【課題】細孔の周囲を囲む細孔壁の材料が膜厚方向に任意に制御されたナノ多孔質薄膜、およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明によるナノ多孔質構造を有するナノ多孔質薄膜は、膜厚方向に沿って複数の層領域を有し、前記複数の層領域は、第一の細孔を有する第一の層領域と第二の細孔を有する第二の層領域とを含み、前記第一の細孔と前記第二の細孔は貫通し、前記第一の層領域と前記第二の層領域とを構成する材料が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定の標的ＤＮＡ配列を高感度で迅速に検知する。
【解決手段】ナノチューブ装置は、標的ＤＮＡ配列用電子センサーとして設計させる。ナノチューブのフィルムは、基板１４０上の電極を覆うように沈着される。単鎖ＤＮＡ溶液を、標的ＤＮＡ配列に対して相補的になるように調製する。このＤＮＡ溶液を電極が覆われるように付着させ、乾燥後、付着物を基板から除去する（但し、電極間の領域を除く）。得られる構造体は、対置する電極間のナノチューブに直接的に接触する所望のＤＮＡ配列鎖を保有し、標的ＤＮＡ鎖の存在に対して電気的に応答するセンサーを構成する。ｓｓＤＮＡプローブをナノチューブセンサー装置へ結合させるリンカー基を用いる別のアッセイ態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極が可動な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 半導体層と、前記半導体層内に少なくとも２つの活性領域と、前記活性領域に接するソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の半導体層の上に絶縁層とゲート電極とを有する電界効果型トランジスタであって、
前記電界効果型トランジスタは前記ゲート電極および前記絶縁層の間に配置される、分子を吸着するための吸着部位を有し、
前記ゲート電極を駆動するための駆動手段を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】センサ構成の簡単化及び小型化を可能にするだけでなく、センサの静電耐性を向上させること及びＥＳＤ保護層に帯電した静電気を確実に取り除くことである。
【解決手段】ＦＥＴ２２と、ＦＥＴ２２のゲート部Ｇを覆うイオン感応層２４と、ゲート部Ｇ以外の部分を被覆するＥＳＤ保護層２５と、ＥＳＤ保護層２５に接続されてＥＳＤ保護素子５を有する外部保護回路４とを備え、ＦＥＴ２２により構成される回路８、９のインピーダンスを、外部保護回路４のインピーダンスよりも大きくしている。 （もっと読む）

【課題】鉄筋が施工された後、腐食が始まるまでの期間、測定対象物の状態変化を測定し、得られた情報をコンクリート構造物の計画的な保全に活用することができるセンサー装置を提供すること。
【解決手段】本発明のセンサー装置１は、第１の電極３と、第１の電極３に対して離間して設けられた第２の電極４と、第１の電極３および第２の電極４を覆うように設けられ、厚さ方向に貫通する貫通孔を有する絶縁膜８と、第１の電極３と第２の電極４との電位差を測定する機能を有する機能素子５１とを有し、機能素子５１で測定された電位差に基づいて、測定対象部位の状態を測定し得るように構成されている。 （もっと読む）

【課題】測定対象の薬液等の内部への侵入を防止し、正確なイオン濃度対応値を検出可能なイオンセンサー装置及びそれを備えたイオン濃度測定装置をもたらす。
【解決手段】イオン感応部１１を有するＩＳＦＥＴチップ１０とサーミスター２０及びコンデンサー２５を裏面に保持する回路基板３０と、ケース部４０と、液絡部５０とを備え、回路基板３０のイオン感応部露出開口３１とイオン感応部１１の外周縁１１ａは封止され、回路基板３０の最外周縁近傍裏面の外周縁リング３５及び液絡部露出開口３２を形成する内縁部３２ａ近傍裏面の液絡部外周リング３６は、ケース部４０の対向面４２に密着する。 （もっと読む）

【課題】腐食性である環境にさらされることができるpHセンサを提供する。
【解決手段】ｐＨセンサ４は、基板４０と、ｐＨに反応するイオン感度が高い部分を備えたイオン感受性電界効果トランジスタ（ISFET）ダイ１０を有し、ISFETダイ１０は基板４０の上に配置される。ｐＨセンサ４はまた、ISFETダイ４０の外側表面の少なくとも一部、および、基板の少なくとも一部の上に形成された保護層１４を有する。更に、ｐＨセンサ４は、保護層１４に機械的に結合されたカバー部材を有し、カバー部材は、ISFETダイ１０および基板を収容し、カバー部材は、イオン感度が高い部分の近位に開口部を画定する。 （もっと読む）

【課題】センサチップの表面に気泡がたまり測定が行えなくなってしまうことをより好適に防ぐことができる電極体を提供する。
【解決手段】所定軸Ｃに沿って延びる棒状のボディ１と、表面２１と裏面２２との間を貫通する貫通孔２４が形成されており、前記ボディ１の先端部に取り付けられる基板２と、前記貫通孔２４から感応部が外部へ露出するように当該基板２の裏面２２に取り付けられる電気化学測定用チップ３と、を備え、前記基板２の裏面２２には、その面上に前記ＩＳＦＥＴチップ３からの出力信号を取得するための配線２３が形成されているとともに、前記センサチップ３が前記配線に直接又は近接させて取り付けられており、前記基板が前記ボディの所定軸に対して傾けて取り付けられることにより、前記基板２の表面２１で、前記所定軸Ｃに対して傾いた先端面Ｓを少なくとも一部形成した。 （もっと読む）

【課題】センサ感度を向上した擬似参照電極一体型光ｐＨイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１導電型を有する半導体基板１０と、半導体基板１０上に配置され、第１導電型と反対導電型の第２導電型を有するウェル領域１２と、ウェル領域１２上に配置され、第１導電型を有するソース領域１４およびドレイン領域１６と、ソース領域１４と、ウェル領域１２と、ドレイン領域１６上に配置されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に、ドレイン領域１６に隣接して配置されたトランスファゲート電極２０と、ゲート絶縁膜１８上に配置されたイオン感応膜１９と、イオン感応膜１９に接触する液体試料２６と、ソース領域１４、ドレイン領域１６およびトランスファゲート電極２０上に配置されたパッシベーション膜２２とパッシベーション膜２２上に、液体試料２６に接触して配置された擬似参照電極５０とを備えるイメージセンサ４。 （もっと読む）

【課題】センサ感度を向上したＩＳＦＥＴおよびこのＩＳＦＥＴセルを適用したＩＳＦＥＴアレイを提供する。
【解決手段】第１導電型を有する半導体基板１０と、半導体基板１０上に配置され、第１導電型と反対導電型の第２導電型を有するウェル領域１２と、ウェル領域１２上に配置され、第１導電型を有するソース領域１４およびドレイン領域１６と、ウェル領域１２上に配置されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に、ドレイン領域１６に隣接して配置されたトランスファゲート電極２０と、ゲート絶縁膜１８に接触する液体試料２６と、液体試料２６中に配置された参照電極２４とを備えるＩＳＦＥＴ２およびこのＩＳＦＥＴセルを適用したＩＳＦＥＴアレイ４。 （もっと読む）