【課題】原料ガスの長時間の大量供給を確保することができる基板処理装置の提供。
【解決手段】ウェハを収容して処理する処理室と、液体原料をキャリアガスによるバブリングにより気化させるバブラ２２０ａと、バブラ２２０ａにて液体原料を気化させることで生成された原料ガスを処理室内に供給する原料ガス供給管２１３ａとを有し、バブラ２２０ａは液体原料を収容する容器と、容器内に収容された液体原料内にその先端部分が浸され、液体原料内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３７ａとを有する基板処理装置において、キャリアガス供給管２３７ａから液体原料内に供給されたキャリアガスを水平方向に拡散させる拡散板２３７をバブラ２２０ａ内の底部に敷設し、拡散板２３７には水平方向に拡散させたキャリアガスを複数箇所から上方に向かって噴出させる複数の噴出孔２３９を設ける。 （もっと読む）

【課題】調整バルブが全開又は全閉である場合の材料ガスの濃度値や流量値が、設定値と略一致する場合であっても、濃度や流量の制御状態が異常であるかを診断できる材料ガス制御システムを提供する。
【解決手段】収容室１０と、キャリアガスを導入する導入管２０と、材料ガス及びキャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管３０と、第１調整バルブ４５と、材料ガスの濃度又は流量を測定する測定計と、測定計で測定した測定濃度値又は測定流量値が、予め定められた設定値となるように、第１調整バルブ４５に開度制御信号を出力する第１バルブ制御部４６と、収容室１０内の圧力を測定する圧力計４４と、開度制御信号の値の時間変化量及び圧力計４４で測定した測定圧力値の時間変化量が、所定条件を満たす場合に、前記材料ガスの濃度又は流量の制御状態が異常であると診断する診断部４７とを具備するようにした。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、有機亜鉛化合物の自己分解や微量の水分との反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができる有機亜鉛化合物の処理装置を提供すること。
【解決手段】 液体材料供出部２に繋がる流通管２ａの先端部２ｂが、液体材料の液層内に配設されるとともに、抑制処理部３に近接するように配設され、処理槽１０内において液体材料と抑制処理部３が接液し、該液体材料中での分解生成物を含む不純物の発生を抑制することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】噴霧ノズルの目詰まり及び原料の再固化を防止できる溶液気化型のＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】両端を閉塞された中空多段円筒状の気化室と、気化室内に噴霧ノズルによって原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを排気口を介して外部に排気する排気部と、気化室を加熱するために気化室の外周に設けられたヒータと、を有する気化器を備えたＣＶＤ装置において、気化室を、第１内径を有し、噴霧ノズルの先端が位置する第１円筒部と、第１円筒部の下方に連設され、第１内径より長い第２内径を有する第２円筒部と、で構成する。そして、排気部の排気口を、第２円筒部の側面に位置させる。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、有機亜鉛化合物の自己分解や微量の水分との反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができるとともに、効率よく高純度の有機亜鉛化合物を貯蔵し、あるいは搬送・供給することができる方法および供給装置を提供すること。
【解決手段】 有機亜鉛化合物の液体材料を処理対象とし、該液体材料が周期表第４族の金属または金属化合物と接液することによって、該液体材料中での不純物の発生を抑制することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を形成するための組成物を蒸着する際の、残渣の形成を低減又は無くする方法を提供する。
【解決手段】炭素源の１種以上の環状アルケンと、シリコン源のシリコン含有化合物と、キャリアガスを用い、エネルギー源（放射線、熱、又はプラズマ）を適用して炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成するに当たり、フェノール安定剤を用いる。フェノール安定剤は、本来のＯＨ基の他にＲ１〜Ｒ５を有し、Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、Ｃ１−Ｃ１８の直鎖、分岐、又は環状アルキル基、Ｃ１−Ｃ１８の直鎖、分岐、又は環状アルコキシ基又は置換又は非置換のアリール基であり得る。その量は、置換フェノールが２００ｐｐｍ〜２００００ｐｐｍの範囲の濃度で存在している量を加える。その様にして組成物を蒸着する事により、残渣の形成を低減又は無しにした、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体薄膜を高速且つ安価に製造することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、成膜室３１に導入した複数の原料ガスをプラズマCVDにより基板上に成膜する薄膜製造装置において、前記複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成室１２及び２２と、前記原料ガス生成室１２及び２２内の圧力が、5000Pa以上大気圧以下、前記成膜室３１内の圧力が500Pa以下となるように、それぞれの圧力を調整する圧力コントローラ１９、２９及び３９と、前記原料ガス生成室１２及び２２と前記成膜室３１の圧力差を維持しつつ、前記原料ガス生成室で生成された原料ガスを前記成膜室に導入するためのニードルバルブ１７及び２７と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】 所定処理に必要となる原料ガス供給用のガス系統が増加しても、少ない部品点数で確実に原料ガスを安定して供給できる低コストのガス供給システムを提供する。
【解決手段】 第１のガスライン１ａと第２のガスライン１ｂとを有する。また、原料が夫々収納される複数の容器２０と、各容器にプッシングガスを供給するプッシングガスライン３から分岐された、流量制御を行う流量制御手段を有するプッシングガス分岐ラインと、プッシングガスの容器内への導入により容器内からの原料ガスを導く原料ガスラインと、第１のガスラインと第２のガスラインとの間で原料ガスの導入を切換える切換手段８０とを備える。各原料ガスラインを２本に分岐し、分岐した原料ガス分岐ラインに前記切換手段を夫々介設し、各切換手段の二次側を集合ガスラインに合流させて、集合ガスラインと第１及び第２の両ガスラインとの間に、一次圧を制御し得るレギュレータを夫々介設する。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）