【課題】タリウム濃度低下による金メッキの不良発生を抑止できる信頼性の高い半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液２１への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液２１へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 （もっと読む）

【課題】 不溶性電極を用いた電気錫メッキ方法において、酸素吹込み時に同時に生成する錫スラッジの生成を低減できる制御方法を提供する。
【解決手段】 金属錫溶解槽とメッキ液循環槽との間で酸素を溶存させたメッキ液を循環させながら金属錫を溶解し、メッキ液循環槽と電解メッキ槽との間でメッキ液を循環して不溶性電極を用いて電気メッキする方法において、酸素吹込み量を調整して錫イオン生成速度を制御するにあたり、通板スケジュールから錫イオン消費予定速度の経時変化量を求め、該経時変化量に基づいて錫イオン生成速度を経時毎に区分化し、該区分毎に平均化した錫イオン生成速度を平均経時変化量とし、該区分毎の平均経時変化量に応じた錫イオン濃度が各区分内管理目標上下限値を超えない錫イオン生成速度となるように酸素吹込み量を調整する電気錫メッキ方法。 （もっと読む）

【課題】錫のめっき液に、例えば、平滑材、光沢材、及び酸化防止剤のような有機物が添加されている場合でも、金属錫の溶解速度を飛躍的に向上できる錫イオンの供給装置を提供する。
【解決手段】不溶性陽極１１、１２を用いて鋼帯１３に錫めっきを行う錫めっき設備２７のめっき液１４に錫イオンを供給する錫イオンの供給装置１０において、金属錫１６を装入可能で、白金−イリジウム合金及び白金−酸化イリジウム複合酸化物のいずれか一方又は双方からなる被覆層が表面に形成された網目状のバスケット２２を有し、このバスケット２２をめっき液１４に浸漬させ、バスケット２２内の金属錫１６と被覆層との電極電位の差を利用した局部電池作用により、金属錫１６を錫イオンにする。 （もっと読む）

【課題】亜鉛−ニッケル合金のめっき層を備える脱水素処理された鋼製部材において、水素の吸収による再水素脆化現象が生じるのを防止する。
【解決手段】鋼製部材１を被覆する亜鉛−ニッケル合金のめっき層２を形成する。前記鋼製部材１と前記めっき層２との間に水素吸収機能を有する金属チタン３を配置する。または、前記めっき層の内部に水素吸収機能を有する金属チタンを配置する。前記金属チタン３の配置後に前記鋼製部材１から水素を除去する脱水素処理を行う。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手段でめっき促進剤の濃度を確実に管理でき、均一なめっきを施すことができる湿式めっき方法及び湿式めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき促進剤の濃度を変えた各めっき液を用いて交流インピーダンスを測定して、めっき促進剤の各濃度における位相差−周波数特性図（ボード線図）を作成し、この位相差−周波数特性図から位相差のめっき促進剤の濃度に対する依存性の大きい周波数領域を求め、この周波数領域から特定周波数を選択すると共に、該特定周波数でのめっき促進剤の濃度と位相差との関係を求めておき、使用するめっき液の前記特定周波数での交流インピーダンスを測定してその位相差を求め、該位相差が位相差許容範囲に保持されるように、めっき促進剤の補給量を制御する。 （もっと読む）

【課題】耐折曲げ性に優れ、特に、液晶画面駆動用半導体を実装するための半導体実装用として、耐折曲げ性に優れる銅被覆ポリイミド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、スパッタリング法又は蒸着法によって金属シード層及びその上に銅層を形成し、さらにその上に電気めっき法、又は電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅めっき皮膜を形成してなる銅被覆ポリイミド基板であって、該銅めっき皮膜は、ダイナミックＳＩＭＳ法によるイオウの相対二次イオン強度が１０００カウント以下であることを特徴とする。また、電気めっき法で、不溶解性陽極を用い、かつ全量に対して鉄イオンを０．１〜１０ｇ／Ｌを含有する銅めっき液を用いるとともに、さらに、分解分の補充として添加する光沢剤の添加量を、そのイオウ量で、銅めっき液１ｍ^３かつ１時間当たり０．００５〜０．１ｍｇに制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき液の管理が容易であって、かつＳｎ合金のめっき液へのＳｎ成分の補給を簡便な方法により低コストで行う。
【解決手段】めっき槽１内に貯留したＳｎ合金のめっき液に被処理基板Ｓを接触させた状態とし、被処理基板Ｓと電極１４との間に通電して被処理基板ＳにＳｎ合金のめっき膜を形成するめっき装置において、めっき槽１との間で循環されるめっき液を貯留するタンク２３と、タンク２３内のめっき液をポンプ２５で圧送しながらめっき槽１に供給するめっき液供給手段４とを有するとともに、めっき液供給手段４のポンプ２５よりも下流位置に、流通するめっき液内に酸化第一錫の粉末を供給する補給手段６を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ等の基板に対して、１０Ａ／ｄｍ^２を超える大きな電流密度で、基板のスルーホール内部にまで銅イオンを拡散させ均一で良好な高速めっきを行うことができる高速連続めっき処理装置を提供する。
【解決手段】１０Ａ／ｄｍ^２を超える電流密度で基板１０へのめっきを行う高速連続めっき処理装置であって、めっき元液に酸化銅粉を溶解してめっき液を調製する酸化銅粉溶解槽９１を備えた銅イオン供給部９０、めっき液をめっき槽７０に供給する噴流ポンプ８２と、噴流ポンプの先端に接続されて噴流ポンプにより加圧されためっき液を基板面に向けて噴出させる噴流ノズル８３とを備えた銅イオン噴流部８０、不溶性陽極部６０および給電部５１、５２を有し、噴流ノズルは前記噴流ポンプとの接続部側よりも先端部側が幅広い形状を有すると共に先端面には複数のノズル孔が設けられており、銅イオン噴流部は基板面に対向して交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】表面積Ｓと体積Ｖとの比Ｓ／Ｖが比較的大きく、かつ、積み重なるように配置しても硫酸液等との接触面積を確保でき、めっき液中に銅イオンを効率的に供給することが可能なめっき用銅材及び、このめっき用銅材を用いた銅めっき材の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき液中に銅イオンを供給する際に用いられるめっき用銅材１０であって、軸線Ｎに沿うように延在する筒壁部１１と、この筒壁部１１の両端にそれぞれ位置する端壁部１５、１５と、を備えており、筒壁部１１は、軸線Ｎ方向中央部が軸線Ｎ方向端部よりも軸線Ｎから離間するように突出されており、軸線Ｎ方向長さＬと軸線Ｎと直交する方向の最大長さＲとの比Ｌ／Ｒが、Ｌ／Ｒ＞１に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グラビア版の再版時に発生する銅及びクロムメッキ層から銅を効率よく分離し、再利用する方法を提供する。
【解決手段】銅メッキ層を、銅イオンを通さないイオン交換膜６で陰極側５を保護したバラード層溶解槽１に入れて通電することで、陽極４付近に銅イオンを濃縮し、前記銅イオンを濃縮した溶液の一部を、銅メッキ槽に追加し、前記銅メッキ槽に通電することにより、グラビア版を銅メッキし、銅メッキ後の銅イオン濃度の下がった前記銅メッキ槽の溶液の一部を、前記バラード溶解槽１に追加する。 （もっと読む）