【課題】センサ感度を向上したＩＳＦＥＴおよびこのＩＳＦＥＴセルを適用したＩＳＦＥＴアレイを提供する。
【解決手段】第１導電型を有する半導体基板１０と、半導体基板１０上に配置され、第１導電型と反対導電型の第２導電型を有するウェル領域１２と、ウェル領域１２上に配置され、第１導電型を有するソース領域１４およびドレイン領域１６と、ウェル領域１２上に配置されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に、ドレイン領域１６に隣接して配置されたトランスファゲート電極２０と、ゲート絶縁膜１８に接触する液体試料２６と、液体試料２６中に配置された参照電極２４とを備えるＩＳＦＥＴ２およびこのＩＳＦＥＴセルを適用したＩＳＦＥＴアレイ４。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、大きなバンドギャップを有する半導体をベースとして安定し且つ再現可能な信号を生成する、媒体の物理的及び／又は化学的特性を決定する半導体センサを利用可能にすることである。
【解決手段】本発明は媒体の物理的特性及び／又は化学的特性を決定する半導体センサに関する。本発明による半導体センサ１は感応面を有する電子要素３を備え、この電子要素３は大きいバンドギャップを有する半導体（ワイドギャップ半導体）をベースとしてその一部が構成されている。感応面の少なくとも一領域には、イオン感応面を有する機能層配列４が備わっている。この機能層配列４は複数の層を備え、これら複数の層のうち、少なくとも一つの層が決定対象のイオンに対して不透過性であり、少なくとも一つの他の層が決定対象のイオンに対して部分的に透過性である。 （もっと読む）

【課題】参照極の不具合を解消するとともに、厳しい環境下でも使用可能なイオンセンサ等を提供する。
【解決手段】第２のｐチャネル電界効果トランジスタのゲート部分の半導体表面の終端の測定対象イオンに対する感度が、第１のｐチャネル電界効果トランジスタのゲートの部分の半導体表面の終端の前記測定対象イオンに対する感度よりも高くされる。前記第１のｐチャネル電界効果トランジスタにおける前記半導体表面がダイヤモンドを有する。 （もっと読む）

【課題】参照極の不具合を解消したｐＨセンサ等を提供する。
【解決手段】参照極はｐチャネル電界効果トランジスタにより構成される。ゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤモンド表面として形成される。 （もっと読む）

【課題】ナノセンサプラットフォーム、ならびに疾患および状態の検出を提供すること。
【解決手段】本発明は、ナノワイヤ、ナノチューブ、およびナノセンサプラットフォームの使用に関する。一実施形態では、本発明は、ナノセンサプラットフォームを構築する方法を提供する。別の実施形態では、本発明は、疾病の検出のために、ナノセンサプラットフォーム上で複数のバイオマーカー信号を分析する方法を提供する。種々の実施形態は、電気信号伝達のために構成されるナノ材料と、ナノ材料の表面に分配される１つ以上の捕捉剤とを含むナノセンサを提供し、該ナノセンサは、１つ以上の捕捉剤の一つへの標的分子の結合が電気信号伝達の変化を引き起こすように構成される。別の実施形態では、電気信号伝達の変化は、コンダクタンス、電流、相互コンダクタンス、静電容量、閾値電圧、またはそれらの組み合わせの変化である。 （もっと読む）

【課題】アザフラーレン内包型カーボンナノチューブによる、高い分子選択性を備えたガスセンサーを提供する。
【解決手段】検出対象分子のカーボンナノチューブ内部への吸着による、カーボンナノチューブの物性変化を検出対象分子検出手段として用いる、ガスセンサーであって、前述カーボンナノチューブ内部に前もってアザフラーレンを内包させておくことを特徴とする。内包分子とカーボンナノチューブの相互作用を、検出対象分子が変調することにより、カーボンナノチューブの物性が変化することを検出する方法を含む。 （もっと読む）

【課題】コストがかかる回路やトランジスタ部分を複数回使用できるバイオセンサを提供する。
【解決手段】本発明によると、基材と、前記基材上に配置されたソース電極及びドレイン電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極にオーミック接触して前記基材上に配置された半導体膜並びに前記半導体膜上に接触する第１の絶縁膜を有するトランジスタ部と、前記第１の絶縁膜上に配置された導電膜とを有し、前記導電膜は、前記トランジスタ部から着脱可能であることを特徴とするバイオセンサが提供される。また、前記導電膜上に第２の絶縁膜が配置されても良い。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタを用いるバイオセンサであり、トータルコストが低いバイオセンサを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極の一部と重畳し、両端にドレイン電極およびソース電極が配置された半導体膜と、前記ゲート電極の他の一部と重畳し、被測定物が配置されるイオン感応膜とにより構成されるセンサトランジスタを有し、前記半導体膜、前記ドレイン電極、前記ソース電極のいずれか１以上は透明であり、前記センサトランジスタのオンオフ比は２以上であることを特徴とするバイオセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】バイオセンサ等として好適に用いられ、安定的に精度の高い測定を行うことが可能なトランジスタ型センサを提供することを主目的とする。
【解決手段】基材と、薄膜トランジスタとしての機能を有するトランジスタ部と、検知用電極、および上記検知用電極上に形成され、絶縁性材料からなるイオン感応膜を有するセンサ部と、を有し、上記トランジスタ部と上記センサ部とが、上記基材の同一表面上に並列するように配置されており、かつ、上記トランジスタ部が複数用いられており、単一の上記センサ部に対して複数の上記トランジスタ部が電気的に接続されていることを特徴とする、トランジスタ型センサを提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】バイオセンサ等として好適に用いられ、安定的に測定を行うことが可能なトランジスタ型センサを提供することを主目的とする。
【解決手段】基材と、上記基材上に形成されたゲート電極、上記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層、上記ゲート絶縁層上に形成された半導体層、上記半導体層と接するように形成されたソース電極およびドレイン電極、を有するトランジスタ部と、上記基材上に形成された検知用電極、および上記検知用電極上に形成され、絶縁性材料からなるイオン感応膜、を有するセンサ部とを有し、上記トランジスタ部と、上記センサ部とが、上記基材の同一面側に並列するように配置されており、かつ上記トランジスタ部のゲート電極と、上記センサ部の検知用電極とが一体として形成されていることを特徴とするトランジスタ型センサを提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）