【解決手段】本発明の無電解銅めっき浴は、銅水溶性塩、錯化剤、還元剤、緩衝剤及び添加物を含む無電解銅めっき浴において、前記錯化剤がヒドロキシカルボン酸系錯化剤であり、前記還元剤がアスコルビン酸系還元剤であり、前記緩衝剤がｐＨ緩衝剤であり、前記添加物が含窒素複素環化合物である、無電解銅めっき浴である。
【効果】
本発明の無電解銅めっき液は、ｐＨ３〜８で無電解銅めっきが可能であり、めっき浴が十分な浴安定性を示し、得られる金属銅析出皮膜が十分な厚さでありかつ非常に密着性が良好であり、さらに析出膜の結晶性が非常に微細、緻密かつ均質であるという優れた性質を持つ。これらの性質により、強アルカリ性や強酸性に弱い被めっき材料（例えばエポキシやポリアミド、アルミナなど）に、非常に緻密かつ均質な金属銅皮膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本件発明の課題は、新規還元剤を用いたホルムアルデヒドフリーの無電解銅めっき液、及び、無電解銅めっき方法を提供することにある。
【解決手段】上記課題を解決するため、無電解銅めっき液は銅塩と還元剤とを含む無電解銅めっき液において、前記還元剤として亜ジチオン酸、亜ジチオン酸誘導体及びこれらの塩のうちいずれか一種又は二種以上を用いる。また、上記課題を解決するため、無電解銅めっき方法では、当該無電解銅めっき液に被めっき物を浸漬し、被めっき物の表面に銅を析出させる。 （もっと読む）

【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を十分に低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性を有する半導体チップ搭載用基板を製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体チップ搭載用基板製造方法は、基板の表面の導体回路の少なくとも一部を覆うように、電解ニッケルめっきによりニッケル層を形成する工程と、基板に対してデスミア処理を施す工程と、クエン酸を含む溶液に基板を浸漬する工程と、ニッケル層の少なくとも一部を覆うように、無電解めっきによりパラジウム層又は金層を形成する無電解めっき工程とをこの順序で備える。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき液を安定に運転できる無電解めっき装置及び無電解めっき液への酸素供給方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液３０を貯留する無電解めっき槽１と、前記無電解めっき槽１に接続し、その無電解めっき槽１との間で前記無電解めっき液３０を循環する循環流路２１を有する外部循環手段２と、を備え、前記外部循環手段２が、その循環流路２１内に、酸素を含む気体を前記無電解めっき液３０に混入すると共に前記無電解めっき液３０を加圧して前記気体を前記循環流路２１内の前記無電解めっき液中に溶解させる気体混入手段と、前記気体を溶解させた前記無電解めっき液を減圧し微細気泡を発生させる減圧手段８と、を更に有する無電解めっき装置１００。 （もっと読む）

【課題】ホルムアルデヒドを含有しない無電解銅組成物の提供。
【解決手段】無電解銅および銅合金メッキ浴が開示される。該無電解浴は、ホルムアルデヒドを含んでおらず、環境に優しい。該無電解浴は、安定しており、基体に光沢のある銅または銅合金を堆積する。 （もっと読む）

【課題】安定でかつ信頼性のある無電解金属めっき触媒を提供する。
【解決手段】銀、金、白金、パラジウム、イリジウム、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される１種以上の金属と、没食子酸、没食子酸誘導体およびこれらの塩から選択される１種以上の安定化化合物とのナノ粒子を含む水系触媒溶液を用いる。この水系触媒溶液はスズを含まない。この水系触媒溶液で基体を処理した後無電解金属めっき浴を用いて前記基体上に金属を無電解堆積する。 （もっと読む）

【解決手段】表面部を含む一部分が金属の酸化物からなり、前記表面部を含む一部分以外の部分が前記金属からなる金属−金属酸化物複合粒子（Ａ１）、および金属酸化物粒子（Ａ２）から選択される少なくとも１種の金属酸化物含有粒子（Ａ）、アルジトール（Ｂ）およびアルジトールの酸化物（Ｃ）を含有することを特徴とする金属膜形成用組成物。
【効果】本発明の金属膜形成用組成物を用いると、金属膜を効率よく形成することができる。特に、本発明の金属膜形成用組成物は、膜厚の大きい金属膜であっても、イオン化傾向の大きい金属からなる膜であっても、効率よく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】導電性及び絶縁性に優れた高信頼性の異方導電性フィルムを実現可能な導電粒子
、該導電粒子を用いた絶縁被覆導電粒子及びその製造方法、並びに該絶縁被覆導電粒子を
用いた異方導電性接着剤を提供すること。
【解決手段】本発明の導電粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面に設けられた金属層と、を備え、金属層は、樹脂粒子に近い順に、銅又は銅合金を含有する第１の層と、パラジウムを含有する第２の層とが積層された構造を有し、金属層における銅／（金＋パラジウム）比は０．４以下である。 （もっと読む）

【課題】プラスチック表面の構造化および選択的な金属めっきのためのレーザを用いた方法の欠点を踏まえて、根本的に改良された方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プラスチック基体表面の選択的な金属めっき方法およびこの方法により製造された成形回路部品に関し、この方法では、プラスチック基体が添加剤として天然のまたは合成して製造されたテクトアルミノケイ酸塩を含んでおり、プラスチック基体表面のアブレーション処理によりこのテクトアルミノケイ酸塩への到達を可能にし、シーディングし、最後に外部から電流をかけずに金属めっきする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダイヤモンド微粒子及びフッ素樹脂微粒子を均一に分散・共析させた複合めっき被膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】親水性ポリマー又はイオン性官能基が導入された平均粒径１０ｎｍ〜３００ｎｍのダイヤモンド微粒子、平均粒径１００ｎｍ〜３００ｎｍのフッ素樹脂微粒子及び界面活性剤を金属めっき液に添加した複合めっき液を基材表面に接触させて、ダイヤモンド微粒子及びフッ素樹脂微粒子を金属マトリクス中に均一に分散させた複合めっき被膜を形成する。 （もっと読む）