【課題】 画素数が多く、画素間隔が狭い、高密度の空間光変調器を実現できるようにすること、効率よく画素の磁化方向を制御できるようにすること、発熱量を抑え、動作の安定性の向上を図ることなどである。
【解決手段】 磁気光学材料からなる磁性膜を具備し、ファラデー効果により偏光方向を回転させる画素１４が、多数、互いに離間した状態でＸ方向及びＹ方向に２次元的に配列され、各画素に沿って配線したＸ側の駆動ライン４０及びＹ側の駆動ライン４２を流れる駆動電流によって発生する合成磁界により各画素の磁化方向が個別に制御される。Ｘ側及びＹ側の駆動ラインの全部もしくは一部が画素と画素の間隙部に配線され、その間隙部に配線された駆動ラインを隣接する画素で共用するように構成する。 （もっと読む）

【課題】光路切り替え時に発生する動的漏話がない波長選択光スイッチを提供すること。
【解決手段】入力光ポート１から出射された光を波長毎に異なる角度に分離させる回折格子２と、回折格子２によって分離された各波長の光をそれぞれ異なる位置に集光させるレンズ３と、レンズ３によって集光された各波長の集光位置にそれぞれ設けられる角度変更自在な複数の微小ミラーを有するミラーアレイ４と、微小ミラーによって変更された各光の出射位置にそれぞれ設けられた複数の出力光ポート５と、ミラーアレイ４への光の入射位置に近接して設けられ、光を遮る複数の微小シャッタを有するシャッタアレイ６と、角度を変更する微小ミラーに対応したシャッタアレイ６の微小シャッタに対し、微小ミラーに入射される光を遮るよう制御する制御部７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ほぼフラットな表面を有し連続的につながった磁性膜内に、単結晶の領域と非単結晶の領域とを明確に区画して２次元的に配置できるようにし、且つその磁性膜のエピタキシャル成長に際してメルトに悪影響を及ぼさないようにする。
【解決手段】 結晶性の良好なガーネット単結晶基板３０上に、熱処理により結晶性を悪化させた表面層（非単結晶化した鉄ガーネット膜３４）を部分的に形成し、それらの上に磁性膜（磁性ガーネット膜３８）をエピタキシャル成長させることにより、前記表面層上の部分とそれ以外の部分とで磁性膜の結晶構造、ひいては磁気特性が２次元的に異なるようにする。 （もっと読む）

本発明は、１段フィルタ、複数段フィルタ及び中間偏光子なしのフィルタを含め、波長範囲において同調可能な又は切り替え可能なスペクトル・フィルタを構築するための構成要素としての同調器を提供し、その同調器は、回転角ρ（λ）を有し、前記波長範囲において光波長λの関数として変化する分散的偏光回転子及び方向感受性偏光用要素を含め、光ビーム軸に沿って縦列に配置された要素と、前記偏光用要素を回転させるための、又は／及び前記回転角ρ（λ）を変化させるための手段とを含み、それによって、前記偏光回転子及び前記偏光用要素が、前記光ビーム軸に沿って前記フィルタ中に直列に配置され、前記偏光用要素が、前記スペクトル・フィルタの構造に対して所定の方向角で配向され、前記同調器が、前記偏光用要素を回転させて前記フィルタ中でその方向を変化させるように、又は／及び前記回転角ρ（λ）を変化させるように動作することを特徴とする。本発明は、前記フィルタ及びさらに前記フィルタを同調させる同調方法にも関するものである。
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【課題】 垂直磁場制御におけるファラデー回転角の急峻な変化を抑止できる光アッテネータ用磁性ガーネットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式（Ｒ，Ｂｉ）₃（Ｆｅ，Ｍ）₅Ｏ₁₂（但し、ＲはＧｄ，Ｙｂの少なくとも１種、ＭはＡｌ，Ｇａの少なくとも１種）で表される組成を有し、Ｎｄ₃Ｇａ₅Ｏ₁₂単結晶上に液相エピタキシャル成長法により育成する厚膜単結晶の光アッテネータ用磁性ガーネットの製造方法であり、成長誘導磁気異方性に対して残留比率を１５〜３０％とする工程を含む。 （もっと読む）

磁壁抗磁力の影響を受けず、低磁界においても、ＹＩＧ単結晶を容易に磁化し飽和することが可能となファラデー回転子、及びこれを用いた磁気光学デバイスを提供する。外部から磁界を印加されることによってファラデー効果を発現するファラデー回転子であって、前記ファラデー回転子はＲ３Ｍ５０１２で表され、Ｒは、Ｙ，及びＴｂのうち少なくとも一種を含み、かつＭはＦｅを含む、磁性ガーネット単結晶からなり、前記ファラデー回転子の長手方向の結晶方位が、磁性ガーネット単結晶の＜１００＞方位、または＜１００＞方位から５°以内の範囲で傾けた方位であり、前記ファラデー回転子の長手方向と平行な方向に磁界が印加されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は可変光アッテネータに関し、温度波長特性の優れた可変光アッテネータを提供することを目的とする。
【解決手段】偏光子１０と、偏光子１０の透過偏光方位を基準として透過偏光方位の実効角度がφである偏光子１２と、偏光子１０、１２間に配置され、磁化容易軸に平行な一方向の磁化により構成され、光の偏光方位を＋θｆ回転させる磁区Ａと、磁区Ａの磁化方向とは逆向きの方向の磁化により構成され、光の偏光方位を−θｆ回転させる磁区Ｂと、磁区Ａ、Ｂの境界となる磁壁とを備えたファラデー回転子２０と、磁壁の位置を可変とする磁界印加機構と、偏光子１０、１２間に配置され、光の偏光方位をδ回転させる波長板２４とを有する可変光アッテネータであって、θｆ、φ及びδは、使用温度波長範囲において、
ｃｏｓ（φ−δ−θｆ）×ｃｏｓ（φ−δ＋θｆ）≦０
の関係を満たすように構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、電極配線の本数および電極配線の抵抗を低下させることによって、画素が高密度でかつ消費電力の少ない空間光変調器を提供することにある。さらには、当該空間光変調器に用いる駆動回路、並びに当該駆動回路を用いた空間光変調器の駆動方法を提供することに関する。
【解決手段】 本発明にかかる空間光変調器５０は、マトリックス状に配設された複数の光磁気効果素子１と、隣接する前記光磁気効果素子１の間に配設される下部電極配線２と上部電極配線３と、前記下部電極配線２と上部電極配線３各々に流れる電流の向きを設定する駆動回路とを備えた空間光変調器５０において、下部電極配線２と上部電極配線３が前記各光磁気効果素子の間に１本となるように配設されている。また下部電極配線２と上部電極配線３の一端は各々共通配線４に接続され、かつ他端が前記駆動回路に接続されている。 （もっと読む）

磁気光学効果を利用して入力光の偏光を回転させる可変偏光回転装置において、入力光を第１の集光手段（３）で集光した上で、その焦点位置付近に設置された磁気光学結晶（４１）に入射するようにすることで、同じ磁気光学効果によるファラデー回転量を得るのに磁界発生手段（４２，４３，４４，４５）に必要とされる磁界強度を従来よりも大幅に削減する。これにより、磁界発生手段（４２，４３，４４，４５）自体の大幅な小型化を図って、可変偏光回転装置の大幅な小型化を図ることが可能となる。
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【課題】 カーボンナノチューブを用いた光磁気素子において、使用波長帯域を変更せずに磁場に対する吸収係数の変調を増大させるように調整する技術を提供する。
【解決手段】 ＳＷＣＮＴの吸収ピークは直径に依存し、大きな直径になるほど吸収ピークは低エネルギー側（長波長側）に位置する。すなわち、直径の大きなチューブを用いることにより、使用する信号光の波長を替えることなくより高感度に磁場に反応する光磁気スイッチング素子を作製することができる。 （もっと読む）