【課題】半導体マイクロデバイスの可動部への静電気の影響を緩和する。
【解決手段】本体１は枠体部１ａと可動体部１ｂとを有し、可動体部１ｂは枠体部１ａの内側にビーム１ｃを介して設けられており、第一の固定基板２には固定電極４が可動体部１ｂ側表面に設けられており、第二の固定基板３にはダミー電極５が可動体部１ｂ側表面に設けられており、可動体部１ｂは第一の固定基板２と可動体部１ｂとの距離の変化を測定するための可動電極６を有する半導体マイクロデバイスであって、可動体部１ｂには当該可動体部１ｂが固定電極４またはダミー電極５に接触する際に直接接触することを防ぐ第一接触部７が固定電極４側とダミー電極５側に設けられており、固定電極４上とダミー電極５上の少なくともいずれかには可動体部１ｂが近接した際に第一接触部７と接触する第二接触部８が対向して設けられており、第一接触部７と第二接触部８の材料は絶縁体である。 （もっと読む）

【課題】長寿命化、歩留率の向上を実現する。
【解決手段】本体１は前記一面が開口した箱状の枠体部１ａとその側壁部１ａ１内側に位置する可動体部１ｂとを有し、可動体部１ｂは当該可動体部１ｂ両側と枠体側面部１ａの内側とを接続する一対のビーム１ｃを回動軸として回動可能に設けられており、可動体部１ｂの第一の固定基板２側には可動電極６が設けられており、第一の固定基板２には平面視で前記回動軸を挟んだ両側となる部分に第一および第二の固定電極４Ａ，４Ｂが可動電極６に対向するように設けられており、平面視において第一の固定電極４Ａと第二の固定電極４Ｂに挟まれた第一の固定基板２の領域を間隔部分７Ａとし、間隔部分７Ａと対向する可動体部１ｂの領域を間隔対向部分７Ｂとした場合において、間隔部分７Ａと間隔対向部分７Ｂの少なくともいずれか一方に凹部８を設けた。 （もっと読む）

【課題】放電防止用の配線部の切断に伴う不具合の発生を抑制する。
【解決手段】センサチップ１の上面に絶縁材料製の保護壁12が形成されている。また保護壁12の一部である第１保護壁120は、放電防止用配線部25，26と可動電極4A，4Bを導通させる導電部11を放電防止用配線部25，26と隔てる位置に起立している。故に、放電防止用配線部25，26の切断部分Ｘの金属材料Ｙは、保護壁12に遮られることで広い範囲に飛散しないので、不要な箇所(導電部11)への付着が抑制される。その結果、放電防止用配線部25，26の切断に伴う不具合の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】応力に起因したＭＥＭＳの固有振動数の変動を抑制することにより、ＭＥＭＳの検出感度の変動による測定精度の劣化を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】まず、半導体基板２の変形によって固定部３ａ〜３ｄは半導体基板２のｙ方向において外側方向に変位する。可動体５は、半導体基板２から浮いた状態で配置されているので、半導体基板２の変形の影響は受けずに変位しない。したがって、梁４ａには引張応力（＋σ１）が発生し、梁４ｂには圧縮応力（−σ２）が発生する。このとき、梁４ａと梁４ｂを組み合わせたバネ系を考えると、梁４ａに働く引張応力に起因するバネ定数の増加と、梁４ｂに働く圧縮応力に起因するバネ定数の減少が互いに相殺する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、静電容量を変化させるセンサーの複数に分割された各可動電極部の上面部を除いて非導電性のラバー又はエラストマーを使用し、ラバー又はエラストマー本来の特性を活かしつつラバー又はエラストマーの繰り返し操作に対する変形防止を図るとともにセンサー基板を含めたセンサー構成部材のそれぞれの中心位置に位置決め用穴の形成と、円周方向等のＸＹ平面上の位置ずれを防止し、分割された各固定電極部区域での出力電圧のずれが生じないようにし、各センサー構成部材の中心位置で位置決めした状態で前記センサーを内部に収納し、該センサー上面と間隔をおいて配設したキーバッドラバーの周縁をレーザー光線により一体に固定する構造に形成することにより、操作性が良く、ラバーの復帰性能の向上を図ることができ、力または加速度変化に対する静電容量の変化を出力電圧として安定した状態で出力信号を検出することが出来、安定したセンサー機能を発揮し、かつ耐久性に優れた静電容量式センサー及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】円周方向に複数に分割された固定電極部を備えたセンサー基板と、該各固定電極部とそれぞれ対向する位置に設けた可動電極部を除いた部位を非導電性ラバー又は非導電性エラストマーで形成したセンサーラバーと、該センサーラバーの上面と間隔をおいて上方に配置するキーパッドラバーとが、各中心部の位置決めと各円周方向、又は矩形方向のＸＹ平面上で位置決めをして一体に形成したことを特徴とする静電容量式センサー。
【選択図面】 図１

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【課題】検出精度の低下を抑制可能な力学量センサを提供する。
【解決手段】接合部３００において、枠の外形を構成する外形輪郭線が矩形状の角部が除去された多角形状にする。これによれば、接合部が矩形枠状とされている従来の力学量センサに対して、角部が除去された部分では一辺の長さが短くなるために膨張量・収縮量が小さくなる。このため、角部が除去されることによって新たに形成された角部に発生する応力を低減することができ、当該角部からセンサ基板１００に印加される応力を小さくすることができる。したがって、検出精度が低減することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】可動電極に対向する固定電極の容量において、検出軸に垂直な方向に加速度がかかった際に、容量変化を起こさない電極配置パターン構造を有する静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】静電容量型加速度センサ１００は、一側電極セルＡ１と他側電極セルＡ２とからなる電極セル構造Ａを備えている。一側電極セルＡ１は、重錘体１０１の一側に設けられた一対の可動電極１０１ａ，１０１ｂと、その外側に各々配置された一対の外側固定電極１１１ａ，１１２ａと、その内側に各々配置された一対の内側固定電極１１１ｂ，１１２ｂとで構成されている。他側電極セルＡ２は、重錘体１０１の他側に設けられた一対の可動電極１０２ａ，１０２ｂと、その外側に各々配置された一対の外側固定電極１２１ａ，１２２ａと、その内側に各々配置された一対の内側固定電極１２１ｂ，１２２ｂとで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 製造工程に新たな工程を追加することなく、スティクションが発生し難い静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持基板１０９と、支持基板１０９上の固定電極１０４、１０５と、ばね性を有し、支持基板１０９に固定アンカ１０６、１０６を介して固定される梁部１０２、１０２と、２つの梁部１０２の間にあって、可動電極１０３を有する質量部１１１とを含み、２つの固定アンカ１０６同士を結ぶ仮想的な直線を質量部１１１に平行移動させた直線ｒによって質量部１１１を第１質量部１１０と第２質量部１２０とに分けた場合、第１質量部１１０と第２質量部１２０の質量とが異なるように加速度センサを構成する。 （もっと読む）

【課題】機械構造及びこれらの機械構造を基板に固定するためのアンカーを含むＭＥＭＳ装置及びその製造技術を提供する。
【解決手段】アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの解放プロセスによる影響を比較的受け難い材料で形成される。エッチング解放プロセスは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃをアンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃを構成する材料に固定する材料に対し、選択的又は優先的である。更に、アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、絶縁層の除去が機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの基板１４に対する固定にほとんど又は全く影響を及ぼさないように基板１４に固定される。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極が同一層に形成され、可動部の変位が支持基板の厚さ方向に対して生じるセンサの場合、可動部の変位の大きさを検出することができても、変位の方向を検出することができない。
【解決手段】半導体物理量検出センサに、(1) 可動電極と、前記可動電極と共通の第一の導電層に形成された第一の固定電極とで形成される第一の静電容量と、(2) 可動電極と、前記可動電極とは基板面上からの高さが異なる第二の導電層に形成された第二の固定電極とで形成される第二の静電容量と、(3) 物理量が印加されたときに生じる第一及び第二の静電容量の変化に基づいて物理量を算出する演算回路とを設ける。ここで、第一の静電容量からの電気信号と第二の静電容量からの電気信号が、それぞれ演算回路に入力される。 （もっと読む）