【課題】向上された電気めっき組成物の安定性および堆積物の形状を提供するインジウム電気めっき方法を提供する。
【解決手段】インジウム電気めっき組成物においてインジウムイオンを補充する方法が開示される。特定の弱酸のインジウム塩を用いて、インジウムイオンが電気めっき中に補充される。この方法は可溶性陽極および不溶性陽極を用いて使用されうる。 （もっと読む）

【課題】グラビア版の再版時に発生する銅及びクロムメッキ層から銅を効率よく分離し、再利用する方法を提供すること。
【解決手段】使用後のグラビア版の鉄芯から、銅メッキ層とクロムメッキ層とからなるバラード層を剥がし、前記バラード層を濃度３０〜４０重量％の硫酸曹にてクロムメッキ層のみ溶解させ、前記バラード層のうち溶解しなかった銅メッキ層を、陰極側をナトリウムイオンを通すが銅イオンを通さないイオン交換膜で保護した塩水電極曹にて通電することで、陽極付近に銅イオンを濃縮し、水酸化ナトリウム水溶液を追加して水酸化銅を析出させ、水酸化銅を銅メッキ槽に添加して、銅として回収使用する。 （もっと読む）

【課題】一定の通電量に達した時点だけでなく、任意の時点で薬剤を供給することができ、溶解しにくい薬剤も使用することができる３価クロムめっき液管理装置を提供する。
【解決手段】調整槽１と、水酸化クロム貯蔵タンク２、グリシン貯蔵タンク３及び水酸化アンモニウム貯蔵タンク４と、水酸化クロム供給ポンプ１４、グリシン供給ポンプ１５及び水酸化アンモニウム供給ポンプ１６とから構成し、論理制御部３０、電流積算部３２、水酸化クロム供給ポンプ駆動部３５、グリシン供給ポンプ駆動部３６及び水酸化アンモニウム供給ポンプ駆動部３７を備える制御装置を設け、記憶させた単位通電量当たりの供給量と電流積算部３２により計測された通電量とからその時点の通電量に対して必要な供給量を算出し、通電量が設定値に達したときあるいは操作部３１から操作信号が入力されたとき、算出された供給量の薬剤を供給するように各ポンプを駆動するようにした。 （もっと読む）

【課題】不溶性電極を用いた電気錫メッキ方法において、操業途中のライン停止時に酸素吹込み時に同時に生成する錫スラッジの生成を低減できる制御方法を提供する。
【解決手段】金属錫溶解槽とメッキ液循環槽との間で酸素を溶存させたメッキ液を循環させながら金属錫を溶解し、メッキ液循環槽と電解メッキ槽との間でメッキ液を循環して不溶性電極を用いて電気メッキする方法において、ライン停止中は錫イオン濃度が管理目標の上限を超えない期間は錫イオン生成を継続し、ライン停止中の錫イオン供給速度はライン停止以降予定していた錫イオン供給速度よりも抑え、ライン復旧後にライン停止中に生成した錫イオン量を予定錫イオン生成量から差し引くことで、錫イオン濃度を正常範囲内に保ちつつ、スラッジ発生量を削減する電気錫メッキ方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるナノスケールの微細構造物を用いた配線部分に金属をボイドなく埋め込み、電気的な不良を抑制して半導体装置の歩留りを向上させる。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられたヴィアホール又はトレンチに金属めっき膜を埋め込む工程において、まず、最初のめっき液の容積、補充しためっき液量、処理したウェーハ枚数、流した電流値及び排出しためっき液量の各データを収集する。次いで、取得した電流値に基づいてめっき処理の累積電荷量を算出する。また、全めっき液の容積を算出する。そして、取得した、全めっき液の容積、排出しためっき液量および累積電荷量に基づいて、めっき液に含まれる抑制剤の分解物量を算出する。分解物量が予め設定された閾値以下である場合にのみ半導体基板のめっき処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】一定のめっき条件下でめっきを行う場合にめっき液間で容易につきまわりを評価できる評価装置を提供する。
【解決手段】電解槽１と、前記電解槽内に配設された陽極板３と、前記電解槽内に陽極板に対して垂直かつ互いに平行に配設された３枚の陰極板５１、５２、５３であって、陽極板からそれぞれ等距離離間され、隣り合う陰極板の間隔が２〜９ｍｍである陰極板５１、５２、５３と、を備えためっきつきまわり評価装置。 （もっと読む）

【課題】銅イオンの補給塩を溶解させた際に生じるめっき性能を阻害する成分を低減し、めっき性能の低下を防ぐ方法を提供する。
【解決手段】硫酸銅めっき浴を収容しためっき槽中で、アノードとして不溶性アノード１１を用い、被めっき物をカソード１２として、被めっき物に銅を電気めっきする方法であり、めっき槽１と異なる銅溶解槽２を設けて、銅溶解槽２にめっき浴を移液し、かつ銅溶解槽２からめっき槽１にめっき浴を返液することによりめっき槽１と銅溶解槽２との間でめっき浴を循環させ、更に銅溶解槽２に銅イオンの補給塩を投入して溶解させることにより、めっきにより消費されためっき浴の銅イオンを補給して、連続的に電気めっきする方法であって、アノード１１及びカソード１２間をめっき浴が移動可能とし、銅溶解槽２からめっき槽１へのめっき浴の返液において、めっき浴をめっき中のアノード１１近傍に返液する。 （もっと読む）

【課題】めっき液の管理が容易であって、かつＳｎ合金のめっき液へのＳｎ成分の補給を簡便な方法により低コストで行う。
【解決手段】めっき槽１の上部開口位置で被処理基板ＳをＳｎ合金のめっき液に接触させた状態とし、めっき液を噴流させながら被処理基板Ｓとめっき液内の電極１５との間に通電して被処理基板ＳにＳｎ合金のめっき膜を形成するめっき装置において、めっき槽１との間で循環されるめっき液を貯留するタンク６と、タンク６内のめっき液の液面に酸化第一錫の粉末Ｆを散布する散布機７とを備え、散布機７は、粉末Ｆを収納して下方から散布する散布ボックス３１と、散布ボックス３１をタンク６内のめっき液の液面に沿って水平移動させる移動機構３２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】濃度調整槽が必要になることによるめっき装置全体の大型化を防止でき、かつ機械的強度の弱いイオン交換膜を用いることのない実用性に優れた銅めっき液供給機構を提供する。
【解決手段】銅めっき槽１から流入する硫酸銅めっき液に、銅イオンを溶解させる銅イオン溶解槽２０を有して、銅イオン濃度を上昇させた硫酸銅めっき液を銅めっき槽に流出させる銅めっき液供給機構２として、銅イオン溶解槽内に、銅めっき槽から流入した硫酸銅めっき液が貯留される陽極室２２と、電解液が貯留される陰極室２１とを少なくとも２枚以上のカチオン交換膜６、７を介して隣接させて設けた。陽極室には、硫酸銅めっき液に通電によって溶解する可溶性銅陽極２３を浸漬させ、かつ陰極室には、電解液に陰極２４を浸漬させた。カチオン交換膜は、互いに膜面同士を対向させて、間隔をあけて配設した。 （もっと読む）

【課題】ＰＲパルス電解めっき中の電位データを測定でき、従来の煩雑な操作を必要としない計測装置を提供する。
【解決手段】ＰＲパルス電解めっきにおいて、正電解時及び逆電解時におけるめっき対象物と参照電極３０との電位差の経時変化をそれぞれ測定する測定装置とする。前記めっき対象物と参照電極との電位差の波形データが入力された制御部には、入力済み波形データの波形記憶手段、前記記憶手段中の保管波形データから採取した所定時間内の波形データの波形切出手段、前記切り出された波形データにおける所定の基準点から所定時間内の正電解電位と逆電解電位とを読み取る電位読取手段、前記読み取られた正電解電位と逆電解電位とを記憶する読取電位記憶手段を具備し、めっき経過時間に対して正電解電位の時間―電位曲線及び逆電解電位の時間―電位曲線のモニタ手段を設ける構成とする。 （もっと読む）