【課題】基板を保持、移送し陽極化成槽の一部とする機構を有する、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置と、多孔質層を形成した半導体基板を提供する。
【解決手段】左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９で複数枚の基板Ｗを保持した状態で処理位置に移動させ、上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と連結させ、貯留槽１１の内部で複数枚の基板Ｗの全周面が電解質溶液に対して液密にされる。この状態で化成反応処理を行った後、基板Ｗが貯留槽１１から搬出される。従って、左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９が上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と協働して基板Ｗを液密に保持可能な構成とし、複数枚の基板Ｗを搬送し、多孔質層を形成でき、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置１を実現でき又、表裏、両表面に効率良く、かつ均一に形成された多孔質層を具備する半導体基板を本装置により提供可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板上の陽極酸化可能な層、例えば犠牲層上に存在するアルミニウム層であって、該犠牲層は、マイクロ電気機械システム又はナノ電気機械システム（ＭＥＭＳ／ＮＥＭＳ）を備えたキャビティから除去する必要があるような層のマスク陽極酸化の方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ層の陽極酸化は、細長い孔の形成につながり、該孔を通じて犠牲層を除去可能である。本発明の方法に従って、Ａｌ層の陽極酸化は、陽極酸化される領域２１を規定する第１マスク２０、及び陽極酸化される第２領域を規定する第２マスク２２であって、前記第２領域は第１領域を包囲するようなマスクの補助がある状態で行う。第１マスク及び第２マスクが規定する領域の陽極酸化は、第１領域周囲の閉環形態における陽極酸化構造の形成につながり、第１領域内では不要な横方向陽極酸化に対するバリアを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハに多孔質層を形成するための陽極酸化中に、被処理基板への汚染を簡易な方法で防止することができ、良質な多孔質層を効率的に形成することができる陽極酸化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電解質溶液中で陽極と陰極の電極間で通電して前記電解質溶液中に配置された被処理基板に多孔質層を形成する陽極酸化装置であって、前記電極は少なくとも金属電極部材が非金属電極部材で覆われた構造を有するものである陽極酸化装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の陽極酸化後の多孔質シリコン表面において鮮やかで様々な色を呈することができるシリコン基板加工方法を提供する。
【解決手段】ｐ型のシリコン基板の少なくとも一主面表面のシリコン元素が水素と結合する水素安定化処理がなされ、マスク薄膜形成工程において薄膜が形成され、マスク薄膜部分除去工程において薄膜のうち一部領域にある薄膜部分が除去される。そして、シリコン基板は、多孔質領域形成工程において、弗酸を含有する電解液中で陽極酸化されることにより、一部領域を含む周囲領域に選択的に多孔質シリコン領域が形成され、多孔質シリコン領域とマスク薄膜との間に多彩な発色を示す表面薄膜が形成される。多孔質領域形成工程において陽極酸化の条件が制御されることにより、シリコン基板の一主面上における多孔質シリコン領域の表面に形成された薄膜の反射スペクトルが調整される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に緻密なダイヤモンド薄膜を形成させるためのシリコン基板及びその製造方法であって、１０００℃以上の高温でも孔形態が変化せず、核発生密度も維持でき、熱膨張係数差に伴う応力の緩和機構も備えたダイヤモンド薄膜形成用シリコン基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 （もっと読む）

本発明は、電気化学セルを用いる、カーボンナノチューブ（「ＣＮＴ」）の基板上への電気化学堆積に関する。ＣＮＴの錯体およびアニオン性ポリマーの分散体を中和し、これにより、セルの陽極プレート上に堆積させる。
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【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体基板の厚み方向に連なって形成され且つ半導体基板の面内において半導体微結晶が周期的に形成された周期的ナノ構造体を容易に製造することが可能な周期的ナノ構造体の製造方法、並びに、電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板（半導体基板）１に下部電極２を形成し、シリコン基板１の一表面に周期的に配列された複数の垂直孔３１を陽極酸化により形成してから、垂直孔３１の内周面に沿ってシリコン基板１の厚み方向に連なるシリコン微結晶（半導体微結晶）３３を陽極酸化により形成することで周期的ナノ構造体を得て、各シリコン微結晶３３それぞれの表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）３４を形成することで強電界ドリフト部３を形成し、強電界ドリフト部３上に表面電極４を形成することで電界放射型電子源１０を得る。 （もっと読む）

【課題】部分アルマイト又はアルマイト素地露出部位の修復方法を提供する。
【解決手段】部分アルマイト及びアルマイト素地露出部位が発生いたした時に部分処理又は修復方法での全方位処理法として、液体又は固形化電解液を用い、電源、被処理材及び緩衝材＋電極、必要によっては冷却系及びマスキングより成る装置により、極間１０μｍ〜１．５ｃｍ、極比１：０．１〜２．０，電圧０．１〜２０Ｖ，電解温度０〜３５℃等の条件で処理をし、素地露出部位の修復及び部分アルマイト処理を行なう方法である。 （もっと読む）

【課題】高耐食性、表面清浄性、易洗浄性に優れた、原子レベルで平坦な表面を有する金属又は金属による表面被覆層とその表面処理方法を提供する。
【解決手段】電気化学的処理法を用いて、空気酸化膜を除去した後、アノード電位において酸化膜を一分子層だけ形成させた後、自然電位近くのカソード電位に保持して構造緩和させて生成分子膜が結晶化するまで保ち、次いで、アノード電位による一層の酸化分子膜の形成とその膜の構造緩和を多数回繰り返して活性金属表面に原子レベルで平坦な結晶性酸化膜を形成させる表面処理材の製造方法及びその表面処理材。
【効果】一般構造材料、配管材料、機能性材料の表面平坦性、表面清浄性並びに耐食性を向上させる表面処理技術を提供することができる。 （もっと読む）