本発明は、手持ち式測定装置（１０）であって、測定物（１６）における少なくとも１つの対象物（１４）の位置を測定するために設けられた少なくとも１つの位置測定センサ（１２）と、少なくとも１つの対象物特性値（２２）を検出するために設けられた少なくとも１つの対象物センサ（２０）を備えた保護回路（１８）とを有しており、前記対象物特性値（２２）は少なくとも、測定物（１６）に対する位置測定センサ（１２）のアライメントに依存している形式のものに関する。保護回路（１８）が少なくとも１つの操作者センサ（２４，２６）を有しており、該操作者センサは、操作者（２８）に依存した少なくとも１つの操作者特性値（３０）を検出するために設けられていることが提案されている。
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【課題】簡単な作業で、被測定物の腐食状態を把握することができる腐食検査方法を提供する。
【解決手段】
腐食検査方法では、被測定物に外装材が取り付けられた状態で、中性子水分計にて、外装材の水分量についてのカウント値を測定し、カウント値が予め設定された閾値よりも高い場合にのみ、渦電流探傷器にて、被測定物の肉厚を測定する。従って、測定速度が速い中性子水分計にて、多数の被測定物から閾値よりも高い被測定物を特定し、その特定した被測定物についてのみ肉厚測定を実施すればよいので、腐食検査に時間がかからず、簡単な作業で、被測定物の腐食状態を把握することができる。また、特定した被測定物については、肉厚を直接測定するため、簡単な作業で適切な保守管理ができる。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】測定対象領域のサイズを動的に設定し、半導体パターンのエッジ部分を精度良く検出する技術を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッジ部分検出方法では、観察画像のうち半導体パターンのエッジ部分を含む大きめの画像領域を走査することにより、検出対象のエッジ部分と直交する第２エッジ部分を検出し、最終的な走査範囲を第２エッジ部分よりも内側に設定する。 （もっと読む）

あるシステム及び方法が、再構築により、基板上のオブジェクトの概略構造を決定する。これは、例えば、リソグラフィ装置のクリティカルディメンション（ＣＤ）又はオーバレイ性能を評価するための微細構造のモデルベースのメトロロジーなどに適用できる。基板上のスタック上の格子などのオブジェクトの概略構造を決定するためにスキャトロメータが使用される。ウェーハ基板は上層と下地層とを有する。基板はスタックオブジェクト上の格子を含む第１のスキャトロメトリターゲット領域を有する。スタック上の格子は上層と下地層とからなる。上層は周期格子のパターンを備える。基板はさらに、上層がない、隣接する第２のスキャトロメトリターゲット領域を有する。第２の領域は、パターン形成されていない下地層のみを有する。 （もっと読む）

【課題】被測定木材の表面凹凸の分布のみではなく、密度や含水率に起因する誘電率を含む分布を測定することを第１の課題とし、その誘電率のみの分布を測定することを第２の課題とする。
【解決手段】被測定木材２０に対して導波管１１ａから電磁波を照射し、反射した電磁波を用いて反射強度分布を生成する。また、電磁波の振動方向（電界振動面）が異なる向きで走査して得られた２つの反射強度分布の差分を求める。 （もっと読む）

【課題】
測長ＳＥＭは高速な寸法計測が可能であるが，原理上，パターン形状に依存したシステマティックな計測バイアスを有す問題がある。測長ＳＥＭの計測値を校正するには，例えば，ＡＦＭの計測値との比較が必要であるが，従来，測長ＳＥＭとＡＦＭとで同一箇所の寸法計測を行うのは容易ではなかった。
【解決手段】
設計レイアウトデータを用い，測長ＳＥＭとＡＦＭの撮像レシピを自動作成する。また，両装置間の撮像位置ずれ，撮像倍率ずれを自動補正する。これにより，両装置の寸法計測結果の照合を，より容易かつ高精度に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高容量のスタック型の電池であっても、電極板の位置ずれを検査できる電池検査装置を提供する。
【解決手段】層をなす複数の四角形の電極板を有する電池１の電極板の位置ずれを検査する電池検査装置であり、Ｘ線管２から放射されるＸ線ビーム３に電極板が沿うように電池１を位置決めする位置決め機構４と、電池１を透過したＸ線ビーム３を検出し透過像として出力するＸ線検出器５と、電極板の第一の角部分を面に沿ってかつ辺に対し傾斜した方向で透過したＸ線ビーム３を検出した第一の透過像と、電極板の第二の角部分を面に沿ってかつ辺に対し傾斜した方向で透過したＸ線ビーム３を検出した第二の透過像とを取込んで処理し、電極板の位置ずれを検出して良否を判定するデータ処理部６とを有する電池検査装置。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源の光出力の時間変化を測定することにより、感光体に形成された静電潜像を評価し、レーザ光源などの性能ないしは特性を評価する画像評価装置、画像評価方法を得る。
【解決手段】感光体１３９上に形成される静電潜像を評価する。レーザ光源１３１と、レーザ光源を所定の変調信号で駆動することによりレーザ光を射出させる駆動装置と、レーザ光源１３１からのレーザ光を感光体１３９上で走査して感光体上に静電潜像を形成する走査装置と、感光体１３９上の静電潜像の測定装置と、を有し、測定装置は、静電潜像の形成開始時と形成完了時の形状の変化を測定することができ、この形状の変化からレーザ光源の光出力の時間変化特性を評価する。 （もっと読む）