【課題】コネクター素材にＮｉバリア層を設けるための部分めっき処理において、Ｎｉバリア部に形成される金めっき皮膜を抑制することの出来る金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金及び／又はその塩と、コバルト塩と、有機酸伝導塩と、ニトロ基含有化合物と、カルボン酸、オキシカルボン酸、及びそれらの塩、からなる群から選択される１又は２以上の化合物と、を含有する電解硬質金めっき液。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として１〜２０ｇ／Ｌと、
（ｂ）Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物又はＡｓ化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として０．１〜１００ｍｇ／Ｌと、
（ｃ）亜硫酸ナトリウムが５〜１５０ｇ／Ｌと、
（ｄ）無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として１〜６０ｇ／Ｌと、
（ｅ）所定の置換芳香族化合物が０．１〜２００ｍｍｏｌ／Ｌと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 （もっと読む）

センサー表面が金基板であり、制御された結晶面を有する金ナノ構造が基板に強く接着している水銀蒸気センサーである。このセンサー表面を用いることによって、水晶振動子微量天秤（ＱＣＭ）ベースの水銀蒸気センサーの応答規模および安定性における実質的な増加が達成される。金基板上に金ナノ構造を形成する方法は、金の作用電極上にテトラハロ金（III）酸またはテトラハロ金（III）酸アルカリ金属塩および添加剤（例えば酢酸鉛）の溶液から、２０〜４０℃の電着温度で、少なくとも１５秒間の電着時間金を電着する工程を含む。析出溶液の組成、温度、および電流密度によって成長は制御される。析出速度は析出回数と同様に様々であってよく、好ましくは約１５０秒であるが、１５分のように長くてもよい。好ましい析出溶液は、２．７１８ｇ／ｌのテトラクロロ金（III）酸水和物、および、０．１〜０．５ｇ／ｌの酢酸鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】選択的な部分めっき処理が可能で、コネクターなどの電子部品に好適な硬質金系めっき液を提供する。
【解決手段】可溶性金塩または金錯体、伝導塩、キレート化剤を含む硬質金系めっき液において、１つ以上のニトロ基を有する芳香族化合物、例えば、ニトロ安息香酸、ジニトロ安息香酸、ニトロベンゼンスルホン酸の一群から選ばれる芳香族化合物を含有することを特徴とする。また、コバルト塩、ニッケル塩、銀塩の少なくとも１種の金属塩、或いはポリエチレンイミンの有機添加剤をさらに含むことを特徴する。 （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する均一で光沢性の高い金属層を提供する。
【解決手段】以下の式を有する添加剤消費抑制有機化合物をめっき液に添加する：


式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は独立して、水素；ハロゲン；（Ｃ１−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルキル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルケニル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、または分枝アルキニル；−ＣＮ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−ＳＨ；−ＮＯ２；ＳＯ２Ｈ；−ＳＯ３Ｍ；−ＰＯ３Ｍ；（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルフェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，−フェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，式中ｘは１から５００の整数であり、Ｒ６は水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルまたはフェニルである。 （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する、均一で光沢性の高い金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法を提供する。
【解決手段】以下の式を有する、メッキ浴添加剤の分解を防止する複素原子含有有機化合物をメッキ浴中に組み入れる：Ｒ１−Ｘ−Ｒ２（Ｘは、−Ｓ（Ｏ）ｎ−Ｓ（Ｏ）ｐ−Ｓ（Ｏ）ｑ−Ｓ（Ｏ）ｕ−Ｓ（Ｏ）ｖ−Ｓ（Ｏ）ｗ−、−（Ｓ（Ｏ）ｚ）ｍ−（ＣＨ２）ｙ−（Ｓ（Ｏ）ｚ’）ｍ’−、または−ＳＯ２−Ｓ−（ＣＨ２）ｙ−Ｓ−ＳＯ２−、ｎ，ｐ，ｑ，ｕ，ｖ，ｗ，ｚおよびｚ’はそれぞれ独立して０から２の整数、ｍおよびｍ’は独立して１から６の整数、ｙは２から４の整数である、またはＳ，Ｏ，Ｎから選択されたヘテロ原子、または（Ｃ１−Ｃ６）アルキルもしくはトシル基で置換されたＮであり、Ｒ１およびＲ２はそれらが結合している原子と一緒になって５から１８員の複素環を形成することができる）。 （もっと読む）

【課題】 良好な密着性を有する金めっきを形成することができる、金めっき構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 金めっき構造体の製造方法は、チタン基材（１０）の表面から酸化膜を除去する除去工程と、除去工程後に、不動態膜の形成を抑制する添加剤が添加された金めっき浴（３０）にチタン基材（１０）を浸漬する浸漬工程と、を含む。チタン基材（１０）の表面における不動態膜の形成が抑制される。それにより、良好な密着性を有する金めっき（４０）を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】錫めっき又は金めっきが施された基板電極との接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、めっき浴の安定化剤としての水溶性アミンと、結晶調整剤と、亜硫酸ナトリウムからなる伝導塩５〜１５０ｇ／Ｌと、緩衝剤と、分子量２０００〜６０００のポリアルキレングリコール０．０１〜１０ｍｇ／Ｌと、を含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。結晶調整剤としてはＴｌ化合物、Ｐｂ化合物、またはＡｓ化合物が、水溶性アミンとしては炭素数２〜６のジアミン化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤を用いた熱圧着による接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴及びバンプ形成方法を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、結晶調整剤と、亜硫酸カリウムからなる伝導塩5〜150ｇ／Ｌと、分子量が200〜6000のポリアルキレングリコール１ｍｇ／Ｌ〜６ｇ／Ｌ及び／又は両性界面活性剤0.1ｍｇ〜1ｇ／Ｌと、水溶性アミン及び/又は緩衝材とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。パターンニングされたウエハ上に本発明の金めっき浴を用いて電解金めっきを行った後、２００〜４００℃で５分以上熱処理することにより、皮膜硬度が５０〜９０Ｈｖ、表面の高低差が１．８μｍ以下のバンプが形成される。 （もっと読む）

【課題】改良されたレベリングおよび均一電解性を与える金属メッキ組成物および方法を提供する。
【解決手段】銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、これらの合金のイオン源、および下記式（Ｉ）を有する１以上の化合物を含む金属メッキ組成物を用いてメッキを行う。Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−[Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）Ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ]ｕ−Ｈ（Ｉ）（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−、Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ−；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３、Ｑは、ｐ＝１のとき−ＮＨ−、またはｐ＝０のとき、−Ｏ−。） （もっと読む）