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国際特許分類[C25D21/14]の内容

国際特許分類[C25D21/14]に分類される特許

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【課題】 めっき液の劣化を抑制し安定して長期操業が可能な亜鉛−ニッケル合金めっき方法を提供する。
【解決手段】 亜鉛イオン、ニッケルイオン、好ましくはアミン類等のニッケル錯化剤及びアルカリ成分を含有する、pH13以上の亜鉛−ニッケル系合金めっき液を使用する亜鉛−ニッケル合金の電気めっき方法であり、陰極槽と、アルカリ成分含有溶液である陽極液を収める陽極槽とをイオン交換膜等の隔膜によって分離し、陽極液にアルカリ成分を添加して陰極液のアルカリ成分濃度を制御するめっき方法を提供する。本発明では、電流量を指標として陽極液へ補給するアルカリ成分量を調節して上記めっき液をpH13以上に保持でき、陽極板はC、Fe、Cr、Ni及びこれらの合金でもよく、上記めっき液は更に、光沢剤、平滑剤、還元剤及び界面活性剤の群から選ばれる少なくとも1種を含有できる。 (もっと読む)


【課題】たとえ添加量の低濃度の場合でも添加剤の効果の変動を抑制し、特にグラビア版の機械彫刻に適した銅めっき皮膜を安定的に製造するために、銅めっき浴中に添加するハードナーの添加濃度を管理する新規の銅めっき浴の管理方法の提供にある。
【解決手段】添加剤としてのハードナーを含むめっき浴から析出した銅めっき皮膜の引張試験物性と、前記銅めっき皮膜を加温したものの引張試験物性から添加剤濃度を定量し、管理する銅めっき浴の管理方法としたもので、前記何れの引張試験物性も、公称歪み量、引張強さ、破断強さの少なくとも一つである管理方法及びその管理方法で管理されためっき浴を用いてめっきする銅めっき皮膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 CV法、CVS法、CPVS法などを用いてめっき液中の添加剤量の値を求め、これによりめっき操業を管理するとめっき液のバランスが大きく崩れるという弊害がある。本発明はこうした弊害を生じないCV法、CVS法、CPVS法などによる添加剤の分析方法の提供を課題とする。
【解決手段】 CV、CVS、CPVS法の少なくとも1つを用いてめっき液中の添加剤の分析するに際して、めっき液から分取した試料溶液の添加剤測定時の該試料温度を一定としてめっき液中の添加剤を分析し、その値をめっきの操業管理をする。 (もっと読む)


【課題】
不溶性陽極を使用する電解スズメッキによりスズメッキ鋼板を製造する技術の改良。メッキにより消費されるスズイオンを迅速に補給することができるスズイオン補給用のスズ合金と、そのスズ合金を使用したスズイオンの補給方法を提供する。このスズイオンの補給方法を採用した電解スズメッキ法をも提供する。
【解決手段】
スズイオン補給用のスズ合金は、スズ母相とリン化スズSn相とからなり、リンの含有量を、0.1〜10原子%の範囲内としたもの。リン化スズ相は酸素還元能が高く、カソードとして作用し、スズ母相がアノードとしてはたらく。このスズ合金を水中に浸漬し、酸素ガスを吹き込むことにより、スズがイオンとして容易に溶出する。このスズイオン補給方法を採用して電解スズメッキを行なえば、不溶性の二酸化スズの生成を避けてメッキを行なうことができる。 (もっと読む)


【課題】 クロム(III)塩水溶液中のクロム錯体を高精度で定性分析、定量分析し得る方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の三価クロムの分析方法は、イオン交換分離法とICP発光分析法とをこの順で連結して行い、クロム(III)塩水溶液中のクロム錯体をその電荷ごとに定性分析することを特徴とする。また、本発明の三価クロムの分析方法は、キャピラリー電気泳動法により、クロム(III)塩水溶液中のクロム錯体をその電荷ごとに定性分析することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板に形成された溝内部の良好なメッキ埋め込み性を得ることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 溝パターンと、少なくとも前記溝パターン内部に第1の電極となる電極層が形成された絶縁膜を備えた半導体基板を、第2の電極が設置されるメッキ液中に導入する工程と、前記第1、第2の電極間に、直流電界に周波数100Hz以上の交流電界を重畳して印加し、前記金属層上に金属膜を形成する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】不溶性電極を用いた電気錫メッキ方法において、酸素吹込み時に同時に生成する錫スラッジの生成を低減できる制御方法を提供する。
【解決手段】金属錫溶解槽とメッキ液循環槽との間のメッキ液循環ラインにおいて、メッキ液循環槽へ供給するメッキ液流量Faを制御する際に、メッキ液循環槽から金属錫溶解槽への流量Fbと金属錫溶解槽内流量Fcと金属錫溶解槽の自己循環流量Fdとを、Fb=Fa、Fc=Fa+Fdとなるようにする。 (もっと読む)


【課題】ピンホールなどの欠陥が少ない良好なめっきを効率的に行うことができるめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽61では、CO2及び無電解めっき液を含むめっき分散体を用いて無電解めっきを行う。この無電解めっきにより、めっき槽61内の基体としての基体管の内側表面又は外側表面に、第1金属膜としてのPd膜が形成されると、制御部80は、CO2及び無電解めっき液を含むめっき分散体の供給を停止し、電源62のスイッチをオンにする。これにより、CO2及び電解めっき液を含むめっき分散体が供給され、電極に電圧が印加されて、めっき槽61内において電解めっきを行う。この電解めっきにより、無電解めっきにより形成された第1金属膜のPd膜の上に、第2金属膜のPd膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】 可溶性陽極のみを用いて標準電極電位が異なる合金の電解めっきが可能な合金めっき方法および装置を提供する。
【解決手段】 めっき槽1内のめっき液2中に、被めっき材を陰極3に接続し、陰極3と標準電極電位が貴の金属からなる可溶性陽極4との間に整流器a1を、陰極3と標準電極電位が卑の金属からなる可溶性陽極5との間に整流器a2を接続する。可溶性陽極4と可溶性陽極5とに交互に電流を供給する。 (もっと読む)


【課題】3価クロムめっきの長時間運転を可能とし、3価クロムによる硬質めっきを得ることにある。
【解決手段】塩化クロムを主成分として含んで成るめっき液を用いて3価クロムめっきするにあたり、めっき液の一部と水酸化クロム含水ゲルを混合し、この混合めっき液をフィルターを通してめっき槽に戻し、めっき液中の金属クロムイオン濃度を制御しながらめっきする。 (もっと読む)


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