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国際特許分類[C23C28/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | メイングループ2/00から26/00の単一のメイングループに分類されない方法によるかまたはサブクラスC23CおよびC25CもしくはC25Dに分類される方法の組合わせによる少なくとも2以上の重ね合わせ被覆層を得るための被覆 (1,638)

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【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板の製造方法及びこれにより得られる半導体チップ搭載用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セミアディティブ法で銅回路を形成する工程において、電解めっきレジストを形成し、電解銅めっきにより銅回路を形成した後に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、銅回路の上部のみに銅の拡散を抑制するためのバリヤ皮膜である無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。次いで、電解めっきレジストを剥離し、導体回路となるべき部分以外の銅をエッチング除去し、ソルダーレジストパターンを形成し、電解ニッケルめっき皮膜が上部に形成された銅回路に、無電解パラジウムめっき皮膜を形成しさらに無電解金めっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 柔らかく、温度変形しやすいアルミニウム又はアルミニウム合金系基材の最上部に、硬く、耐摩耗性に優れた非晶質炭素膜を、安定して、密着良く形成する方法、及び最上部に非晶質炭素膜を設けて耐磨耗性や摺動性を向上せしめたアルミニウム又はアルミニウム合金を提供する。
【解決手段】 アルミニウム又はアルミニウム合金からなる基材表面に亜鉛置換膜を形成し、該亜鉛置換層をプライマー層として無電解めっき法によりニッケルめっき層を形成し、次いで、硬質クロムめっき層を形成し、さらに、最上層として、350℃以下の条件下で、好ましくは低温プラズマCVD法により、非晶質炭素膜又はシリコン含有非晶質炭素膜を形成することにより、硬度の適切な傾斜構造を有した多層膜構造体を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】チタンアルミナイド施工方法及びチタンアルミナイド表面を有する製品を提供する。
【解決手段】チタンアルミナイド施工方法及びチタンアルミナイド表面を有する製品が開示される。本方法は、製品の処理領域にチタンアルミナイドをコールドスプレーし、チタンアルミナイド表面を形成する段階を含む。チタンアルミナイド表面は、微細化γ/α2組織を含み及び/又はチタンアルミナイドは、予め合金化した粉体の固体原料でコールドスプレーされる。 (もっと読む)


【課題】 高温の使用条件下であっても十分な水素透過性能を長時間維持することができる水素透過用合金膜を提供すること。
【解決手段】 本発明の水素透過用合金膜は、酸化性ガスで表面処理されたNb合金膜と、該Nb合金膜の両面に設けられたPd若しくはPd合金層と、を有する。 (もっと読む)


【課題】リーク電流を上部電極3×3cmにおいて100V印加時に10−5A/cm未満でありかつ、500℃以上の温度での耐熱性がある被膜を有するステンレス箔を提供する。
【解決手段】基材であるステンレス箔に第1層、第2層の順に形成される2つの層からなり前記第1層は前記第2層よりも耐熱性が高いことを特徴とする被膜付きステンレス箔であって、前記第1層が金属酸化物被膜であり、前記第2層がメチル基含有シリカ系被膜である太陽電池用絶縁被膜付きステンレス箔である。 (もっと読む)


【課題】精密バネやリチウムイオン二次電池容器に適した、表面抵抗が低く、鉛フリーはんだ濡れ性に優れ、板厚精度が高いステンレス鋼板を提供する。
【解決手段】質量%で、C:0.15%以下、Si:1.0%以下、Mn:3.0%以下、Cr:10.0%以上22.0%以下、Ni:4.0%以上10.0%以下、Cu:1.0%以上4.5%以下、N:0.15%以下を含有するステンレス鋼母材と、このステンレス鋼母材の表面上に形成された該ステンレス鋼母材に由来するCuを含む不動態皮膜と、更にその上に設けられたNiまたはNi合金めっき層とを備えるステンレス鋼材。前記不動態皮膜は、熱間圧延後のステンレス鋼材に酸洗を施し、無酸化性雰囲気中での最終焼鈍時に酸洗を行わずにNiまたはNi合金めっきを施すことにより形成される。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を十分に低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性を有する半導体チップ搭載用基板を製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体チップ搭載用基板製造方法は、基板の表面の導体回路の少なくとも一部を覆うように、電解ニッケルめっきによりニッケル層を形成する工程と、基板に対してデスミア処理を施す工程と、クエン酸を含む溶液に基板を浸漬する工程と、ニッケル層の少なくとも一部を覆うように、無電解めっきによりパラジウム層又は金層を形成する無電解めっき工程とをこの順序で備える。 (もっと読む)


【課題】アルコキシシラン含有トリアジンチオールを用いて、樹脂とアルミニウム合金との間に優れた接合力を有するアルミ合金物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金より成る基体と、該基体の表面の少なくとも一部分に、脱水シラノール含有トリアジンチオール誘導体被覆を介して接合する樹脂とを含むアルミニウム合金物品であって、前記基体と前記脱水シラノール含有トリアジンチオール誘導体被覆との間に、アンモニウム塩、カルボン酸塩、リン酸塩、炭酸塩、ケイ酸塩およびフッ化物よりなる群から選ばれる少なくとも1つを含む金属化合物皮膜を含むアルミニウム合金物品である。 (もっと読む)


【課題】基材表面に、非晶質炭素被膜を被覆し、これを高面圧下でかつ摺動頻度の高い摺動部材として使用したとしても、その表面の非晶質炭素被膜の摩耗を抑制することができる摺動部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基材10の表面に、ナノダイヤモンド粒子21が分散されたニッケルめっき被膜20を被覆する工程と、ニッケルめっき被膜20の表面に露出したナノダイヤモンド粒子21を核として、ナノダイヤモンド粒子21から膜厚方向に非晶質炭素を成長させながら、ニッケルめっき被膜20の表面に非晶質炭素被膜30を被覆する工程と、を少なくとも含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、プレス加工の際に金型内に皮膜成分が転写することが無く、プレス油のはじきを防止できるので、カラー飛びを無くすることができ、乾燥不良を防止できる熱交換器用アルミニウムフィン材の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基板と、この基板上に形成された付着量10mg/m以上、30mg/m以下のリン酸クロメート皮膜と、このリン酸クロメート皮膜上に形成された付着量80mg/m以上、300mg/m以下の親水性皮膜とを具備してなり、前記親水性皮膜が珪酸リチウムからなり、前記珪酸リチウムはSiO100重量部に対しLiOを5重量部以上、15重量部以下含むことを特徴とする熱交換器用アルミニウムフィン材に関する。 (もっと読む)


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