【課題】電子回路とＭＥＭＳとを一般的な半導体製造技術を用いて一体化することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に設けられた電子回路と、電子回路が設けられた領域とは別の領域に設けられ少なくとも圧電体を含むＭＥＭＳを備える。電子回路の上部には多層の層間絶縁膜と、これら層間絶縁膜の所定領域に形成されたビアホールと、ビアホールに形成された第１金属プラグ、第２金属プラグ、第３金属プラグ、第４金属プラグを備える。ＭＥＭＳの上部には多層の層間絶縁膜とほぼ同じ厚みを有する堆積膜を備え、堆積膜はＭＥＭＳの構造体の一部となる。 （もっと読む）

【課題】外乱振動に対する優れた耐振・耐衝撃性能を有する圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】本発明によるヨーレートセンサ装置１は、圧電素子２を有するセンサ部を含むセンサ保持体５と、センサ保持体５の外周の少なくとも一部に近接して配置されたセンサ保持体の所定方向の変位を抑制する抑制体４とを備える。センサ保持体５は、底面１４の延在方向と平行な方向に延在し厚さｔを有する、ステンレスやシリコン等からなる一枚の板である。 （もっと読む）

【課題】加速度センサ，角速度センサのそれぞれの検出感度を低下させない圧力で封止した複合センサの製造方法を提供する。
【解決手段】加速度センサの可動体と角速度センサの振動体とを壁で隔てて、同一のセンサウエハ上に作製する。加速度センサ，角速度センサの可動機構に対応したギャップを設けたキャップウエハを形成し、角速度センサのギャップ内に複数に分割した吸着材を配置する。センサウエハとキャップウエハとを吸着材の活性化しない温度，希ガス，活性ガスの大気雰囲気下で接合した後、分割した吸着材を順次活性化させて、活性ガスを吸着させて、角速度センサ内圧力を調整して、複合センサウエハを作製する。その後、ダイアモンド砥石による切断，回路基板，配線基板を実装して、複合センサを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｚ軸方向に厚みを備えたダブルＴ型圧電振動片を有し、Ｘ軸回りの角速度を検出することができる物理量検出素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る物理量検出素子１００では、一対の第１駆動振動腕の一方３０ａと他方３０ｂとは、第１位相でＺ軸方向に屈曲振動し、一対の第２駆動振動腕の一方４０ａと他方４０ｂとは、第１位相と逆位相の第２位相でＺ軸方向に屈曲振動し、Ｘ軸回りの回転の角速度により発生するコリオリ力によって、一対の第１駆動振動腕３０ａ，３０ｂと一対の第２駆動振動腕４０ａ，４０ｂとは、互いに逆位相でＹ軸方向に振動し、一対の第１駆動振動腕３０ａ，３０ｂおよび一対の第２駆動振動腕４０ａ，４０ｂのＹ軸方向への振動によって、一対の検出振動腕の一方２０ａと他方２０ｂとは、互いに逆位相でＸ軸方向に屈曲振動する。 （もっと読む）

【課題】部品点数の増加や処理負荷の増大を抑え、集積化に好適な物理量測定装置及び電子機器等を提供する。
【解決手段】物理量測定装置は、測定すべき物理量に応じて、互いに検出軸が異なる検出信号を所与の基準電位を基準に出力する複数のセンサーと、複数のセンサーを構成する各センサーに対応して設けられ、各センサーからの検出信号の高周波数帯域を通過させる、各々がスイッチトキャパシター回路を用いて構成された複数のハイパスフィルターとを含み、複数のセンサーのうち少なくとも１つのセンサーの基準電位と、複数のハイパスフィルターの各ハイパスフィルターを構成する回路の接地電位とが同電位に設定されている。 （もっと読む）

【課題】実装基板に対する振動片の平行度を確保することができる圧電デバイス、振動ジ
ャイロを提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電デバイス１０は、第一の金属膜を表面に有する第一、第二及び
第三のバンプを含み、前記第一、第二及び第三のバンプを第一の面に有する半導体デバイ
ス４０と、第二の金属膜を有し、前記第二の金属膜を介して前記第一の金属膜に接続され
た圧電振動片６０と、を備え、前記第一、第二及び第三のバンプの前記第一の面から頂部
までの高さは、それぞれ同じであり、前記第三のバンプの重心は、前記第一のバンプの重
心と前記第二のバンプの重心とを結んだ場合に形成される直線から離間していることを特
徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、各種電子機器に用いられる角速度センサユニットに関し、角速度の検出精度の向上を目的とする。
【解決手段】本発明は角速度センサ素子２をパッケージ１の内部空間に防振部材８を介して懸架する角速度センサユニットにおいて、防振部材８をパッケージ１との接続部８ｃと台座９との接続部８ｄとこれら接続部８ｃ，８ｄ間に位置する懸架部８ｅとに分け、懸架部８ｅの重心位置１２の高さを角速度センサ素子２、台座９および防振部材８における台座９との接続部８ｄからなる複合体の重心位置１３の高さと一致させた構造とした。 （もっと読む）

【課題】力の検出軸方向に対し圧電センサーの主面が直交するように、振動型慣性センサ
ーチップの圧電センサーの主平面と、これを収容するパッケージの外部底面とが平行にな
るような慣性センサーを提供する。
【解決手段】慣性センサー１は、圧電センサー１０と圧電センサー１０を支持する第１支
持面及び第２支持面を有した支持基板２０とを備えた振動型の慣性センサーチップ３と、
慣性センサーチップ３を支持台４を介して片持ち梁の状態で搭載する基台５と、慣性セン
サーチップ３と基台５とを同一空間内に収容する空間を備えたパッケージ７と、を備えて
おり、基台５は圧電デバイス６を一体的に備えている慣性センサー１である。 （もっと読む）

【課題】 圧電素子の形成位置の精度を高め、モーションセンサの歩留まりを向上させる。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の上面に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上面に前記下電極層を形成し、前記下電極層の上面に前記圧電層を形成し、前記圧電層の上面に前記上電極層を形成し、平面視において前記可撓部の対向する二辺と重なる二辺を有し前記二つの縁領域を覆い前記二つの縁領域の間の領域を露出させた第一保護膜を前記上電極層の上面に形成し、前記第一保護膜を用いて前記上電極層と前記圧電層と前記下電極層とをエッチングし、前記第一保護膜を除去し、平面視において前記可撓部の前記二つの縁領域の間の領域を覆う第二保護膜を形成し、前記第二保護膜と前記上電極層とを用いて前記絶縁層をエッチングし、前記第二保護膜を除去し、前記絶縁層と前記上電極層とを用いて前記基板を異方性エッチングする。 （もっと読む）

【課題】小型化かつ、接続信頼性の向上を図った圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方
法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電デバイス１０は、接続用電極パッド６４を備えた圧電振動片６
０と、前記接続用電極パッド６４と電気的に接続すると共に前記圧電振動片６０を支持す
る電極パターン５０を備えた半導体デバイス４０とを備え、前記電極パターン５０は一方
の端部を前記半導体デバイス４０のパッドと接続させ、他方の端部を前記接続用電極パッ
ド６４と接続させ、前記一方の端部と前記他方の端部の間に前記半導体デバイス４０の一
方の主面４３から離反する方向に立ち上がる屈曲部５２を形成し、前記一方の主面４３と
前記電極パターン５０の間の屈曲部５２に樹脂を形成したことを特徴としている。 （もっと読む）