【課題】金色外観を示すめっき皮膜を、高価なＡｕを用いず、かつ有色塗料の塗布等の煩雑な工程を経ることなく、表層のＳｎめっき膜により得る。
【解決手段】 表層めっき層として、Ｓｎイオン、および電解消費型添加剤を有する化合物を含むめっき液を用いて、Ｓｎを主成分とするめっき層を形成し、２３０〜３５０℃の温度にて熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 有害な鉛を含まず、優れたはんだぬれ性を有する錫電気めっき液、およびそのような錫電気めっき液を用いて電子部品等に錫被膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】 第一錫イオンと、有機酸と、２−ナフトール−７−スルホン酸またはその塩を含有し、実質的に鉛イオンを含有しない錫電気めっき液であって、任意に酸化防止剤および界面活性剤を含有する。有機酸がアルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸からなる群から選ばれる１以上の酸であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】インデント加工した場合でも、錫リフロー材などの他の種類の錫めっき材との間の摩擦係数が極めて低い錫めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素粒子および芳香族カルボニル化合物を添加した錫めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する際に、錫めっき液中の炭素粒子の濃度を２０ｇ／Ｌ未満、好ましくは１０ｇ／Ｌ以下にすることにより、適度に凝集した炭素粒子が錫層中に適度に分散した複合材からなる皮膜を素材上に形成され、リフロー処理を施した錫めっき材との間の摩擦係数が０．１６以下、算出平均粗さＲａが０．１〜０．５μｍ、最大高さＲｙが８〜１６μｍ、十点平均粗さＲｚ７〜１２μｍ、光沢度が０．８以上、皮膜の厚さが０．５〜３μｍ、皮膜中の炭素の含有量が０．１〜１．２重量％以下の錫めっき材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスなどの電子部品をめっきしても、回路間の絶縁が不良となるなどの問題を生ずることのないめっき浴用添加剤、それに用いることのできるスルホカルボン酸剤、さらには、より高純度のスルホカルボン酸エステル剤、およびこれを用いたより高品質の界面活性剤を提供する。
【解決手段】 スルホカルボン酸を主成分とし、該スルホカルボン酸に対してアルカリ金属の含有量が０．０５質量％未満であるスルホカルボン酸剤、および、スルホカルボン酸エステルを主成分とし、該スルホカルボン酸エステルに対してアルカリ金属の含有量が０．０５質量％未満であるスルホカルボン酸エステル剤である。スルホカルボン酸は、チオール基を有するカルボン酸を、過酸化水素で酸化することにより好適に得ることができ、スルホカルボン酸エステルは、さらに、これをエステル化することにより好適に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板等の端子表面や電子部品の端子表面にウイスカのない錫めっきを付与する表面処理方法を提供する。
【解決手段】有機スルホン酸、有機スルホン酸の２価錫塩及び少なくとも２種の非イオン系界面活性剤を含有するめっき液を用いて、電流密度０．５〜２０Ａ／ｄｍ^２、めっき液温度１０〜７０℃の条件下に、プリント配線板等の電子部品の端子表面を電気めっきしてウイスカ発生防止性めっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】メタンスルホン酸を含有するめっき浴を用い、高電流密度のめっき条件でも優れためっき均一性の得られる錫めっき鋼帯の製造方法を提供する。
【解決手段】搬送される鋼帯に電気錫めっきを施す錫めっき鋼帯の製造方法において、10〜80 g/lの錫イオン、15〜70 g/lの遊離メタンスルホン酸、0.1〜10 g/lの光沢剤および0.1〜5 g/lの酸化防止剤を含有するめっき浴を使用し、かつめっき時の電流密度をC A/dm²、鋼帯の搬送速度をR m/min、めっき浴中の鉄イオン濃度を[Fe] g/lとしたとき、めっき浴中の錫イオン濃度[Sn] g/lを下記の式1を満足するように調整する。
[Sn]≧（7.2＋0.3×C−0.05×R＋0.65×[Fe]） ・・・式1 （もっと読む）

【課題】長期保管してもスラッジの生成を起こしにくく溶液寿命が飛躍的に長いスズめっき液の提供を目的とする。
【解決手段】上記課題を達成するため、電解法でスズめっきを行うためのスズめっき液であって、スズイオン供給源であるスズ塩をスズ換算で５ｇ／Ｌ〜３０ｇ／Ｌ含有し、このスズイオンをキレート化し安定化させるキレート剤及びｐＨ調整剤を含むことを特徴とするもの等を採用する。そして、このスズめっき液の調整方法は、中性からアルカリ性の溶液中にメタンスルホン酸スズを添加し、スズキレート錯体を形成させる点に特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】 錫及び錫合金半田めっきにおいて、ウィスカーの発生を抑制することのできる、めっき液、めっき膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 錫めっき膜又は錫合金めっき膜を作製するためのめっき液に、サッカリンナトリウムを含有させる。好ましくは、サッカリンナトリウムを１５ｇ／ｌ以上含有させる。このめっき液を用いて作製されためっき膜は、錫の平均結晶粒径が１．５μｍ以下であり、ウィスカーの発生が抑制されている。めっき時の電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ²以上、カソード電位を飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に対して９００ｍＶ以上とすることにより、より確実にウィスカーの発生を抑制することができる。
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【課題】 摩擦係数が極めて低い錫めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素粒子と、芳香族アルデヒドまたは芳香族ケトンなどの芳香族カルボニル化合物とを添加した錫めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成し、同種の錫めっき材同士の摩擦係数が０．１８以下、好ましくは０．１３以下、光沢度が０．２９以上、皮膜の厚さが０．５〜１０μｍ、皮膜中の炭素の含有量が０．１〜１．５重量％、接触抵抗が１．０ｍΩ以下である錫めっき材を製造する。この錫めっき材では、皮膜の表面に互いに離間した複数の突起部が形成され、これらの突起部が炭素粒子を含有し、錫マトリックスが１０１面に配向している。 （もっと読む）

【課題】 電子部品のＳｎめっき皮膜に関し、電子部品に於けるＰｂフリーはんだめっきの１つであるＳｎめっきの皮膜に於いて、Ｓｎウィスカが発生し難いＳｎめっき皮膜を実現させようとする。
【解決手段】 電子部品にめっきされたＳｎめっき皮膜に於いて、該Ｓｎめっき皮膜に含まれる炭素量が０．０５容量％以下であること、または、該Ｓｎめっき皮膜に於けるめっき結晶粒の大きさが平均径で２．５μｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）