【課題】液体原料の気化効率を向上させ、パーティクルの付着を防止する。
【解決手段】ウェハを収容して処理する処理室と、液体原料をキャリアガスによるバブリングにより気化させるバブラ２２０ａと、バブラ２２０ａにて液体原料を気化させることで生成された原料ガスを処理室内に供給する原料ガス供給管２１３ａとを有し、バブラ２２０ａは液体原料を収容する容器と、容器内に収容された液体原料内にその先端部分が浸され、液体原料内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３７ａとを有する基板処理装置において、キャリアガス供給管２３７ａから液体原料内に供給されたキャリアガスを水平方向に拡散させる拡散板２３８をバブラ２２０ａ内の底部に敷設し、拡散板２３８は多孔質材により構成される。 （もっと読む）

【課題】液体前駆体物質を気化形成するための方法及び装置の提供。
【解決手段】この方法又は装置は、例えば、基板上に膜を形成するための化学気相堆積装置又はシステムの部分として使用することができる。この方法及び装置は、液体前駆体２１１及び拡散素子２３２を含むための容器２１８を準備することを含み、その拡散素子は、その容器の内側断面寸法に実質的に等しい外側断面寸法を有している。 （もっと読む）

【課題】 固体原料或いは液体原料を加熱して生成した原料蒸気を圧力式流量制御装置を用いて流量制御しつつプロセスチャンバへ安定して供給できるようにすることにより、原料の気化供給装置の小型化と、半導体製品の品質向上を図ると共に、原料の残量管理を容易に出来るようにする。
【課題解決手段】 原料を貯留したソースタンクと，ソースタンクの内部空間部から原料蒸気をプロセスチャンバへ供給する原料蒸気供給路と，当該原料蒸気供給路に介設されプロセスチャンバへ供給する原料蒸気流量を制御する圧力式流量制御装置と，前記ソースタンクと供給路と圧力式流量制御装置とを設定温度に加熱する恒温加熱部とから成り、ソースタンクの内部空間部に生成した原料蒸気を圧力式流量制御装置により流量制御しつつプロセスチャンバへ供給する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、原料ガスが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２よりも高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンクと反応室との差圧によって混合ガスを反応室に供給する混合ガス供給部２１６と、加圧タンクで生成された混合ガスが導入されるとともに、混合ガスに含まれる原料ガスを凝縮させて液体の原料Ｌに戻すガス回収部２２０と、ガス回収部において凝縮された液体の原料をバブリングユニットに導入する原料導入部２２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、かさ密度の高い固体材料によって内容積あたりの充填量を多くし、不純物が少ない高純度の固体材料からなる固体材料ガスを供給すること。
【解決手段】 キャリアガスＣにより所定量の蒸発または昇華・供給が可能な固体材料を、大気圧下または減圧下の融点以上沸点以下の温度条件において加熱し、溶融した状態で冷却・固化させて固体試料Ｓを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスＣが供給される供給部１と、供給されたキャリアガスＣを分散させる分散部２と、固体試料Ｓが設置される試料設置部３と、該試料設置部３において作製された固体材料ガスＧが供出される供出部４と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】気化効率に優れる気化器を提供する。
【解決手段】液体原料Ｌ或いは液体原料ＬとキャリアガスＧとの混合ガスＬＧを加熱するためのヒーター５０が埋め込まれた円形の気化室形成用孔３８を有するアウターブロック１４ａと、液体原料Ｌ或いは液体原料ＬとキャリアガスＧとの混合ガスＬＧを加熱するためのヒーター４２が埋め込まれ、気化室形成用孔３８よりもわずかに直径の小さい円筒形のインナーブロック４０と、気化室形成用孔３８とインナーブロック４０とで構成される気化流路４４に液体原料Ｌ或いは液体原料ＬとキャリアガスＧとの混合ガスＬＧを導入する導入孔１４ｃと、該気化流路４４から気化された液体原料ガスＶ或いは気化された液体原料ガスＶとキャリアガスＧとの混合ガスＶＧを排出する導出孔１４ｅがアウターブロック１４ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスを用いることなしに液体原料ガスの蒸気である原料ガスのみを高精度で流量制御しつつプロセスチャンバへ安定供給可能な構造の簡素化及び小型化を図った原料ガス供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料ガスを貯留するソースタンク５の温度を設定値に保持すると共に、ソースタンクの内部上方空間部から導出した液体原料ガスの蒸気である原料ガスＧ１のプロセスチャンバ１１への供給圧力を自動圧力調整装置６によって制御し、自動圧力調整装置の二次側ガス流通路内の原料ガス圧を所望の設定圧に保持しつつ原料ガスＧ１を絞り部を介してプロセスチャンバへ供給する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、固体材料の残量を簡便に精度よく検知することができること。
【解決手段】 キャリアガスＣにより所定量の昇華・供給が可能な固体材料に溶剤を添加してペースト状に加工し、該溶剤を蒸発除去させて固体試料Ｓを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスＣが供給される供給部１と、供給されたキャリアガスＣを分散させる分散部２と、固体試料Ｓが設置される試料設置部３と、試料設置部３から供出される固体材料ガスＧが供出される供出部４と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、液体である原料ＬにバブリングガスＢを噴射して当該原料Ｌを気化させることにより原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、バブリングユニット２１２で生成された原料ガスＸが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２より高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンク２１４と反応室１１２との差圧によって混合ガスＭを反応室１１２に供給する混合ガス供給部２１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの濃度の低下を抑制する。
【解決手段】原料ガス発生装置１０１は、容器１１１内の固体原料１０２を加熱し、ＣＶＤ加工用の原料ガスを発生させる。通気管１１３を介して容器１１１内に導入されたキャリアガスは、ガス拡散部材１１５の拡散体１３１により拡散され、開口部１１５Ａから鉛直下方向に噴出される。固体原料１０２から発生した原料ガスは、キャリアガスとともに固体原料１０２の上方から、通気管１１６を介して容器１１１の外に排出される。本発明は、例えば、ＣＶＤ加工用の原料ガスを発生する原料ガス発生装置に適用できる。 （もっと読む）