【課題】ＭＥＭＳデバイスとの熱膨張の整合がよくとれた基板を有する構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングされたエッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法はＳＯＩウェハ４０を含み、該ＳＯＩウェハ４０は、ハンドル・レイヤ４６、二酸化ケイ素からなる誘電体レイヤ４４、及びデバイスレイヤ４２を有する。ＳＯＩウェハ４０のデバイスレイヤ４２をメサ・エッチングによってパターン形成した後、該ＳＯＩウェハ４０を、パターン形成されたデバイスレイヤを有する別の基板にボンディングする。その後、ＳＯＩウェハ４０のハンドル・レイヤ４６、及び誘電体レイヤ４４をエッチングによって除去される。さらに、デバイスレイヤ４２をエッチングしてＭＥＭＳ装置を形成する。このＢＥＳＯＩ方法では、二酸化ケイ素誘電体レイヤ４４が除去された後に構造エッチングが実行される。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサーの製造方法は、ベース基板に溝部を形成し、溝部内に配線を設けるベース基板配線形成工程Ｓ１と、センサー基板に導電性を有する突起部を設けるセンサー基板突起部形成工程Ｓ２と、配線と突起部とが、平面視において、互いに重なるようにベース基板とセンサー基板とを位置合わせする位置合わせ工程Ｓ３と、ベース基板とセンサー基板とを接合し、配線と突起部とを接続する接合工程Ｓ４と、センサー基板をエッチングしてセンサー素子を形成するセンサー素子形成工程Ｓ５と、を含み、配線の厚さ寸法ｔ１を溝部の深さ寸法ｄよりも小さく、且つ、配線の厚さ寸法ｔ１と突起部の厚さ寸法ｔ２との和を、溝部の深さ寸法ｄよりも大きくすることを特徴とする（ｄ＞ｔ１、且つ、ｄ＜（ｔ１＋ｔ２））。 （もっと読む）

【課題】センサー部やベース基板の損傷を抑制しつつ、製造時などにおけるベース基板とセンサー部との貼り付きを回避可能な物理量センサー、および物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサー１は、肉薄部６ａおよび肉厚部６ｂが設けられたベース基板６と、ベース基板６の肉薄部６ａの上方に揺動可能に配置されたセンサー部４と、を有し、ベース基板６には、平面視でセンサー部４の端部と重複する肉薄部６ａの少なくとも一部に導電膜９，１０が設けられ、導電膜９，１０が、肉厚部６ｂの表面の少なくとも一部まで延びていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの大きい物理量センサー、物理量センサーの制御方法、および、それらを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の第１の面１０ａに対してα°傾いた第１の斜面２ａを有する第１載置部材２、および、第２の斜面３ａを有する第２載置部材３と、主たる物理量が印加される方向に検出軸ベクトルｎ₀を向けて第１の面１０ａ面に載置されたセンサーデバイスＤ₀と、検出軸ベクトルとは異なる方向に検出軸ベクトルｎ₁をおよび検出軸ベクトルｎ₂が向くように配置された第１載置部材２および第２載置部材３のそれぞれに載置されたセンサーデバイスＤ₁および、センサーデバイスＤ₂を含み、各検出軸ベクトルｎ₀，ｎ₁，ｎ₂の方向に、ｎ₁≠⊥ｎ₀、ｎ₂≠⊥ｎ₀、および、ｎ₁⊥ｎ₂の関係が成り立つことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で高精度な光ジャイロを提供する。
【解決手段】基板１１の一面上に、レーザ発振器１２と検出用導波路１３を備える。レーザ発振器１２は、励起光を出力する励起光源２０と、リング形状の導波路を有する光共振器２２と、光共振器２２よりも屈折率の高いレーザ媒質を用いて形成されたリング形状の導波路を有し、励起光を受けて非線形光学効果により励起光と異なる波長の光を生成するとともに、生成した光を光共振器２２に導くレーザ媒質部材２１を備える。検出用導波路１３は、光共振器２２の導波路に光学的に結合されている。そして、レーザ媒質部材２１で生成されて光共振器２２及びレーザ媒質部材２１の導波路で共振し、光学的に結合された光共振器２２及びレーザ媒質部材２１の導波路内を互いに逆方向に伝搬する光ＣＷ，ＣＣＷを、重ね合わせるために光共振器２２の導波路からそれぞれ引き出す。 （もっと読む）

【課題】繰り返しの応力に対して信頼性の高いアクチュエータを提供する。
【解決手段】配線１４を備えた可動部９と、この可動部９を捩れ運動または曲げ運動、もしくはその両方で駆動させるための駆動部１２と、からなり、配線１４は導電性有機高分子としたことを特徴とするアクチュエータである。このように、繰り返しの応力が印加される可動部９に設けた、下部電極、上部電極、配線などを金属でなく導電性有機高分子で形成することにより、マイグレーションが生じることはなく、また可動部の可撓性を高めることができるので、高い信頼性を有するアクチュエータを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】密閉空間内の低圧状態の変動が抑制され、センサ検出精度の低下が抑制されたセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ部（１０，５０）と、密閉空間を構成し、該収納空間内にセンサ部（１０，５０）を収納するパッケージ（７０）と、センサ部（１０，５０）をパッケージ（７０）に接着固定する接着剤（９２）と、を有するセンサ装置であって、センサ部（１０，５０）は、外力によって変位可能な可動電極及び変位不可能な固定電極から成るコンデンサを有し、密閉空間は１気圧よりも低く、接着剤（９２）は、センサ部（１０，５０）とパッケージ（７０）とを接着固定する有機系接着剤（９４）と、有機系接着剤（９４）を覆う無機系接着剤（９５）と、を有し、有機系接着剤（９４）は、無機系接着剤（９５）よりもヤング率が低い。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ膜からのＰｂ拡散を抑制し、圧電特性を安定化した圧電薄膜構造および当該圧電薄膜構造を適用し、振動ノイズによる影響を低減できる角速度検出装置を提供する。
【解決手段】基板４０上に配置された酸化シリコン膜４１と、酸化シリコン膜４１上に配置された第１の酸化アルミニウム膜４８と、第１の酸化アルミニウム膜４８上に配置された下部電極層３０１と、下部電極層３０１上に配置された圧電体膜層３０２と、圧電体膜層３０２上に配置された上部電極層３０３とを備える圧電薄膜構造、および振動アーム及び検出アームに、この圧電薄膜構造を有する角速度検出装置。 （もっと読む）

【課題】機械構造及びこれらの機械構造を基板に固定するためのアンカーを含むＭＥＭＳ装置及びその製造技術を提供する。
【解決手段】アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの解放プロセスによる影響を比較的受け難い材料で形成される。エッチング解放プロセスは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃをアンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃを構成する材料に固定する材料に対し、選択的又は優先的である。更に、アンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃは、絶縁層の除去が機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃの基板１４に対する固定にほとんど又は全く影響を及ぼさないように基板１４に固定される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第１の基板１１の一方の主面１１ａ側に可動部１４ａを形成する工程と、シリコンを含む第２の基板２０の一方の主面２０ｃ側にキャビティ２０ｂを形成する工程と、第１の基板１１と第２の基板２０の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ２０ｂを可動部１４ａに対向させた状態で、第１の基板１１と第２の基板２０の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ２０ｂ内を真空に保ちつつ、可動部１４ａを第２の基板２０で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第１の基板１１と第２の基板２０をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】広い離調度調整範囲を確保すると共に、水晶振動子ごとの特性に合わせた離調度調整や漏れ調整を水晶ウェハー上で一括して行う水晶振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】水晶を所定の外形形状に加工する外形形成工程ＳＴ１と、水晶振動子に電極を形成する電極形成工程ＳＴ２と、電極を形成した水晶振動子の離調度を測定する離調度測定工程ＳＴ３と、離調度測定工程の測定結果に基づいて、基部と検出脚の接続部分の近傍に形成された電極を所定形状に加工する電極加工工程ＳＴ５と、電極加工工程で加工された電極をマスクにして水晶振動子をエッチングにより削るエッチング工程ＳＴ６を有する水晶振動子の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】機械的構造体の適切な、向上した及び／又は最適な動作のための制御された又は制御可能な環境を含むＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】機械的構造体の少なくとも一部の上に犠牲層を堆積させ、該犠牲層の上に第１の封止層を堆積させ、犠牲層の少なくとも一部を露出させるように第１の封止層を貫通して少なくとも１つのベントを形成し、犠牲層の少なくとも一部を除去してチャンバを形成し、少なくとも１つの比較的安定したガスをチャンバに導入し、少なくとも１つのベント上又は少なくとも１つのベント内に第２の封止層を堆積させ、これにより、チャンバをシールし、この場合、前記第２の封止層が、半導体材料である。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサは、基板と、第１の複数の櫛を有する少なくとも１つのプルーフマスとを備えている。プルーフマスは、プルーフマスおよび第１の複数の櫛が移動することができるように、１つまたは複数の懸垂ビームを介して基板に結合されている。また、ＭＥＭＳセンサは、さらに、第２の複数の櫛を有する少なくとも１つのアンカを備えている。アンカは、アンカおよび第２の複数の櫛が基板に対して所定の位置に固定されるように、基板に結合されている。第１の複数の櫛は、第２の複数の櫛と交互配置されている。これらの櫛の各々は、１つまたは複数の非導電層によって互いから電気的に隔離された複数の導電層を備えている。個々の導電層は、これらの櫛の間の容量が可動櫛の平面外方向の変位に対して概ね直線的に変化するように、対応する個々の電位に個別に結合されている。 （もっと読む）

【課題】多層可動コームを使用するＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサは、基板と、第１の複数のコームを有する少なくとも１つのプルーフマスとを含み、プルーフマスは、プルーフマスおよび第１の複数のコームが移動可能であるように１つまたは複数のサスペンションビームを介して基板に結合される。ＭＥＭＳセンサは、第２の複数のコームを有する少なくとも１つの固定アンカをさらに含む。第１の複数のコームは、第２の複数のコームが交互に差し込まれている。第１の複数のコームおよび第２の複数のコームにおけるコームの各々は、１つまたは複数の非導電層によって互いに電気的に絶縁された複数の導電層を含む。周縁電界を遮断して、周縁電界に起因する感知軸に沿った第１の複数のコームの運動を低減するように、各導電層はそれぞれの電位に個々に結合される。 （もっと読む）

【課題】改善されたスケール係数を備えた音叉ジャイロスコープを提供する。
【解決手段】基板の上に少なくとも１つの試験質量が支持される音叉ジャイロスコープ構造。少なくとも１つの駆動電極が試験質量に隣接した基板の上にも支持される。典型的には、試験質量と駆動電極は、交互配置された電極フィンガーを含む。試験質量の下の基板の上の感知プレートまたはシールド電極が、試験質量の電極フィンガーの範囲の下に完全に延在する。 （もっと読む）

【課題】小型圧電振動子であり落下等の衝撃に強い圧電振動子を得る。
【解決手段】圧電振動子１は、圧電振動素子４と、これを収容するパッケージと、を備えている。圧電振動素子１は、複数の振動腕９ａ、９ｂ、これらを連接する基部５、各振動腕９ａ、９ｂの他方の端部に設けた錘部９ａ、９ｂを備えた圧電基板４ａと、各振動腕の表裏面に形成され励振電極と、を備えている。パッケージは、素子搭載パッド１８、及び実装端子１６を備えた絶縁基板１１と、気密封止する蓋体３５と、絶縁基板１１上面には圧電振動素子４の各錘部９ａ、９ｂ及び基部５の先部と対向する部位に夫々金属、又は高分子からなる緩衝材２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、第１の面１０ａと、第１の面１０ａに位置する電極１２とを有する半導体素子１０を準備する工程と、電極１２を含む第１の面１０ａに、第１の樹脂層２０を形成する工程と、電極１２と電気的に接続し、第１の樹脂層２０の半導体素子１０と対向する第２の面２２とは反対側の第３の面２３に第１の金属層３１を形成する工程と、第１の金属層３１の第１の樹脂層２０と対向する第４の面３３と第４の面３３の反対側の第５の面３４を接続する第６の面３５と、第５の面３４と、を覆う第２の樹脂層４１を形成する工程と、第２の樹脂層４１に第１の金属層３１の第５の面３４を露出する開口部４２を設ける工程と、第２の樹脂層４１が、第１の金属層３１の第６の面３５とを覆った状態で、開口部４２内に無電解メッキで第２の金属層５１を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と、センサー素子との干渉防止の空隙によるセンサーデバイスの厚さ増加を抑制し、ジャイロセンサーの小型化をはかる。
【解決手段】回路を有する半導体素子２１，２２、２３と、振動素子１１、１２，１３と、前記半導体素子２１，２２，２３の第１の面に配置され、前記回路と前記第１の面側に配置される前記振動素子１１，１２，１３とに接続された第１の電極と、前記第１の面に配置され、前記第１の面に向かう平面視において、前記振動素子１１，１２，１３の外郭線の内側領域の少なくとも一部が重なって配置された第２の電極２１ｃ，２２ｃ，２３ｃと、前記第２の電極に接続された第１の配線３４を有する第１の配線基板３０と、前記第１の配線３４が接続された第２の配線５４を有する第２の配線基板５１，５２，５３と、を有する電子部品１００。 （もっと読む）