圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
【課題】小型化かつ、接続信頼性の向上を図った圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方
法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電デバイス１０は、接続用電極パッド６４を備えた圧電振動片６
０と、前記接続用電極パッド６４と電気的に接続すると共に前記圧電振動片６０を支持す
る電極パターン５０を備えた半導体デバイス４０とを備え、前記電極パターン５０は一方
の端部を前記半導体デバイス４０のパッドと接続させ、他方の端部を前記接続用電極パッ
ド６４と接続させ、前記一方の端部と前記他方の端部の間に前記半導体デバイス４０の一
方の主面４３から離反する方向に立ち上がる屈曲部５２を形成し、前記一方の主面４３と
前記電極パターン５０の間の屈曲部５２に樹脂を形成したことを特徴としている。
法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電デバイス１０は、接続用電極パッド６４を備えた圧電振動片６
０と、前記接続用電極パッド６４と電気的に接続すると共に前記圧電振動片６０を支持す
る電極パターン５０を備えた半導体デバイス４０とを備え、前記電極パターン５０は一方
の端部を前記半導体デバイス４０のパッドと接続させ、他方の端部を前記接続用電極パッ
ド６４と接続させ、前記一方の端部と前記他方の端部の間に前記半導体デバイス４０の一
方の主面４３から離反する方向に立ち上がる屈曲部５２を形成し、前記一方の主面４３と
前記電極パターン５０の間の屈曲部５２に樹脂を形成したことを特徴としている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に圧電振動片と半導体デバイスを備えた圧電デバイス及び圧電デバイスの
製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像手段の手振れ検出やカーナビゲーションの方向検出に利用される振動ジャイロなど
の圧電デバイスは、需要が様々な分野に拡大すると共に、小型化などの要求がなされてい
る。
【０００３】
このような小型化が要求される圧電振動片を半導体デバイスに実装する際、圧電振動片
の支持部を強固に接合すると感度が低下してしまう。しかしながらデバイス全体に作用す
る落下衝撃に耐えうる構造でなくてはならない。
【０００４】
また圧電振動片の支持部とパッケージ側の接合箇所は、電気的な接続端子の役割をなす
と共に、互いに固定支持する役割をなすものであるが、デバイス全体の小型化の要請とと
もに、支持部も極小化されることになる。
【０００５】
図７は従来の振動ジャイロの説明図である。図７（１）に示す従来の振動ジャイロ１０
０は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板１０２の複数のボ
ンディングリード１０４をオーバーハングさせ、ＴＡＢ基板１０２に形成したデバイスホ
ール１０６からボンディングリード１０４を上方に立ち上げたリードの先端部にジャイロ
振動片１０８を搭載し、かつ、ジャイロ振動片１０８が搭載されたＴＡＢ基板１０２をジ
ャイロ本体となるパッケージ基板１１０に電気的に接合させた構造である（例えば特許文
献１）。
【０００６】
また図７（２）に示すような圧電デバイス２００は、圧電振動片２０２を支持する支持
枠２０４を圧電振動片２０２の外周を囲むように同一平面上に形成している。支持枠２０
４には圧電振動片２０２の電極と電気的に接続させた端子電極が形成されている。そして
支持枠２０４をパッケージ２０６にＡｇ（銀）ペースト２０８などの接着手段を用いて電
気的に接合した構造である。
【０００７】
さらに特許文献２に示す電子部品は、水晶片に形成されたバンプ電極が、弾性を有する
コア部と、コア部の表面に設けられた導電膜とを有している。このバンプ電極をパッケー
ジ本体の接続電極に実装する際、コア部の弾性変形により導電膜と接続電極とが導電接触
する構造である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−５８２５８号公報
【特許文献２】特開２００９−１１８４５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら特許文献１のような振動ジャイロの場合、圧電振動片と半導体デバイスの
間にＴＡＢ基板が必要となる。このＴＡＢ基板は厚みがあるため、デバイス全体の厚みサ
イズも厚くなってしまうという問題がある。また圧電デバイスの端子からＩＣ端子までの
接続の過程でＡｇペーストによる接続箇所が２箇所あり、電気的に不安定となる。またオ
ーバーハングさせているボンディングリードは配線長さが非常に長くなるという問題があ
る。さらにＴＡＢ基板と圧電振動片を接続するためにＡｕバンプが必要となる。また圧電
振動片の支持部の接続領域が大きいという問題がある。
図７（２）に示すような圧電デバイスの場合、振動片を支持する枠部に相当する面積が
必要となり、小型化の要請に反してデバイス全体が大きくなるという問題がある。
【００１０】
また特許文献２に示す電子部品の場合、機能片（デバイス）に設けられたバンプを相手
側の接続電極に弾性変形させて接続されているため、機能片に応力が加えられる。よって
電気的に接続された状態で機能片が外的要因で平面方向に揺らされた場合、接着箇所にそ
の応力が集中してしまい、破壊され易い構造である。またジャイロ振動片でいう駆動、検
出などの複数の振動機能を備えた振動片の場合、振動の節部分であっても、接続用配線パ
ターンと接着層を介して電気的に接続される部分は剛体化してしまい、振動漏れを招くこ
とになるという問題があった。
【００１１】
そこで本発明は、上記従来技術の問題点を解決するため、小型化を図りつつ、接続信頼
性の向上を図った圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的として
いる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］接続用電極パッドを形成した圧電振動片と、前記接続用電極パッドと電気
的に接続すると共に、前記圧電振動片を支持する電極パターンを形成した半導体デバイス
とを備え、前記電極パターンは、一方の端部を前記半導体デバイスのパッドと接続させ、
他方の端部を前記接続用電極パッドと接続させ、前記一方の端部と前記他方の端部の間に
前記半導体デバイスの一方の主面から離反する方向に立ち上がる屈曲部を形成し、前記一
方の主面と前記電極パターンの間の屈曲部に樹脂を形成したことを特徴とする圧電デバイ
ス。
【００１３】
上記構成によれば、圧電振動片を半導体デバイス上に屈曲部を備えた電極パターンによ
り中空に浮かせた形態で直接接合する構成であるため、従来のようなＴＡＢ基板を用いる
ことがない。また配線パターンは低背形状であるため、デバイス全体の小型化、低背化を
図ることができる。
【００１４】
半導体デバイスの配線パターンの端部と接続用電極パッドを直に接続させているため、
配線長さを短くすることができ電気的特性を安定化させることができる。また圧電振動片
と半導体デバイスとの接合領域を小さくすることができる。
屈曲部の立ち上がり部分に樹脂を形成しているため、屈曲部の強度を補強して、圧電振
動片との電気的接続の信頼性及び支持固定の強度を保持することができる。
【００１５】
［適用例２］前記電極パターンは、前記屈曲部から前記他方の端部の間に凹凸部を形成
したことを特徴とする適用例１に記載の圧電デバイス。
上記構成によれば、半導体デバイスの一方の主面から離反する方向に立ち上がった屈曲
部の強度を補強することができる。従ってデバイス全体の落下衝撃に耐えうることができ
る。また平面形状に比べてパターン幅を狭く形成することができる。圧電振動片と半導体
デバイスの接続領域を小さくすることができる。
【００１６】
［適用例３］接続用電極パッドを形成した圧電振動片と、前記接続用電極パッドと電気
的に接続すると共に、前記圧電振動片を支持する電極パターンを形成した半導体デバイス
を備えた圧電デバイスの製造方法であって、一方の端部を前記半導体デバイスのパッドと
接続させ、他方の端部を前記接続用電極パッドと接続させ、前記一方の端部と前記他方の
端部の間に前記半導体デバイスの一方の主面から離反する方向に立ち上がる屈曲部を形成
し、前記一方の主面と前記電極パターンの間の屈曲部に樹脂を形成した前記電極パターン
の前記他方の端部に導電性接着材を塗布して、前記接続用電極パッドを前記電極パターン
上に搭載して、加熱圧着して接合させたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【００１７】
上記方法によれば、圧電振動片を半導体デバイス上に屈曲部を備えた電極パターンによ
り中空に浮かせた形態で直接接合する構成であるため、従来のようなＴＡＢ基板を用いる
ことがなく、また配線パターンは低背形状であるため、小型化、低背化を図った圧電デバ
イスが得られる。
【００１８】
半導体デバイスの配線パターンの端部と接続用電極パッドを直に接続させているため、
配線長さを短くすることができ電気的特性を安定化させた圧電デバイスが得られる。
屈曲部の立ち上がり部分に樹脂を形成しているため、屈曲部の強度を補強して、圧電振
動片との電気的接続の信頼性及び支持固定の強度を保持することができる圧電デバイスが
得られる。
【００１９】
［適用例４］前記電極パターンの樹脂は、樹脂コアをエッチングして前記一方の主面と
前記電極パターンの間に一部残すように形成したことを特徴とする適用例３に記載の圧電
デバイスの製造方法。
上記方法により形成された樹脂は、屈曲部の立ち上がり部分の強度を補強することがで
きる。従ってデバイス全体にかかる落下衝撃に耐えうることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の圧電デバイスの構成概略を示す図であり、（１）は平面図を示し、（２）は（１）中のＡ−Ａ断面図を示している。
【図２】図２は振動ジャイロの回路部の平面図を示している。
【図３】電極パターンの部分拡大図である。
【図４】電極パターンの形成方法の説明図である。
【図５】圧電デバイスの変形例１を示す説明図である。
【図６】圧電デバイスの変形例２を示す説明図である。
【図７】従来の圧電デバイスを示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法の実施形態を添付の図面を参照しな
がら以下詳細に説明する。
図１は本発明の圧電デバイスの構成概略を示す図であり、（１）は平面図を示し、（２
）は（１）中のＡ−Ａ断面図を示している。図２は振動ジャイロの回路部の平面図を示し
ている。なお図１（１）、図２では、リッド及び接合材の図示を省略している。本発明の
圧電デバイス１０は、一例として振動ジャイロ１２に適用した場合について以下説明する
。
【００２２】
振動ジャイロ１２は、段差を有する凹部２２が形成されたパッケージ２０の底部に接合
された半導体デバイス４０となるＩＣ素子４２と、ＩＣ素子４２の上方に固定された圧電
振動片６０となるジャイロ振動片６２とを主な基本構成としている。パッケージ２０の開
口２４の上面には、リッド１８が接合されてパッケージ２０内部を気密に封止させている
。
【００２３】
セラミック等で形成されたパッケージ２０は、平板状の第１基板２６と、開口部の大き
さが異なる矩形の第２基板２８、第３基板３０とが下方から順に積層され、段差を有する
凹部２２が形成されている。第１基板２６上の略中央にはＡｕ（金）などの金属からなる
ダイパッド３２が形成され、底面には複数の外部接続電極３４が形成されている。第２基
板２８の上面には、ＩＣ素子４２と電気的に接続される複数の回路接続電極３６が形成さ
れている。外部接続電極３４と回路接続電極３６は、図示しない内部配線やスルーホール
（貫通電極）などにより、回路配線を形成するように電気的に接続されている。
【００２４】
パッケージ２０の凹部２２に形成されたダイパッド３２上には、振動ジャイロ１２の駆
動回路や検出回路などの集積回路が形成されたＩＣ素子４２が銀ペーストなどの導電性接
着材（不図示）などにより電気的に接着固定されている。ＩＣ素子４２の上面には複数の
パッド４４が形成されている。
ＩＣ素子４２には、電極パターン５０が形成されており、パッド４４とジャイロ振動片
６２の接続用電極パッド６４を電気的に接続させている。
【００２５】
図３は電極パターンの部分拡大図である。電極パターン５０は、図示のようにＩＣ素子
４２の一方の主面４３から離反する方向に立ち上がった屈曲部５２を備え、一方の主面４
３から立ち上がった自由端となる他方の端部５０ｂ上でジャイロ振動片６２の接続用パッ
ド６４と導電性接着材９０を介して電気的な接続を行うと共に、振動片を直に固定支持す
る役割をなしている。
【００２６】
図４は電極パターンの形成方法の説明図である。
予めＩＣ素子４２の一方の主面４３には、圧電振動片６０と電気的に接続させるための
複数のパッド４４が形成されている。さらにパッド４４の外周に沿って表面の一部が露出
するように基板上を絶縁膜４７で被膜している。
【００２７】
ジャイロ振動片６２を実装するＩＣ素子４２の一方の主面４３上の実装箇所に樹脂コア
５３を形成する。樹脂コア５３は、一例としてポリイミド樹脂やアクリル樹脂、シリコー
ン樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂、熱硬化性絶縁樹脂を用いることができる。
樹脂コア５３を矩形状に塗布した後、加熱すると略蒲鉾状、すなわちＩＣ素子４２との接
触面が平面状であり、非接触面が曲線状に隆起し、断面形状が半円状、台形状、半楕円状
に形成される。
【００２８】
ＩＣ素子４２の一方の主面４３の基板上をＴｉＷ（チタン／タングステン）材料で蒸着
又はスパッタリングするなどしてＴｉＷ膜５４を形成する。そしてＩＣ素子４２の基板上
に形成されたＴｉＷ膜５４の被膜上にＡｕ（金）材料で蒸着又はスパッタリングするなど
してＡｕ膜５５を形成する。
【００２９】
さらにＡｕの被膜上にＣｕ（銅）で電界メッキ及びＡｕで電界メッキ（不図示）を行う
。なおＡｕメッキ処理の前処理としてＮｉ（ニッケル）メッキ処理を施しても良い。これ
により所望の膜厚を有する金属接合膜が形成される。
【００３０】
メッキ処理を行った後、図４（１）に示すように、電極パターン５０を形成する箇所に
レジスト材料をディップコーティングなどで塗布し、マスキングをして、感光し、露光・
現像することによりレジスト膜５６を形成する。電極パターン５０の一方の端部はパッド
４４と接続し、他方の端部５０ｂは搭載するジャイロ振動片６２の接続用電極パッド６４
と対向する箇所に形成するため、この領域を覆うようにレジスト膜５６を形成する。この
とき樹脂コア５３上のレジスト膜５６の端部は略蒲鉾状の頂点位置と略重なる位置となる
ように形成している。
【００３１】
そして図４（２）に示すように、Ａｕ膜のエッチング処理を行ってレジスト膜５６から
露出しているＡｕ膜５５を除去する。
次に図４（３）に示すようにＴｉＷ膜５４のエッチング処理を行う。これによりレジス
ト膜５６で覆われた電極パターン５０が形成され、円弧状の樹脂コア５３の一部が露出す
る。
【００３２】
ついで図４（４）に示すように一部露出した樹脂コア５３に対して等方性プラズマを用
いてエッチングしていく。このとき、電極パターン５０の屈曲部５２と接触する樹脂コア
５３の一部が残るようにエッチングする。これにより、一方の主面４３と電極パターン５
０の間の屈曲部５２に樹脂５７が形成されて屈曲部５２を補強することができる。
【００３３】
最後に図４（５）に示すように電極パターン５０上のレジスト膜５６を剥離して電極パ
ターン５０を露出させる。
このような電極パターン５０はＩＣ素子４２の対向する短辺側のパッド４４から中心に
向かって形成されている。電極パターン５０は、ＩＣ素子４２を短辺方向に二等分する中
心線に対して線対称に形成されている。これにより本実施形態の複数の電極パターン５０
はそれぞれ中心点に対して点対称な対をなすとともに、所定の間隔を開けて３対形成され
ている。電極パターン５０は、端部のパッド４４から先端に向かう途中で屈曲させて形成
させている。各電極パターン５０のそれぞれの他方の端部５０ｂの先端部分は、ジャイロ
振動片６２の複数の接続用電極パッド６４のそれぞれと対応する位置に合わせて形成され
ている。
【００３４】
また電極パターン５０の各他方の端部５０ｂの上面は、ジャイロ振動片６２の支持部７
４に形成された対応する接続用電極パッド６４と接合されて、それぞれが電気的に接続さ
れている。従って、ジャイロ振動片６２は、その下面の各接続電極用パッド６４以外がパ
ッケージ２０内で接触しない状態で支持されている。
【００３５】
なお、ＩＣ素子４２上のパッド４４は、一方の主面４３に形成した形態で説明したが、
他方の主面に形成されたパッドと貫通電極を介して電極パターン５０と電気的に接続させ
た構成であってもよい。
【００３６】
パッド４４とパッケージ２０の第２基板２８上に形成された複数の回路接続電極３６と
は、ボンディングワイヤ４６により接続され、回路部４８が形成されている。
パッケージ２０の第３基板３０の上面にシームリングなどの接合材１６を介してリッド
１８が接合される。
【００３７】
ジャイロ振動片６２は、駆動モード、検出モード、スプリアスモードの３つのモードで
動作するため、駆動モードに供する第１の駆動アーム６６ａ、６６ｂ及び、第２の駆動ア
ーム６８ａ、６８ｂと、検出モードに供する検出アーム７０ａ、７０ｂと連結アーム７２
ａ、７２ｂと、支持部７４とを主な基本構成としている。
【００３８】
一対の連結アーム７２ａ、７２ｂは、四角板状を有する支持部７４の両面側中央箇所か
らそれぞれの軸線が一致するようにそれぞれ反対方向に直線状に延出している。連結アー
ム７２ａの一端は第１の駆動アーム６６ａ、６６ｂの延在方向中心位置に接続されている
。一方連結アーム７２ｂの一端は、第２の駆動アーム６８ａ、６８ｂの延在方向中心位置
に接続されている。第１の駆動アーム６６ａ、６６ｂと第２の駆動アーム６８ａ、６８ｂ
の各主面には、それぞれ細長い溝が形成されて横断面形状が略Ｈ型となっており、溝内に
駆動電極７６が形成されている。また第１の駆動アーム６６ａ、６６ｂと第２の駆動アー
ム６８ａ、６８ｂの各先端にはそれぞれ幅を広く形成された重量部７８が設けられている
。
【００３９】
検出アーム７０ａ、７０ｂは、支持部７４の中心をその軸線が通じるように、支持部７
４の両側面中央箇所から直線状に延出している。また検出アーム７０ａ、７０ｂの各主面
には、それぞれ細長い溝が形成されて横断面形状が略Ｈ型となっており、溝内に検出電極
８０が形成されている。支持部７４は連結アーム７２ａ、７２ｂと検出アーム７０ａ、７
０ｂとの接続点を含む所定の面積を有する板状部であり、ジャイロ振動片６２をＩＣ素子
４２上で支持する構造となっている。また支持部７４の裏面側（ＩＣ素子４２との実装面
側）にはＩＣ素子４２の電極パターン５０の他方の端部５０ｂと対応する複数の接続用電
極パッド６４が設けられている。接続用電極パッド６４は、駆動電極７６及び検出電極８
０と電気的に接続させている。検出アーム７０ａ、７０ｂの各先端にはそれぞれ幅を広く
形成された重量部８２が設けられている。
【００４０】
上記構成による圧電デバイスの製造方法について以下説明する。
パッケージ２０の凹部２２の上面に形成されたダイパッド３２にＡｇペーストなどの導
電性接着材を塗布した後、ＩＣ素子４２を接着固定する。そしてワイヤボンディングによ
り、ＩＣ素子４２の上面に形成された複数のパッド４４と対応するパッケージ２０の回路
接続電極３６とをボンディングワイヤ４６により電気的に接続して回路部４８を形成する
。このときＩＣ素子４２の一方の主面４３上には予め電極パターン５０が図４の形成方法
に従って形成されている。
【００４１】
次に電極パターン５０の他方の端部５０ｂ上に導電性接着材９０を塗布して、ジャイロ
振動片６２の接続用電極パッド６４と、対応する電極パターン５０の他方の端部５０ｂを
位置合わせする。なお導電性接着材９０にはＡｇペーストなどを用いることができる。電
極パターン５０の他方の端部５０ｂ上に塗布された導電性接着材９０は屈曲部５２から立
ち上がった円弧状の面に沿って下方へと濡れ広がり易く、振動片に対する濡れ面積を小さ
くして接合させることができる。
そして所定温度の熱圧着ツールを所定の圧力で圧しつけることで両者を接合する。
【００４２】
ついでパッケージ２０の上面開口２４を塞ぐようにシームリングなどの接合材１６を介
してリッド１８を位置決めして仮固定し、シーム溶接することなどによりリッド１８を固
定して、パッケージ２０内部を気密に封止する。このようにして圧電デバイス１０が形成
される。
【００４３】
このような本発明の圧電デバイスによれば、圧電振動片を半導体デバイス上に屈曲部を
備えた電極パターンにより中空に浮かせた形態で直接接合する構成であるため、従来のよ
うなＴＡＢ基板を用いることがない。また配線パターンは低背形状であるため、デバイス
全体の小型化、低背化を図ることができる。
【００４４】
半導体デバイスの配線パターンの端部と接続用電極パッドを接続させているため、配線
長さを短くすることができ電気的特性を安定化させることができる。また圧電振動片と半
導体デバイスとの接合領域を小さくすることができる。
屈曲部の立ち上がり部分に樹脂を形成しているため、屈曲部の強度を補強して、圧電振
動片との電気的接続の信頼性及び支持固定の強度を保持することができる。
【００４５】
半導体デバイスと圧電振動片との電気的接続の過程で、導電性接着材による接続は１工
程であり電気的特性を安定化させることができる。また従来のように圧電振動片と半導体
デバイスとの接続にバンプを設ける必要がないため、製造工程を簡略化することができる
。
【００４６】
本発明の配線パターンによる接続では、振動片が外的要因で平面方向に揺さぶられた場
合に、屈曲部で立ち上がった中空状の電極パターンでその変位を吸収することができ、導
電性接着材に応力が集中することがない。またジャイロ振動片の駆動電極と検出電極の間
の支持部に電極パターン及び導電性接着材を介した接続部があるため、駆動アーム側で発
生した意図しない機械的振動を吸収することができ、検出アームに伝わるおそれがない。
【００４７】
図５は圧電デバイスの変形例１の説明図である。
変形例１の圧電デバイスは、電極パターン５００に段差状の凹凸部５８を形成している
。この凹凸部５８は屈曲部５２から他方の端部５００ｂの間に形成している。
【００４８】
電極パターン５００の凹凸部５８は、電極パターン５００の形成箇所に塗布する樹脂コ
ア５３の一部に溝５９などの凹凸を設けることにより形成することができる。図５（１）
に示すような溝５９の形成は、樹脂コア５３の塗布量又は塗布面積を制御することにより
形成することができる。また塗布した後、樹脂コア５３を溝状に切削することにより形成
することもできる。
【００４９】
次に図５（２）に示すように溝上に金属膜を形成する。具体的には図４の形成方法と同
様に、樹脂コア５３の溝５９を覆うようにＴｉＷ膜とＡｕ膜の被膜、及び形成した金属被
膜上にＣｕメッキとＡｕメッキを施した金属膜５０２を被膜形成する。
【００５０】
以後、図４に示すレジスト膜以降の処理を同様に行うことにより図５（３）に示すよう
な凹凸部５８と樹脂５７を備えた電極パターン５００を形成することができる。
なお凹凸部は、凹上に形成した構成のほかにも凸状、線状、円又は錐などの点状に形成
するようにしてもよい。
【００５１】
上記構成による電極パターン５００を用いた場合、パターンの強度を補強すると共に、
圧電振動片との接続領域を小さくすることができる。また圧電振動片と半導体デバイスと
の電気的接続の配線距離が短くなり電気的に安定化する。従ってデバイス全体を小型化す
ることができる。
また電極パターン５００の他方の端部５０ｂに導電性接着材を塗布した場合、凹凸部５
８に接着材が収まるため、接着材の位置決めが容易に行なえる。
【００５２】
図６は圧電デバイスの変形例２の説明図である。
図３に示す電極パターン５０は、圧電振動片６０を実装する電極として説明したが、配
線パターンは、このほかにも実装基板上に実装する際の実装端子９２としても適用するこ
とができる。具体的に変形例２の圧電デバイスは、図示のように半導体デバイス４０の実
装面に形成した配線パターンを実装端子９２としている。
【符号の説明】
【００５３】
１０………圧電デバイス、１２………振動ジャイロ、１６………接合材、１８………リッ
ド、２０………パッケージ、２２………凹部、２４………開口、２６………第１基板、２
８………第２基板、３０………第３基板、３２………ダイパッド、３４………外部接続電
極、３６………回路接続電極、４０………半導体デバイス、４２………ＩＣ素子、４３…
……一方の主面、４４………パッド、４６………ボンディングワイヤ、４７………絶縁膜
、４８………回路部、５０，５００………電極パターン、５２………屈曲部、５３………
樹脂コア、５４………ＴｉＷ膜、５５………Ａｕ膜、５６………レジスト膜、５７………
樹脂、６０………圧電振動片、６２………ジャイロ振動片、６４………接続用電極パッド
、６６ａ，６６ｂ………第１の駆動アーム、６８ａ，６８ｂ………第２の駆動アーム、７
０ａ，７０ｂ………検出アーム、７２ａ，７２ｂ………連結アーム、７４………支持部、
７６………駆動電極、７８………重量部、８０………検出電極、８２………重量部、９０
………導電性接着材、９２………実装端子、１００………振動ジャイロ、１０２………Ｔ
ＡＢ基板、１０４………ボンディングリード、１０６………デバイスホール、１０８……
…ジャイロ振動片、１１０………パッケージ基板、２００………圧電デバイス、２０２…
……圧電振動片、２０４………支持枠、２０６………パッケージ、２０８………Ａｇペー
スト。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に圧電振動片と半導体デバイスを備えた圧電デバイス及び圧電デバイスの
製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像手段の手振れ検出やカーナビゲーションの方向検出に利用される振動ジャイロなど
の圧電デバイスは、需要が様々な分野に拡大すると共に、小型化などの要求がなされてい
る。
【０００３】
このような小型化が要求される圧電振動片を半導体デバイスに実装する際、圧電振動片
の支持部を強固に接合すると感度が低下してしまう。しかしながらデバイス全体に作用す
る落下衝撃に耐えうる構造でなくてはならない。
【０００４】
また圧電振動片の支持部とパッケージ側の接合箇所は、電気的な接続端子の役割をなす
と共に、互いに固定支持する役割をなすものであるが、デバイス全体の小型化の要請とと
もに、支持部も極小化されることになる。
【０００５】
図７は従来の振動ジャイロの説明図である。図７（１）に示す従来の振動ジャイロ１０
０は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板１０２の複数のボ
ンディングリード１０４をオーバーハングさせ、ＴＡＢ基板１０２に形成したデバイスホ
ール１０６からボンディングリード１０４を上方に立ち上げたリードの先端部にジャイロ
振動片１０８を搭載し、かつ、ジャイロ振動片１０８が搭載されたＴＡＢ基板１０２をジ
ャイロ本体となるパッケージ基板１１０に電気的に接合させた構造である（例えば特許文
献１）。
【０００６】
また図７（２）に示すような圧電デバイス２００は、圧電振動片２０２を支持する支持
枠２０４を圧電振動片２０２の外周を囲むように同一平面上に形成している。支持枠２０
４には圧電振動片２０２の電極と電気的に接続させた端子電極が形成されている。そして
支持枠２０４をパッケージ２０６にＡｇ（銀）ペースト２０８などの接着手段を用いて電
気的に接合した構造である。
【０００７】
さらに特許文献２に示す電子部品は、水晶片に形成されたバンプ電極が、弾性を有する
コア部と、コア部の表面に設けられた導電膜とを有している。このバンプ電極をパッケー
ジ本体の接続電極に実装する際、コア部の弾性変形により導電膜と接続電極とが導電接触
する構造である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−５８２５８号公報
【特許文献２】特開２００９−１１８４５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら特許文献１のような振動ジャイロの場合、圧電振動片と半導体デバイスの
間にＴＡＢ基板が必要となる。このＴＡＢ基板は厚みがあるため、デバイス全体の厚みサ
イズも厚くなってしまうという問題がある。また圧電デバイスの端子からＩＣ端子までの
接続の過程でＡｇペーストによる接続箇所が２箇所あり、電気的に不安定となる。またオ
ーバーハングさせているボンディングリードは配線長さが非常に長くなるという問題があ
る。さらにＴＡＢ基板と圧電振動片を接続するためにＡｕバンプが必要となる。また圧電
振動片の支持部の接続領域が大きいという問題がある。
図７（２）に示すような圧電デバイスの場合、振動片を支持する枠部に相当する面積が
必要となり、小型化の要請に反してデバイス全体が大きくなるという問題がある。
【００１０】
また特許文献２に示す電子部品の場合、機能片（デバイス）に設けられたバンプを相手
側の接続電極に弾性変形させて接続されているため、機能片に応力が加えられる。よって
電気的に接続された状態で機能片が外的要因で平面方向に揺らされた場合、接着箇所にそ
の応力が集中してしまい、破壊され易い構造である。またジャイロ振動片でいう駆動、検
出などの複数の振動機能を備えた振動片の場合、振動の節部分であっても、接続用配線パ
ターンと接着層を介して電気的に接続される部分は剛体化してしまい、振動漏れを招くこ
とになるという問題があった。
【００１１】
そこで本発明は、上記従来技術の問題点を解決するため、小型化を図りつつ、接続信頼
性の向上を図った圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的として
いる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］接続用電極パッドを形成した圧電振動片と、前記接続用電極パッドと電気
的に接続すると共に、前記圧電振動片を支持する電極パターンを形成した半導体デバイス
とを備え、前記電極パターンは、一方の端部を前記半導体デバイスのパッドと接続させ、
他方の端部を前記接続用電極パッドと接続させ、前記一方の端部と前記他方の端部の間に
前記半導体デバイスの一方の主面から離反する方向に立ち上がる屈曲部を形成し、前記一
方の主面と前記電極パターンの間の屈曲部に樹脂を形成したことを特徴とする圧電デバイ
ス。
【００１３】
上記構成によれば、圧電振動片を半導体デバイス上に屈曲部を備えた電極パターンによ
り中空に浮かせた形態で直接接合する構成であるため、従来のようなＴＡＢ基板を用いる
ことがない。また配線パターンは低背形状であるため、デバイス全体の小型化、低背化を
図ることができる。
【００１４】
半導体デバイスの配線パターンの端部と接続用電極パッドを直に接続させているため、
配線長さを短くすることができ電気的特性を安定化させることができる。また圧電振動片
と半導体デバイスとの接合領域を小さくすることができる。
屈曲部の立ち上がり部分に樹脂を形成しているため、屈曲部の強度を補強して、圧電振
動片との電気的接続の信頼性及び支持固定の強度を保持することができる。
【００１５】
［適用例２］前記電極パターンは、前記屈曲部から前記他方の端部の間に凹凸部を形成
したことを特徴とする適用例１に記載の圧電デバイス。
上記構成によれば、半導体デバイスの一方の主面から離反する方向に立ち上がった屈曲
部の強度を補強することができる。従ってデバイス全体の落下衝撃に耐えうることができ
る。また平面形状に比べてパターン幅を狭く形成することができる。圧電振動片と半導体
デバイスの接続領域を小さくすることができる。
【００１６】
［適用例３］接続用電極パッドを形成した圧電振動片と、前記接続用電極パッドと電気
的に接続すると共に、前記圧電振動片を支持する電極パターンを形成した半導体デバイス
を備えた圧電デバイスの製造方法であって、一方の端部を前記半導体デバイスのパッドと
接続させ、他方の端部を前記接続用電極パッドと接続させ、前記一方の端部と前記他方の
端部の間に前記半導体デバイスの一方の主面から離反する方向に立ち上がる屈曲部を形成
し、前記一方の主面と前記電極パターンの間の屈曲部に樹脂を形成した前記電極パターン
の前記他方の端部に導電性接着材を塗布して、前記接続用電極パッドを前記電極パターン
上に搭載して、加熱圧着して接合させたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【００１７】
上記方法によれば、圧電振動片を半導体デバイス上に屈曲部を備えた電極パターンによ
り中空に浮かせた形態で直接接合する構成であるため、従来のようなＴＡＢ基板を用いる
ことがなく、また配線パターンは低背形状であるため、小型化、低背化を図った圧電デバ
イスが得られる。
【００１８】
半導体デバイスの配線パターンの端部と接続用電極パッドを直に接続させているため、
配線長さを短くすることができ電気的特性を安定化させた圧電デバイスが得られる。
屈曲部の立ち上がり部分に樹脂を形成しているため、屈曲部の強度を補強して、圧電振
動片との電気的接続の信頼性及び支持固定の強度を保持することができる圧電デバイスが
得られる。
【００１９】
［適用例４］前記電極パターンの樹脂は、樹脂コアをエッチングして前記一方の主面と
前記電極パターンの間に一部残すように形成したことを特徴とする適用例３に記載の圧電
デバイスの製造方法。
上記方法により形成された樹脂は、屈曲部の立ち上がり部分の強度を補強することがで
きる。従ってデバイス全体にかかる落下衝撃に耐えうることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の圧電デバイスの構成概略を示す図であり、（１）は平面図を示し、（２）は（１）中のＡ−Ａ断面図を示している。
【図２】図２は振動ジャイロの回路部の平面図を示している。
【図３】電極パターンの部分拡大図である。
【図４】電極パターンの形成方法の説明図である。
【図５】圧電デバイスの変形例１を示す説明図である。
【図６】圧電デバイスの変形例２を示す説明図である。
【図７】従来の圧電デバイスを示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法の実施形態を添付の図面を参照しな
がら以下詳細に説明する。
図１は本発明の圧電デバイスの構成概略を示す図であり、（１）は平面図を示し、（２
）は（１）中のＡ−Ａ断面図を示している。図２は振動ジャイロの回路部の平面図を示し
ている。なお図１（１）、図２では、リッド及び接合材の図示を省略している。本発明の
圧電デバイス１０は、一例として振動ジャイロ１２に適用した場合について以下説明する
。
【００２２】
振動ジャイロ１２は、段差を有する凹部２２が形成されたパッケージ２０の底部に接合
された半導体デバイス４０となるＩＣ素子４２と、ＩＣ素子４２の上方に固定された圧電
振動片６０となるジャイロ振動片６２とを主な基本構成としている。パッケージ２０の開
口２４の上面には、リッド１８が接合されてパッケージ２０内部を気密に封止させている
。
【００２３】
セラミック等で形成されたパッケージ２０は、平板状の第１基板２６と、開口部の大き
さが異なる矩形の第２基板２８、第３基板３０とが下方から順に積層され、段差を有する
凹部２２が形成されている。第１基板２６上の略中央にはＡｕ（金）などの金属からなる
ダイパッド３２が形成され、底面には複数の外部接続電極３４が形成されている。第２基
板２８の上面には、ＩＣ素子４２と電気的に接続される複数の回路接続電極３６が形成さ
れている。外部接続電極３４と回路接続電極３６は、図示しない内部配線やスルーホール
（貫通電極）などにより、回路配線を形成するように電気的に接続されている。
【００２４】
パッケージ２０の凹部２２に形成されたダイパッド３２上には、振動ジャイロ１２の駆
動回路や検出回路などの集積回路が形成されたＩＣ素子４２が銀ペーストなどの導電性接
着材（不図示）などにより電気的に接着固定されている。ＩＣ素子４２の上面には複数の
パッド４４が形成されている。
ＩＣ素子４２には、電極パターン５０が形成されており、パッド４４とジャイロ振動片
６２の接続用電極パッド６４を電気的に接続させている。
【００２５】
図３は電極パターンの部分拡大図である。電極パターン５０は、図示のようにＩＣ素子
４２の一方の主面４３から離反する方向に立ち上がった屈曲部５２を備え、一方の主面４
３から立ち上がった自由端となる他方の端部５０ｂ上でジャイロ振動片６２の接続用パッ
ド６４と導電性接着材９０を介して電気的な接続を行うと共に、振動片を直に固定支持す
る役割をなしている。
【００２６】
図４は電極パターンの形成方法の説明図である。
予めＩＣ素子４２の一方の主面４３には、圧電振動片６０と電気的に接続させるための
複数のパッド４４が形成されている。さらにパッド４４の外周に沿って表面の一部が露出
するように基板上を絶縁膜４７で被膜している。
【００２７】
ジャイロ振動片６２を実装するＩＣ素子４２の一方の主面４３上の実装箇所に樹脂コア
５３を形成する。樹脂コア５３は、一例としてポリイミド樹脂やアクリル樹脂、シリコー
ン樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂、熱硬化性絶縁樹脂を用いることができる。
樹脂コア５３を矩形状に塗布した後、加熱すると略蒲鉾状、すなわちＩＣ素子４２との接
触面が平面状であり、非接触面が曲線状に隆起し、断面形状が半円状、台形状、半楕円状
に形成される。
【００２８】
ＩＣ素子４２の一方の主面４３の基板上をＴｉＷ（チタン／タングステン）材料で蒸着
又はスパッタリングするなどしてＴｉＷ膜５４を形成する。そしてＩＣ素子４２の基板上
に形成されたＴｉＷ膜５４の被膜上にＡｕ（金）材料で蒸着又はスパッタリングするなど
してＡｕ膜５５を形成する。
【００２９】
さらにＡｕの被膜上にＣｕ（銅）で電界メッキ及びＡｕで電界メッキ（不図示）を行う
。なおＡｕメッキ処理の前処理としてＮｉ（ニッケル）メッキ処理を施しても良い。これ
により所望の膜厚を有する金属接合膜が形成される。
【００３０】
メッキ処理を行った後、図４（１）に示すように、電極パターン５０を形成する箇所に
レジスト材料をディップコーティングなどで塗布し、マスキングをして、感光し、露光・
現像することによりレジスト膜５６を形成する。電極パターン５０の一方の端部はパッド
４４と接続し、他方の端部５０ｂは搭載するジャイロ振動片６２の接続用電極パッド６４
と対向する箇所に形成するため、この領域を覆うようにレジスト膜５６を形成する。この
とき樹脂コア５３上のレジスト膜５６の端部は略蒲鉾状の頂点位置と略重なる位置となる
ように形成している。
【００３１】
そして図４（２）に示すように、Ａｕ膜のエッチング処理を行ってレジスト膜５６から
露出しているＡｕ膜５５を除去する。
次に図４（３）に示すようにＴｉＷ膜５４のエッチング処理を行う。これによりレジス
ト膜５６で覆われた電極パターン５０が形成され、円弧状の樹脂コア５３の一部が露出す
る。
【００３２】
ついで図４（４）に示すように一部露出した樹脂コア５３に対して等方性プラズマを用
いてエッチングしていく。このとき、電極パターン５０の屈曲部５２と接触する樹脂コア
５３の一部が残るようにエッチングする。これにより、一方の主面４３と電極パターン５
０の間の屈曲部５２に樹脂５７が形成されて屈曲部５２を補強することができる。
【００３３】
最後に図４（５）に示すように電極パターン５０上のレジスト膜５６を剥離して電極パ
ターン５０を露出させる。
このような電極パターン５０はＩＣ素子４２の対向する短辺側のパッド４４から中心に
向かって形成されている。電極パターン５０は、ＩＣ素子４２を短辺方向に二等分する中
心線に対して線対称に形成されている。これにより本実施形態の複数の電極パターン５０
はそれぞれ中心点に対して点対称な対をなすとともに、所定の間隔を開けて３対形成され
ている。電極パターン５０は、端部のパッド４４から先端に向かう途中で屈曲させて形成
させている。各電極パターン５０のそれぞれの他方の端部５０ｂの先端部分は、ジャイロ
振動片６２の複数の接続用電極パッド６４のそれぞれと対応する位置に合わせて形成され
ている。
【００３４】
また電極パターン５０の各他方の端部５０ｂの上面は、ジャイロ振動片６２の支持部７
４に形成された対応する接続用電極パッド６４と接合されて、それぞれが電気的に接続さ
れている。従って、ジャイロ振動片６２は、その下面の各接続電極用パッド６４以外がパ
ッケージ２０内で接触しない状態で支持されている。
【００３５】
なお、ＩＣ素子４２上のパッド４４は、一方の主面４３に形成した形態で説明したが、
他方の主面に形成されたパッドと貫通電極を介して電極パターン５０と電気的に接続させ
た構成であってもよい。
【００３６】
パッド４４とパッケージ２０の第２基板２８上に形成された複数の回路接続電極３６と
は、ボンディングワイヤ４６により接続され、回路部４８が形成されている。
パッケージ２０の第３基板３０の上面にシームリングなどの接合材１６を介してリッド
１８が接合される。
【００３７】
ジャイロ振動片６２は、駆動モード、検出モード、スプリアスモードの３つのモードで
動作するため、駆動モードに供する第１の駆動アーム６６ａ、６６ｂ及び、第２の駆動ア
ーム６８ａ、６８ｂと、検出モードに供する検出アーム７０ａ、７０ｂと連結アーム７２
ａ、７２ｂと、支持部７４とを主な基本構成としている。
【００３８】
一対の連結アーム７２ａ、７２ｂは、四角板状を有する支持部７４の両面側中央箇所か
らそれぞれの軸線が一致するようにそれぞれ反対方向に直線状に延出している。連結アー
ム７２ａの一端は第１の駆動アーム６６ａ、６６ｂの延在方向中心位置に接続されている
。一方連結アーム７２ｂの一端は、第２の駆動アーム６８ａ、６８ｂの延在方向中心位置
に接続されている。第１の駆動アーム６６ａ、６６ｂと第２の駆動アーム６８ａ、６８ｂ
の各主面には、それぞれ細長い溝が形成されて横断面形状が略Ｈ型となっており、溝内に
駆動電極７６が形成されている。また第１の駆動アーム６６ａ、６６ｂと第２の駆動アー
ム６８ａ、６８ｂの各先端にはそれぞれ幅を広く形成された重量部７８が設けられている
。
【００３９】
検出アーム７０ａ、７０ｂは、支持部７４の中心をその軸線が通じるように、支持部７
４の両側面中央箇所から直線状に延出している。また検出アーム７０ａ、７０ｂの各主面
には、それぞれ細長い溝が形成されて横断面形状が略Ｈ型となっており、溝内に検出電極
８０が形成されている。支持部７４は連結アーム７２ａ、７２ｂと検出アーム７０ａ、７
０ｂとの接続点を含む所定の面積を有する板状部であり、ジャイロ振動片６２をＩＣ素子
４２上で支持する構造となっている。また支持部７４の裏面側（ＩＣ素子４２との実装面
側）にはＩＣ素子４２の電極パターン５０の他方の端部５０ｂと対応する複数の接続用電
極パッド６４が設けられている。接続用電極パッド６４は、駆動電極７６及び検出電極８
０と電気的に接続させている。検出アーム７０ａ、７０ｂの各先端にはそれぞれ幅を広く
形成された重量部８２が設けられている。
【００４０】
上記構成による圧電デバイスの製造方法について以下説明する。
パッケージ２０の凹部２２の上面に形成されたダイパッド３２にＡｇペーストなどの導
電性接着材を塗布した後、ＩＣ素子４２を接着固定する。そしてワイヤボンディングによ
り、ＩＣ素子４２の上面に形成された複数のパッド４４と対応するパッケージ２０の回路
接続電極３６とをボンディングワイヤ４６により電気的に接続して回路部４８を形成する
。このときＩＣ素子４２の一方の主面４３上には予め電極パターン５０が図４の形成方法
に従って形成されている。
【００４１】
次に電極パターン５０の他方の端部５０ｂ上に導電性接着材９０を塗布して、ジャイロ
振動片６２の接続用電極パッド６４と、対応する電極パターン５０の他方の端部５０ｂを
位置合わせする。なお導電性接着材９０にはＡｇペーストなどを用いることができる。電
極パターン５０の他方の端部５０ｂ上に塗布された導電性接着材９０は屈曲部５２から立
ち上がった円弧状の面に沿って下方へと濡れ広がり易く、振動片に対する濡れ面積を小さ
くして接合させることができる。
そして所定温度の熱圧着ツールを所定の圧力で圧しつけることで両者を接合する。
【００４２】
ついでパッケージ２０の上面開口２４を塞ぐようにシームリングなどの接合材１６を介
してリッド１８を位置決めして仮固定し、シーム溶接することなどによりリッド１８を固
定して、パッケージ２０内部を気密に封止する。このようにして圧電デバイス１０が形成
される。
【００４３】
このような本発明の圧電デバイスによれば、圧電振動片を半導体デバイス上に屈曲部を
備えた電極パターンにより中空に浮かせた形態で直接接合する構成であるため、従来のよ
うなＴＡＢ基板を用いることがない。また配線パターンは低背形状であるため、デバイス
全体の小型化、低背化を図ることができる。
【００４４】
半導体デバイスの配線パターンの端部と接続用電極パッドを接続させているため、配線
長さを短くすることができ電気的特性を安定化させることができる。また圧電振動片と半
導体デバイスとの接合領域を小さくすることができる。
屈曲部の立ち上がり部分に樹脂を形成しているため、屈曲部の強度を補強して、圧電振
動片との電気的接続の信頼性及び支持固定の強度を保持することができる。
【００４５】
半導体デバイスと圧電振動片との電気的接続の過程で、導電性接着材による接続は１工
程であり電気的特性を安定化させることができる。また従来のように圧電振動片と半導体
デバイスとの接続にバンプを設ける必要がないため、製造工程を簡略化することができる
。
【００４６】
本発明の配線パターンによる接続では、振動片が外的要因で平面方向に揺さぶられた場
合に、屈曲部で立ち上がった中空状の電極パターンでその変位を吸収することができ、導
電性接着材に応力が集中することがない。またジャイロ振動片の駆動電極と検出電極の間
の支持部に電極パターン及び導電性接着材を介した接続部があるため、駆動アーム側で発
生した意図しない機械的振動を吸収することができ、検出アームに伝わるおそれがない。
【００４７】
図５は圧電デバイスの変形例１の説明図である。
変形例１の圧電デバイスは、電極パターン５００に段差状の凹凸部５８を形成している
。この凹凸部５８は屈曲部５２から他方の端部５００ｂの間に形成している。
【００４８】
電極パターン５００の凹凸部５８は、電極パターン５００の形成箇所に塗布する樹脂コ
ア５３の一部に溝５９などの凹凸を設けることにより形成することができる。図５（１）
に示すような溝５９の形成は、樹脂コア５３の塗布量又は塗布面積を制御することにより
形成することができる。また塗布した後、樹脂コア５３を溝状に切削することにより形成
することもできる。
【００４９】
次に図５（２）に示すように溝上に金属膜を形成する。具体的には図４の形成方法と同
様に、樹脂コア５３の溝５９を覆うようにＴｉＷ膜とＡｕ膜の被膜、及び形成した金属被
膜上にＣｕメッキとＡｕメッキを施した金属膜５０２を被膜形成する。
【００５０】
以後、図４に示すレジスト膜以降の処理を同様に行うことにより図５（３）に示すよう
な凹凸部５８と樹脂５７を備えた電極パターン５００を形成することができる。
なお凹凸部は、凹上に形成した構成のほかにも凸状、線状、円又は錐などの点状に形成
するようにしてもよい。
【００５１】
上記構成による電極パターン５００を用いた場合、パターンの強度を補強すると共に、
圧電振動片との接続領域を小さくすることができる。また圧電振動片と半導体デバイスと
の電気的接続の配線距離が短くなり電気的に安定化する。従ってデバイス全体を小型化す
ることができる。
また電極パターン５００の他方の端部５０ｂに導電性接着材を塗布した場合、凹凸部５
８に接着材が収まるため、接着材の位置決めが容易に行なえる。
【００５２】
図６は圧電デバイスの変形例２の説明図である。
図３に示す電極パターン５０は、圧電振動片６０を実装する電極として説明したが、配
線パターンは、このほかにも実装基板上に実装する際の実装端子９２としても適用するこ
とができる。具体的に変形例２の圧電デバイスは、図示のように半導体デバイス４０の実
装面に形成した配線パターンを実装端子９２としている。
【符号の説明】
【００５３】
１０………圧電デバイス、１２………振動ジャイロ、１６………接合材、１８………リッ
ド、２０………パッケージ、２２………凹部、２４………開口、２６………第１基板、２
８………第２基板、３０………第３基板、３２………ダイパッド、３４………外部接続電
極、３６………回路接続電極、４０………半導体デバイス、４２………ＩＣ素子、４３…
……一方の主面、４４………パッド、４６………ボンディングワイヤ、４７………絶縁膜
、４８………回路部、５０，５００………電極パターン、５２………屈曲部、５３………
樹脂コア、５４………ＴｉＷ膜、５５………Ａｕ膜、５６………レジスト膜、５７………
樹脂、６０………圧電振動片、６２………ジャイロ振動片、６４………接続用電極パッド
、６６ａ，６６ｂ………第１の駆動アーム、６８ａ，６８ｂ………第２の駆動アーム、７
０ａ，７０ｂ………検出アーム、７２ａ，７２ｂ………連結アーム、７４………支持部、
７６………駆動電極、７８………重量部、８０………検出電極、８２………重量部、９０
………導電性接着材、９２………実装端子、１００………振動ジャイロ、１０２………Ｔ
ＡＢ基板、１０４………ボンディングリード、１０６………デバイスホール、１０８……
…ジャイロ振動片、１１０………パッケージ基板、２００………圧電デバイス、２０２…
……圧電振動片、２０４………支持枠、２０６………パッケージ、２０８………Ａｇペー
スト。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続用電極パッドを形成した圧電振動片と、
前記接続用電極パッドと電気的に接続すると共に、前記圧電振動片を支持する電極パタ
ーンを形成した半導体デバイスとを備え、
前記電極パターンは、一方の端部を前記半導体デバイスのパッドと接続させ、他方の端
部を前記接続用電極パッドと接続させ、前記一方の端部と前記他方の端部の間に前記半導
体デバイスの一方の主面から離反する方向に立ち上がる屈曲部を形成し、
前記一方の主面と前記電極パターンの間の屈曲部に樹脂を形成したことを特徴とする圧
電デバイス。
【請求項２】
前記電極パターンは、前記屈曲部から前記他方の端部の間に凹凸部を形成したことを特
徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
接続用電極パッドを形成した圧電振動片と、前記接続用電極パッドと電気的に接続する
と共に、前記圧電振動片を支持する電極パターンを形成した半導体デバイスを備えた圧電
デバイスの製造方法であって、
一方の端部を前記半導体デバイスのパッドと接続させ、他方の端部を前記接続用電極パ
ッドと接続させ、前記一方の端部と前記他方の端部の間に前記半導体デバイスの一方の主
面から離反する方向に立ち上がる屈曲部を形成し、前記一方の主面と前記電極パターンの
間の屈曲部に樹脂を形成した前記電極パターンの前記他方の端部に導電性接着材を塗布し
て、
前記接続用電極パッドを前記電極パターン上に搭載して、
加熱圧着して接合させたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記電極パターンの樹脂は、樹脂コアをエッチングして前記一方の主面と前記電極パタ
ーンの間に一部残すように形成したことを特徴とする請求項３に記載の圧電デバイスの製
造方法。
【請求項１】
接続用電極パッドを形成した圧電振動片と、
前記接続用電極パッドと電気的に接続すると共に、前記圧電振動片を支持する電極パタ
ーンを形成した半導体デバイスとを備え、
前記電極パターンは、一方の端部を前記半導体デバイスのパッドと接続させ、他方の端
部を前記接続用電極パッドと接続させ、前記一方の端部と前記他方の端部の間に前記半導
体デバイスの一方の主面から離反する方向に立ち上がる屈曲部を形成し、
前記一方の主面と前記電極パターンの間の屈曲部に樹脂を形成したことを特徴とする圧
電デバイス。
【請求項２】
前記電極パターンは、前記屈曲部から前記他方の端部の間に凹凸部を形成したことを特
徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
接続用電極パッドを形成した圧電振動片と、前記接続用電極パッドと電気的に接続する
と共に、前記圧電振動片を支持する電極パターンを形成した半導体デバイスを備えた圧電
デバイスの製造方法であって、
一方の端部を前記半導体デバイスのパッドと接続させ、他方の端部を前記接続用電極パ
ッドと接続させ、前記一方の端部と前記他方の端部の間に前記半導体デバイスの一方の主
面から離反する方向に立ち上がる屈曲部を形成し、前記一方の主面と前記電極パターンの
間の屈曲部に樹脂を形成した前記電極パターンの前記他方の端部に導電性接着材を塗布し
て、
前記接続用電極パッドを前記電極パターン上に搭載して、
加熱圧着して接合させたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記電極パターンの樹脂は、樹脂コアをエッチングして前記一方の主面と前記電極パタ
ーンの間に一部残すように形成したことを特徴とする請求項３に記載の圧電デバイスの製
造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１６４００３（Ｐ２０１１−１６４００３Ａ）
【公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２８６１３（Ｐ２０１０−２８６１３）
【出願日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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