【課題】Ｓｎ合金めっきのＳｎ成分補給を低コストで行える方法と、この方法に用いる、めっき液中のスラッジ発生を抑制することができるＳｎ合金めっき処理装置を提供する。
【解決手段】ＳｎとＳｎより貴なる元素からなるＳｎ合金のめっき液２１に２価のＳｎイオンを補給する方法において、酸又は酸性めっき液に対して易溶性のある酸化第１錫粉末を直接めっき液中に添加することを特徴とする。このＳｎ成分を補給するに際して、専用のＳｎ合金めっき処理装置２０を用い、Ｓｎ合金めっき液２１中の溶存酸素濃度を測定する溶存酸素濃度計４１の測定値に応じてめっき液中に吹き込む不活性ガス流量を制御して電解めっきを行う。酸化第一錫粉末は平均粒径がＤ₅₀値で１０〜２０μｍの範囲内であり、かつタップ密度が０．６〜１．２ｇ／ｃｍ³であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化第一錫粉末を直接めっき液中に添加してめっき液中のＳｎ成分を補給することを可能にする、酸又は酸性めっき液に対する溶解性が極めて高い、Ｓｎ合金めっき液のＳｎ成分補給用酸化第一錫粉末を提供する。
【解決手段】酸化第一錫粉末が温度２３〜２８℃のアルカンスルホン酸水溶液３００ｍｌに、酸化第一錫粉末２０ｇを添加して攪拌したとき、５秒以内で溶解する溶解速度を有することを特徴とする。酸化第一錫粉末は平均粒径がＤ５０値で１０〜２０μｍの範囲内であり、かつタップ密度が０．６〜１．２ｇ／ｃｍ³であることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】コバルト、ニッケル及び鉄の１種以上の金属のイオン、緩衝剤、導電剤並びにハロゲン化物イオンを含む電気めっき浴により、建浴時の電気めっき浴中の導電剤の濃度を飽和濃度の７０〜９５％とし、減少した電気めっき浴中のめっき浴成分を、粉体状の金属塩、緩衝剤、導電剤若しくはハロゲン化物塩、又はそれらの１種以上の飽和液若しくは懸濁液として電気めっき浴に添加することにより補給し、補給後の電気めっき浴中の導電剤の濃度を飽和濃度の７０〜９５％に調整して電気めっきを繰り返す。
【効果】形成されるめっき皮膜に高い均一電着性と良好な外観が与えられるように、電気めっき浴を長期間良好な状態に維持して電気めっきを繰り返すことができ、結果、めっき浴中の金属イオン濃度を低下させるための電解処理等の再生処理を頻繁に行わずに、長期にわたって安定しためっき皮膜を得ることができ、極めて経済的である。 （もっと読む）

【解決手段】有機添加剤を含む硫酸銅めっき浴中で、浴電流密度を５Ａ／Ｌ以下とし、硫酸銅めっき浴に金属銅をその浸漬面積をめっき浴の容量あたり０．００１ｄｍ²／Ｌ以上として浸漬し、上記浸漬面積に対して０．０１Ｌ／ｄｍ²・ｍｉｎ以上のエアバブリングを施して電気銅めっきする。
【効果】ブラインドビアホール、トレンチ、インターポーザ用の孔などの銅めっきを充填して配線を構成する構造物を有するプリント基板やウェハ等の被めっき物に、硫酸銅めっき浴を用いて電気銅めっきする際において、硫酸銅めっき浴を用いて連続的に電気めっきするときに発生する、有機添加剤が酸化又は還元されて生成すると考えられる有機物を効率的に酸化分解させることができ、分解／変性有機生成物により発生する銅めっきの充填不良やボイドなどを可及的に低減することができ、長期にわたり安定して電気銅めっきができる。 （もっと読む）

【課題】貴金属を早期に回収しその有効利用が図れ、不純物を電解前に除去でき、粗銅粉を用いることにより銅の溶解効率が向上し得る銅溶解液の製造方法、及び硫酸を繰り返し使用でき、高品位な精製銅を極めて効率的に製造できる銅の製造方法を提供すること。
【解決手段】粗銅を粉体化処理して得た粗銅粉を酸溶媒に溶解させる銅溶解液の製造方法であって、第１槽で前記粗銅粉を溶解し、未溶解物を含む液を第２槽に投入して粗銅粉を沈殿させて、沈降濃縮した粗銅粉スラリー部分を前記第１槽に戻し、前記第２槽の上澄みスラリー部分を濾過を経由して銅溶解液とする銅溶解液の製造方法である。 （もっと読む）

【解決手段】有機添加剤を含む硫酸銅めっき浴を収容しためっき槽中で、可溶性又は不溶性アノードを用い、被めっき物をカソードとし、めっき槽からめっき浴をオーバーフロー槽に流出させつつオーバーフロー槽中のめっき浴をめっき槽に返送すると共に、酸化分解槽を設け、酸化分解槽からオーバーフロー槽を介してめっき槽にめっき浴を返送してめっき槽と酸化分解槽との間でめっき浴を循環させ、酸化分解槽中のめっき浴に金属銅を浸漬して金属銅にエアバブリングを施すことにより電気銅めっきの際に生成した分解／変性有機生成物を酸化分解させる処理を施し、被めっき物に銅を連続的に電気めっきする。
【効果】硫酸銅めっき浴中の有機添加剤が分解又は変性して生成した分解／変性有機生成物を効率的に酸化分解させて、分解／変性有機生成物の問題を回避し、めっき成分を効果的に補充しながらめっき皮膜の特性を維持して連続的に硫酸銅電気めっきすることができる。 （もっと読む）

【課題】電気的手法によってメッキやメッキ前処理を施す場合に、メッキ液やメッキ前処理液を適正に管理・制御するための表面処理液の制御方法および表面処理システムを提供する。
【解決手段】表面処理に用いるメッキ液の通電量を計測しつつ、メッキ処理により減少した金属材の量に相当する金属塩を該メッキ液に補給するとともに、メッキ処理の電極として不溶性陽極を用いることを特徴とする表面処理液の制御方法、並びに、メッキ槽と金属塩を供給するフィーダーと電極と該メッキ槽内のメッキ液を分析するメッキ薬品濃度分析装置とを備えており、該メッキ薬品濃度分析装置によるメッキ液分析データをフィードバックして、メッキ薬品を補給することを特徴とする表面処理システム。 （もっと読む）

【課題】有機酸塩又は無機酸塩の水溶液からなるめっき液添加剤からナトリウムやカリウム等の不要なカチオン成分を除去可能なめっき液添加剤からカチオンを除去する装置を提供する。
【解決手段】ＲＣＯＯＮａ水溶液貯槽１は流路３により電気透析装置２の脱塩室１３に連通しており、さらに脱塩室１３からＲＣＯＯＨ水溶液貯槽４に連通している。また、電気透析装置２の濃縮室１４には、ナトリウムイオン回収機構５が連通している。そして、電気透析装置２の脱塩室１３にＲＣＯＯＮａ水溶液を供給することで、カチオン交換膜によりナトリウムが選択的に除去される一方、ＲＣＯＯ⁻はバイポーラ膜を透過しないので、ＲＣＯＯＨ水溶液が処理液として得られる。この処理液をめっき浴へのめっき液添加剤として使用する。 （もっと読む）

【課題】操作が容易であり、かつ、生産性が高いメッキ装置を提供する。
【解決手段】このメッキ装置１０は、半導体ウエハＷの処理面にメッキを施すためのメッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄと、半導体ウエハＷの両面を洗浄できる洗浄ユニット２２ａ，２２ｂと、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄでメッキが施された半導体ウエハＷを洗浄ユニット２２ａ，２２ｂへ搬送する搬送ロボットＴＲと、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄで使用されるメッキ液の微量成分を管理するための微量成分管理部３と、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄ、洗浄ユニット２２ａ，２２ｂ、および搬送ロボットＴＲが内部に収容されたエンクロージャ３０と、メッキ装置１０全体を制御するシステムコントローラ１５５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】めっき液における金属イオン濃度を安定に維持しえる方法、この方法を実施するのに好適な装置、及び、これらを用いためっき方法を提供すること。
【解決手段】アノード３０は、その溶出がカソード４０における析出より高くなる電流密度領域を有する構成とする。そして、アノード３０と、カソード４０との間に直流電源Ｅ０から直流電圧を印加する。これにより、めっき液２０における金属イオン濃度Ｘ^ｎ+が調整される。 （もっと読む）