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国際特許分類[C23C18/42]の内容

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【課題】本発明は、置換型無電解金めっき液、及びこれを用いた金めっき層の形成方法に関する。
【解決手段】本発明は、置換型無電解金めっき液、及びこれを用いた金めっき層の形成方法に関し、本発明による置換型無電解金めっき液は、有機溶剤と、前記有機溶剤中で解離して金イオンを生成する金塩と、を含む。本発明による置換型無電解金めっき液は均一な厚さの金めっき層を形成し、下地金属との結合力を高めることができる。また、多様な印刷法を通じて金めっき層を形成することもできる。 (もっと読む)


【課題】はんだ等によって接続された場合に、十分に優れた落下強度を実現することが可能なめっき膜及びモジュール基板を提供すること。
【解決手段】本発明は、リンを含むニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層上に金めっき層と、を有し、ニッケルめっき層におけるリン濃度が11〜16質量%であり、ニッケルめっき層の金めっき層側の面におけるリン濃度の平均値及び標準偏差をそれぞれX及びσとしたときに、(3×σ×100)/Xの値が10以下であるめっき膜50、並びに当該めっき膜50を備えるモジュール基板100を提供する。 (もっと読む)


【課題】共鳴波長をチューニング可能な異方成長した微粒子の特徴と、より強い表面プラズモン増強場の生成が可能な近接微粒子の特徴とを併せ持つ複合金属ナノ粒子の簡略な製造方法と複合金属ナノ粒子を含む多光子吸収材料並びに多光子吸収反応助剤を提供する。
【解決手段】形状異方性を有するナノ粒子(例えば、金)の表面に被覆された卑なる金属(例えば、銀)の少なくとも一部を、プラズモン増強場を発生させ得る、前記卑なる金属よりも貴なる金属(例えば、金)のイオンを含む溶液中でイオン化傾向の違いにより貴金属(例えば、金)に置換して複合金属ナノ粒子とし、これを含む多光子吸収材料または同反応助剤を、例えば、三次元多層光メモリ、光造形用材料、二光子蛍光顕微鏡へ応用する。 (もっと読む)


【課題】安価で経済的に優れた材料を使用し、ナノポーラス構造体で且つ光学応用や触媒応用のために貴金属の薄い層(レイヤー)により装飾されているナノポ−ラス金属材料を提供する。
【解決手段】貴金属で表面修飾されたナノポ−ラス金属(ナノ多孔質金属)が、コントロールすることのできるイン・サイチュの犠牲を伴うテンプレート技術により簡単な手法で得ることができる、得られたコア・シェル型ナノポーラス金属コンポジットは、生物化学センサーを含めたセンサー、電解酸化触媒などを含めた触媒、ナノスケールウェーブガイド具、電磁気分野並びに光伝達分野などにおけるエンハンサー用材料、水素ガスなどのガスや元素、分子用の表面プラスモン共鳴(SPR)のセンサー、表面増強ラマン散乱用センサー用材料などとして有用である。 (もっと読む)


【課題】導電ペースト用フィラーに適した高品質の銀被覆銅粉およびそれを用いた導電ペーストを提供する。
【解決手段】機械的に偏平化されたフレーク状銅粉の表面に銀被覆層を有し、JIS Z8729に規定される明度L*が50以上である銀被覆銅粉。機械的に偏平化されたフレーク状銅粉の表面に銀被覆層を有し、銀被覆層の平均厚さt(nm)と銀被覆銅粉の明度L*が下記(1)式の関係を満たす銀被覆銅粉。39+0.76t−3.5×10-32≦L* …(1)。銀の被覆量は例えば30質量%以下である。酸素含有量は例えば1質量%以下、炭素含有量は例えば2質量%以下である。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得る手段を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、一面に無電解めっき電極膜110が形成された基板102と、基板102の一面に搭載された半導体チップ120と、半導体チップ120と無電解めっき電極膜110の一面とを接続するボンディングワイヤ150とを含む。ここで、無電解めっき電極膜110の一面のボンディングワイヤ150との接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の一面の最高部の高さとの差である窪み量が1.5μm以下である。 (もっと読む)


【課題】各種の下地金属上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に、金めっきの析出性、カバーリング性などを向上させることが可能な新規な置換析出型無電解金めっき方法、及びこの方法に用いる処理剤を提供する。
【解決手段】亜硫酸塩、アミノカルボン酸類、ヒドロキシカルボン酸類、ホスホン酸類及びポリエチレンンアミン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を有効成分とする水溶液からなる置換析出型無電解金めっきの前処理用活性化液、並びに
該活性化液に被処理物を接触させた後、水洗を行うことなく、該被処理物を置換析出型無電解金めっき液に接触させることを特徴とする置換析出型無電解金めっき方法。 (もっと読む)


【課題】長期間経過してもめっき形成された導電膜が変色せず、良好な外観を維持することができる電子部品のめっき方法、及びこのめっき方法を使用して製造されたセラミック多層基板等の電子部品を実現する。
【解決手段】部品素体の表面にめっき処理を行い、少なくとも一層以上の導電膜を形成した後、水洗し、その後、水分除去処理を行う電子部品のめっき方法において、前記水分除去処理は、前記水洗された電子部品を凍結させた後、減圧して水分を昇華させる。 (もっと読む)


【課題】低コストで簡略化した突起電極の形成方法、及びこれに用いる置換金めっき液を提供する。
【解決手段】本発明に係るバンプ2の形成方法は、電極12上に形成された導電性のコア21の表面を、亜硫酸カリウムとポリエチレンイミン又はその誘導体とを含む置換金めっき液を用いて被覆する被覆工程を包含し、一回の被覆工程において、厚さ0.1μm以上0.5μm以下の金膜22をコア21の表面に形成する。これにより、バンプ2を形成するに十分な膜厚の金膜22を形成するために、被覆処理を繰り返し行う必要がない。その結果、製造工程を簡略化し、コストを低減させることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】均一な膜厚で分布するパラジウム又はパラジウム合金を成分とする金属めっき膜でセラミックスを主成分とする多孔質体の表面が被覆されるめっき物、均一な膜厚で分布するパラジウム又はパラジウム合金を成分とする金属めっき膜でセラミックスを主成分とする多孔質体の表面上を被覆する無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき方法を用いて、セラミックスを主成分とする多孔質体13をめっき液22中に浸漬させる時に、攪拌強度G値を250(1/s)以上にてめっき液22を攪拌することで、セラミックスを主成分とする多孔質体13の表面をパラジウム又はパラジウム合金を成分とする金属めっき膜2で被覆する。 (もっと読む)


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