【課題】被処理物の加工精度のバラツキの影響を受けず、設備の複雑化ないしコストの増大を招かず、常に安定的かつ容易に、電気メッキのメッキ皮膜の厚みを均一化する。
【解決手段】メッキ槽１１内のメッキ液１２に浸漬した電極１３と被処理物１４との間に通電することにより被処理物１４の表面をメッキする電気メッキ方法において、メッキ槽１１内で、電極１３を指向する被処理物１４のメッキ面１４ａを開放しつつ、被処理物１４の周囲を所定の間隙を空けて非導電性の囲繞部材１６で囲み、この囲繞部材１６の電極１３側の先端部を被処理物１４のメッキ面１４ａより電極１３側に突出させ、この状態で、電極１３と被処理物１４との間に通電して電気メッキを行う。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、電流値を上げたり処理時間を長引かせたりしなくても、表面被膜を一層分厚くさせることができ、また膜厚を一層均一化させることができるようにする。
【解決手段】バスケット５と、バスケット５を正立姿勢のまま回転自在に保持するバスケット保持手段３と、バスケット保持手段３をバスケット５の正立回転姿勢と側方へ横倒した横倒回転姿勢との間で揺動させる揺動手段と、バスケット保持手段３に対してバスケット回転用の駆動を伝える回転駆動部と、バスケット保持手段３を全体として収容した状態で定置設置される処理槽２とを有している。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】内部にめっき液Ｑを保持するめっき槽４０と、めっき槽４０の内部のめっき液Ｑに浸漬される位置に鉛直に配置されるアノード２２０と、基板Ｗを保持してアノード２２０と対向する位置に位置させる基板ホルダ２６と、めっき槽Ｑの外方に配置され、基板ホルダ２６で保持してアノード２２０と対峙した位置に位置させた基板Ｗの周囲に磁界を発生させる磁界発生装置１１４を有する。 （もっと読む）

【課題】実用化の障害となるめっきの長時間化を改善し、貫通電極による三次元実装を実現するのに好適な導電材料構造体をより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】貫通電極用凹部１２を形成した基板Ｗの表面の該凹部１２表面を含む全表面に導電膜１４を形成し、基板Ｗ表面の所定位置にレジストパターン３０を形成し、導電膜１４を給電層とした第１めっき条件で第１電解めっきを行って貫通電極用凹部１２内に第１めっき膜３６を埋込み、貫通電極用凹１２部内への第１めっき膜３６の埋込みが終了した後に、導電膜１４及び第１めっき膜３６を給電層とした第２めっき条件で第２電解めっきを行って、レジストパターン３０のレジスト開口部３２に露出した導電膜１４及び第１めっき膜３６上に第２めっき膜３８を成長させる。 （もっと読む）

【課題】小径でアスペクト比の大きいビアホールであっても、ボイドの発生しない緻密な導電体を形成可能な電気めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液７を蓄えためっき槽８と、このめっき槽８中に浸漬され、主表面に被めっき体１を固定するとともに前記被めっき体１に形成した配線２と電気的に接続する給電リング１８を備えたカソード電極９と、このカソード電極９と対向して設けられ、めっき液７に通電するためのアノード電極１２と、貫通孔１７を有し前記アノード電極１２およびカソード電極９間に設けられた電流遮蔽板１１と、めっき槽８からの余剰なめっき液７を蓄えるためのリザーブ槽１５と、このリザーブ槽１５のめっき液７を底部から供給することで、めっき槽８中のめっき液７を対流させる対流ノズル１３を備えた電気めっき装置６であって、電流遮蔽板１１とカソード電極９間に、対流させためっき液７をさらに撹拌させる撹拌手段１０を設けた。 （もっと読む）

【課題】高設置密度、高アスペクト比の導通路を達成し、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタ等として使用することができる金属充填構造体およびその製造方法ならびにその製造方法に用いる電解めっき方法の提供。
【解決手段】電解めっき時の電流値をめっき時間に対して連続的にマイナス方向へ増大させる電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面へのめっき液の供給を増加できて高電流密度に対応でき、短時間で厚く均一なめっき膜厚が得られる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】吸着プレート１０及びめっき槽本体５０からなるめっき槽と、めっき液中に浸漬されるアノード３０と、めっき液中に浸漬されアノード３０の面に対向した位置に設置される半導体基板Ｗと、半導体基板Ｗとアノード３０間に電流を供給する電源装置８０と、めっき槽にめっき液を供給するめっき配管６１−１，２，７３−１〜６とを具備する。半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。めっき配管７３−１〜６によって隔壁７０と半導体基板Ｗとの間に半導体基板Ｗの表面と略平行方向のめっき液を通過させる。隔壁７０の半導体基板Ｗに対向する面に凹凸形状（Ｖ溝７１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜欠陥の発生を抑制することができるめっき装置、めっき方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一端に開口１０を有するめっき槽２と、めっき槽２の開口１０側に設けられ、被処理物Ｗを保持する保持手段４と、保持手段４と対向してめっき槽２内に設けられたアノード電極３と、めっき槽２内を、めっき液が貯められるとともに保持手段４により被処理物Ｗが保持される第１の領域１２ａと、第１の領域１２ａの周囲に同軸状に設けられ液体が貯められる第２の領域１２ｂと、に分離する分離体１２と、第２の領域１２ｂに貯められた液体と、前記分離体１２と、を介して第１の領域１２ａ内のめっき液に超音波振動を加える超音波振動手段９と、を備えたことを特徴とするめっき装置，該めっき装置を用いるめっき方法及び電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】リフロー処理を行う必要がなく、摩擦係数が低く、嵌合部の挿入力の低下と半田付け部の半田濡れ性の向上の両立が可能な端子の材料として使用することができる、複合めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】錫めっき液に炭素粒子を添加した複合めっき液１１６を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材１２０上に形成する複合めっき材の製造方法において、複合めっき液１１６を攪拌翼１１４の回転により攪拌するか、あるいは、複合めっき液１１６をポンプで圧送して攪拌することにより、複合めっき液１１６の流れの状態を示すレイノルズ数を１８０００以上にした状態で電気めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】微細孔内への金属充填の均一性を向上させることにより、微細孔内へ金属を充填した後に突出した部分を研磨等により除去して平滑にする表面処理工程を不要とでき、または、この表面処理工程をより短時間で行うことができ、その結果、作業効率に優れる、増強電場を発生させる微細金属体を有する微細構造体の作製方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に微細孔を形成する微細孔形成工程（Ａ）と、微細孔形成工程（Ａ）において微細孔が形成された基材をメッキ液に浸漬させるメッキ液浸漬工程（Ｂ）と、メッキ液浸漬工程（Ｂ）の後に、加振手段により基体およびメッキ液を振動させて、メッキ液を微細孔内に浸入させる加振工程（Ｃ）と、加振工程（Ｃ）と並行してまたは加振工程（Ｃ）の後に、電解メッキにより微細孔内に金属を充填して、増強電場を発生させる微細金属体を形成する金属充填工程（Ｄ）とを有することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）