【課題】 連続処理化が容易で、生産性が高く、かつ絶縁抵抗の劣化やマイグレーションの促進することなく、平滑性を維持しながらポリイミド樹脂フィルムと金属との密着性を確保できる。
【解決手段】 ポリイミド樹脂フィルムをアルカリ水溶液で処理してカルボキシル基を生成させて、生成したカルボキシル基に金属イオンを吸着させ、還元剤水溶液で吸着した金属イオンを還元させた後、金属イオンの活性状態を維持しながら無電解めっきに浸漬し、無電解めっきを行なうポリイミド樹脂フィルムの金属化方法であり、この方法を用いたフレキシブルプリント配線板である。 （もっと読む）

【課題】 屈曲可能で、寸法安定性、回路形成性、導体引き剥がし強度などに優れる金属めっき基板、それを用いてなるフレキシブルプリント配線板と多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】 繊維基材に、硬化物の弾性率が５００〜７０００ＭＰａ（ＡＳＴＭ Ｄ−８８２に準じて測定）である接着剤組成物を含浸させてなる熱硬化型接着シートの少なくとも片面にめっき皮膜を形成し、該接着シートを加熱硬化させてなる金属めっき基板、この金属めっき基板を用いてなるフレキシブルプリント配線板、及び前記金属めっき基板を用いて得られた内層回路板に、回路を形成した各層を接着シートを介して一体的に接合してなる多層プリント配線板である。 （もっと読む）

【課題】 はんだ付けする際の加熱処理によって、ニッケル層の相転移に伴う体積の収縮に起因する最大の引張り応力を緩和する。
【解決手段】 半導体２０上に形成されているアルミニウムを主成分とするアルミニウム金属膜４２と、そのアルミニウム金属膜４２の表面を複数の領域に分割する分割絶縁層５２ｂと、アルミニウム金属膜４２の表面に形成されているとともに、分割絶縁層５２ｂの上方において結晶構造が不連続となっている境界８２Ｇを有するニッケルを主成分とするニッケル層７２を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成した合金膜で配線を保護する。
【解決手段】 基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド電極及びこれを用いた無電解ニッケルめっき浴の管理方法並び測定装置の提供。
【解決手段】ホウ素のドーズ量が1×10¹⁹〜2×10¹⁹ atoms/cm³であるホウ素ドープダイアモンド電極からなる作用電極、並びに対向電極及び参照電極を、ポテンショスタットに接続してなる測定装置を用い、まず（１）試料溶液中で作用電極電位を、試料溶液中のＮｉイオンが電極上にＮｉとして析出される還元側条件に所定時間保持し、（２）次いで、試料溶液中で、作用電極電位を、析出したＮｉ表面がオキシ水酸化ニッケル（ＮｉＯＯＨ）となる酸化側条件に所定時間保持し、（３）さらに、試料溶液中で、作用電極電位を微分パルスボルタンメトリー法に基づき、前記（２）段階における作用電極電位を開始電位として所定電位まで電位走査することにより、めっき浴中に含まれるニッケル濃度を求める。 （もっと読む）

【課題】 同一の処理液を使用して、膜厚方向に膜質の異なる金属膜を連続して成膜できるようにする。
【解決手段】 表面の配線用凹部に埋込み配線を形成した基板を用意し、基板の表面に処理液に接触させつつ、基板の表面に対する処理液の相対的な流動状態を変化させて、配線の表面に膜厚方向に膜質の異なる金属膜を連続的に成膜する。 （もっと読む）

【課題】下地金属層を形成する時に生ずるピンホールに起因する銅被膜部の欠落がなく、かつ絶縁体フィルムと下地金属層との密着性、耐食性に優れ、絶縁信頼性の高い銅被膜層を形成した２層フレキシブル基板を提供する。
【解決手段】絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに、乾式めっき法により、チタンの割合が３〜２２重量％、クロムの割合が５〜２２重量％で残部がニッケルのニッケル−チタン−クロム合金を主として含有する膜厚３〜５０ｎｍの下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に湿式めっき法により銅被膜層を形成した２層フレキシブル基板とその製造方法。 （もっと読む）

本発明は、基板にめっき処理を行ったり、基板を処理液に浸漬させて処理を行ったりするのに好適な基板処理装置に関する。本発明の処理装置（１）は、基板（Ｗ）の出し入れを行うロード・アンロードエリア（１００）と、基板を洗浄する洗浄エリア（２００）と、基板のめっき処理を行うめっき処理エリア（３００）とを有し、ロード・アンロードエリア（１００）には、ドライ仕様の複数のハンド（１３７，１３９）を有する基板搬送ロボット（１３０）と、基板収納カセットを搭載するロードポート（１１０）と、基板をフェースアップからフェースダウンに切換るドライ仕様の反転機（１５０）が配置されている。
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中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 界面活性剤の疎水性を電気化学的に増大させることにより界面活性を低下させることを利用した新規な薄膜製造法を提供すること。
【解決手段】 本発明による薄膜の製造方法は、界面活性剤を用いて疎水性物質を水中へ溶解または微粒子として分散させた後、該界面活性剤を還元することにより該疎水性物質を該水中の基板表面に付着させるに際し、該還元により該界面活性剤の疎水性を増大させ、よって該基板表面の近傍において該疎水性物質を脱溶解または脱分散させることを特徴とする。 （もっと読む）