可能性が低減された成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、ウエハＷを収容する処理容器１と、ウエハＷを加熱する基板ヒーター１１と、ウエハＷを保持する保持部材２１と、原料支持部としてのステージ３１と、固体原料を加熱する原料ヒーター４１と、を備えている。成膜装置１００では、例えばステージ３１上で固体原料Ａを加熱しながら別の気化促進ガスと反応させ、生成した成膜原料ガスを保持部材２１に保持されたウエハＷの下面（被処理面）に供給し、ウエハＷの表面で熱分解させて薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】従来、困難とされていた無極性高分子材や平滑金属材等に対して、簡易な装置・方法により、安定した接着性や塗膜密着性の確保が可能となり、接着・塗装工程の生産性を格段に向上させることができる接着方法を提供すること。
【解決手段】被着体対の被接着面の少なくとも一方を火炎処理により表面改質処理後、接着剤を塗布して前記被着対を接着する方法。表面改質処理を、液状で熱分解性の表面改質剤を、可燃性ガスと酸化性ガスとを混合させた燃料ガスの燃焼火炎をキャリヤーとして、火炎バーナ２９から被着体Ｓの被接着面に吹き付けておこなう。その際、表面改質剤を、ナノポンプ１５を介して、火炎バーナ２９への可燃性ガス、前記酸化性ガス又は前記燃料ガスのガス供給路の途中に供給することにより気化（霧化を含む。）させて、火炎バーナ２９に燃料ガスとともに供給する。 （もっと読む）

【課題】液体原料からの気化ガスを使用するＡＬＤ装置への該気化ガスの流量を常に目標値になるようにする。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、タンク８１に充填された液体原料８０に不活性ガスを供給することにより液体原料８０を気化させ、該気化ガスを処理室３２内に供給してウエハ１に成膜するＡＬＤ装置において、前記不活性ガスをタンク８１に供給する流量を制御するレギュレータ８７と、タンク８１内部の絶対圧力を監視する圧力センサ８８と、を設け、コントローラ６１により、圧力センサ８８の監視圧力値に基づいて前記不活性ガスの流量をレギュレータ８７によって調整し、タンク８１内の絶対圧力が一定になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】簡便にＡｌＮ半導体を製造することができると共に、ＡｌＮの成長速度をより広い範囲で制御することが可能であり、尚且つ、不純物の混入のおそれを可及的に排除して、結晶性に優れた電子デバイス用のＡｌＮ半導体が得られるＡｌＮ半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】III族元素以外の不純物成分の合計が０．００１重量％以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ₃ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させる電子デバイス用のＡｌＮ半導体の製造方法である。 （もっと読む）