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国際特許分類[G03F7/38]の内容

国際特許分類[G03F7/38]に分類される特許

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【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜形成用材料を除去するための保護膜除去用溶剤であって、フッ素系溶剤を含む液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤を用いることにより、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。
【解決手段】液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜形成用材料を除去するための保護膜除去用溶剤であって、フッ素系溶剤を含む液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤を用いて前記保護膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】印刷版原版の感光層の表面の酸素を確実に遮断した状態で感光層を露光することが出来る印刷版原版露光装置を提供する。
【解決手段】印刷版原版を保持する透明基板と、この透明基板に保持された印刷版原版の支持体の側の表面全体を覆って透明基板の全周縁部と密着する前記被覆部材とで形成される閉空間の真空排気に同期させて、スクイズ手段を被覆部材の一方の側から他方の側に相対的に移動しながら、印刷版原版の感光層と透明基板との間の空気を、一方の側から他方の側に向かって徐々に押し出して、透明基板の表面に印刷版原版の感光層の全面を略完全に密着させる。 (もっと読む)


【課題】 化学増幅型のレジストが塗布され、例えば低加速の電子ビームにより露光された基板を加熱処理するにあたり、レジストの化学増幅反応を促進させて線幅精度の高いレジストパターンを形成すること
【解決手段】 表面にレジストの酸触媒反応を促進させるためのレジスト改質流体例えばグリセリンなどが供給された基板を基板載置部である載置台3に載置した状態で加熱手段をなすヒータ33及び51により加熱する構成とする。この場合、露光領域内での酸の活動を活発にすることができるので、結果として例えば低加速の電子ビームにしょり露光したレジストであっても現像後において基板の表面に線幅精度の高いレジストパターンを形成することができる。 (もっと読む)


【課題】ラフネス、エッチング耐性、感度、解像度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができる微細パターンの形成方法と、それに有効な電場(電界)印加時の露光後ベーク用媒体を提供する。
【解決手段】化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストを用いた高感度な微細パターンの形成方法であって、前記化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストからなるレジスト膜11を基板10の上に形成する工程と、前記レジスト膜11に放射線を照射し、酸を発生させる工程と、前記放射線照射後の加熱時に、レジスト膜11上に下記(I)及び(II)を満足する媒体12を配置して、前記レジスト膜11に電場を印加する工程とを含む。
(I)電気伝導率が0.01μS/cm以上である。
(II)レジスト膜に対する溶解性が低く、次式を満たす。
媒体を23℃で60秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚/媒体配置前のレジスト膜厚×100≧95 (もっと読む)


【課題】 チップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法において、レジスト層のパターニングの不良を極力抑止する。
【解決手段】 半導体基板10の裏面に開口部10wを形成した後、それらの上に第2の絶縁膜16及び第2のレジスト層17を形成する。次に、第2のレジスト層17の表面に対して、アッシングによる親水性処理を行う。次に、開口部10wの底部のパッド電極12の一部上からダイシングラインDLに至る領域を開口するマスクを用いた露光を行う。次に、第2のレジスト層17を含む半導体基板10を現像液20dに浸漬して、第2のレジスト層17を現像する。ここで、現像液20dが開口部10wの底部及びその近傍に行き渡り、当該底部のパッド電極12の一部上からダイシングラインDLに至る領域の第2のレジスト層17が確実に除去されて、第2の絶縁膜16の一部が確実に露出される。 (もっと読む)


【課題】 熱処理ユニットを不要として、装置のフットプリントを小さくし、化学増幅型レジスト液を用いる場合には、露光処理時にレジスト膜に与えるエネルギーが小さい場合でも、酸触媒反応を十分に進行させ、スループットの低下を抑えながら、良好なパターン形状を得る。
【解決手段】 現像ユニットの基板保持部3に加熱手段32を組み込み、現像ユニットにて、例えば化学増幅型レジスト膜が形成されたウエハに表面改質液であるグリセリンが存在する状態でPEB処理を行う。これにより露光処理時にレジスト膜に与えるエネルギーが不足する場合であっても、この不足分が補完され、化学増幅型レジスト液の酸触媒反応が促進されて酸発生の連鎖反応が起こるので、スループットの低下を抑えながら、良好なパターン形状を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 処理性、耐刷性等に優れ、平網ムラが少なく、特にレーザ光による描画に適し、スクリーン線数200線以上の高精細AMスクリーン印刷やFMスクリーン印刷に適したネガ型平版印刷版の製版方法の提供。
【解決手段】 支持体上に、重合性を有する層、さらに保護層をこの順に設けたネガ型平版印刷版原版を、300nmから1200nmの範囲に発光波長を有するレーザで走査露光した後、100℃以上の温度で加熱し、保護層を水洗除去し、さらに水性アルカリ現像液で満たされた現像浴中に現像ブラシを備えた現像部にて現像処理を行う、平版印刷版の製版方法において、該現像部におけるネガ型平版印刷版の感光面と現像ブラシとの隙間が1mm以下であることを特徴とする平版印刷版の製版方法。 (もっと読む)


【課題】 前記パターン形成材料上に結像させる像の歪みを抑制することにより、印刷版等に利用される網点画像を高精細に、かつ、効率よく形成可能なパターン形成方法の提供。
【解決手段】 支持体上に感光層を有するパターン形成材料における該感光層に対し、
光照射手段からの光を受光し出射する描素部をn個有する光変調手段により、前記光照射手段からの光を変調させた後、前記描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通して網点画像が形成されるように露光を行うことを少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法である。該非球面は、トーリック面であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】液浸露光法において、不良形状、ウェハ面内及び/或いはショット内における寸法・形状差を抑制し得るレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】投影レンズ系33と基板10との間に、フッ素溶剤に酸を添加した光路媒質を介在させた状態でレチクルに形成されたパターンをレジスト膜に転写する工程と、潜像が形成されたレジスト膜を加熱する工程と、加熱されたレジスト膜を現像する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】 高解像度液晶表示装置などのカラー表示装置に用いられるカラーフィルタを製造することができる、簡便かつ生産性に優れる方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に電極層を介して感光性樹脂層を形成する樹脂層形成工程、所定のパターンに応じて感光性樹脂層の一部を選択的に露光する選択的露光工程、得られた感光性樹脂層を、少なくとも1種の染料または顔料を含む電着可能な溶液中に浸漬して電着することにより、露光工程において露光された部分の上に第1の着色パターンを析出させる電着工程、上記露光工程において未露光である部分に対して、所定のパターンに応じて感光性樹脂層の一部を選択的に露光し、その後上記電着工程と同様に電着させることによる、少なくとも1回行われる別の着色パターン形成工程、を包含する、カラーフィルタの製造方法。 (もっと読む)


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