【課題】ポリアミド酸またはポリエステルのプラットフォームに基づく湿式凹部形成（現像）ギャップ充填および底反射防止コーティングを提供する。
【解決手段】ポリアミド酸のプラットフォームは、熱エネルギーが供給されると、イミド化が可能になり、ポリイミドを形成する。ギャップ充填および底反射防止コーティングは、標準の水性現像液に可溶であり、またデュアルダマシンパターン形成法において、半導体基板上のビア孔およびトレンチのパターン形成に有用である。１つの実施例では、各ビア列間の疎密偏りを改善するために、銅デュアルダマシンプロセスにおいて、ポリアミド酸からなる組成物を反射防止機能を持たないギャップ充填（ビア充填）材料として用いる。別の実施例では、同じ組成物を反射防止目的に用いることができる。ここでは、凹部が形成された表面にフォトレジストを直接コーティングし、基板上のビア孔を平坦化するための充填材料としても機能させる。ここに記述する組成物は、およそ３７０ｎｍ未満の露光波長の時に特に有用である。 （もっと読む）

１つ又はそれ以上のポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマー、２〜約９の芳香族ヒドロキシル基を含む化合物と５−ナフトキノンジアジドスルホニル化合物及び４−ナフトキノンジアジドスルホニル化合物との縮合生成物であるジアゾナフトキノン光活性化合物、及び少なくとも１つの溶媒を含んでなるポジに働く感光性樹脂組成物、並びに、基材上にレリーフパターンを形成し、それによってコーティングされた基材を形成するためのこうした組成物の使用。 （もっと読む）

半導体材料をリワークする方法であって、（ｉ）シリコーン組成物を基板表面に塗布して膜を形成する段階と、（ｉｉ）前記膜の一部を放射線で照射し、前記表面の一部である非照射部と前記表面の残りの部分である照射部とを有する、部分的に照射された膜を作成する段階と、（ｉｉｉ）前記照射部が実質的に現像液に対して非可溶であり、前記非照射部が前記現像液に対して可溶であるような時間、前記部分的に照射された膜を加熱する段階と、（ｉＶ）前記加熱後の膜の非照射部を前記現像液で除去し、パターン形成された膜を作成する段階と（Ｖ）硬化シリコーン層を形成するのに十分な時間前記パターン形成された膜を加熱する段階と、（Ｖｉ）有機溶媒及び塩基を含む無水エッチング液に浸漬して硬化シリコーン層の全部または一部を除去する段階と、を含む方法。 （もっと読む）

（ａ）成膜性樹脂；
（ｂ）次式
【化１】


［式中、Ｒ₁は、C_1-20アルキル基、C_6-20アリール基またはC_6-20アラルキル基であり、この際、前記のC_1-20アルキル基、C_6-20アリール基またはC_6-20アラルキル基は、置換されていないか、またはハロゲン、C_1-20アルキル、C_1-8パーフルオロアルキル、C_1-20アルコキシ、シアノ、ヒドロキシルもしくはニトロから選択される一つもしくはそれ以上の基によって置換されており； Ｒ₂及びＲ₃は、それぞれ独立して、水素、C_1-8アルキル、C_1-8パーフルオロアルキル、C_1-8アルコキシ、ニトロ、ハロゲン、カルボキシル、ヒドロキシル及びスルフェートから選択され； ｍ及びｎはそれぞれ独立して０または正の整数であり； そしてＸ^-は酸の非求核性アニオンである］
で表される化合物；
（ｃ）場合によっては、光学的、機械的及び成膜特性を調節するための添加剤；
（ｄ）場合によっては、塩基または感放射線性塩基； 及び
（ｅ）溶剤、
を含む、ｉ線（３６５ｎｍ）でフォトレジスト層を形成するのに有用な組成物。
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【課題】本発明は、サブトラクティブ法に於いて、ドライフィルムレジストを用いることで微細な金属パターンを形成できる金属パターンの形成方法を提供するものである。
【解決手段】基板上にドライフィルムレジストを貼り付け（ａ）てから、エッチング（ｄ）を行うまでの間に、ドライフィルムレジストの薄膜化処理（Ｔ１〜Ｔ４）を行う金属パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン化銀等の酸化剤を必要とせず、効率よく画像形成が可能な色素形成材料、及びこれを用いた画像形成材料、画像形成方法の提供。
【解決手段】 下記一般式（１）で示されるアゾメチン色素前駆体と、該アゾメチン色素前駆体に作用してアゾメチン色素を形成する下記一般式（２）で表される脱保護剤とを含む色素形成材料、該色素形成材料を用いた画像形成材料および画像形成方法。
【化１】


［式中、Ａｒは芳香環等を、Ｃｐはカプラー残基を、Ｌ¹は、−ＣＯ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＳＯ₂Ｒ¹を、Ｒ¹はアルキル基等を、Ｌ²は色素形成の過程で離脱する置換基等をそれぞれ表す。］
【化２】


［式中、Ａは１価ないし３価の陽電荷を有する原子団を表し、ＢはＡの電荷を中和する陰電荷を有する原子団を表す。ｐ、ｑは１ないし６の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】高感度、高解像度、寸法制御性等の諸性能に優れたアルカリ水溶液を用いて現像するポジ型パタン形成材料およびそれを遮光膜として機能させる露光用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】放射線照射により酸を生じる化合物およびカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を有するバインダ樹脂、１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル基を有する化合物、および窒素含有樹脂結合剤を酸触媒付加反応させて得られる組成物を少なくとも含むパタン形成材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の表面にさらに微細なパターンを形成することができる微細レジストパターン、微細パターンの形成方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板６上に、特定の元素を含む特定のガスに接触して特定の元素と結合し所定のエッチングガスに対する耐性が強化される性質を有するレジスト層９を形成する工程と、レジスト層９に第一の露光１０を行い、第一の露光領域９ｂと第一の非露光領域９ａとを形成する工程と、第一の露光領域９ｂに対して第二の露光１１を行い、第二の露光領域９ｃと第三の露光領域９ｄとを形成する工程と、レジスト層９を特定のガスにさらして第三の露光領域９ｄのみを特定の元素と結合させる工程と、第二の露光領域９ｃと第一の非露光領域９ａとをエッチングにより除去し第三の露光領域９ｅからなるレジストパターンを形成する工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 シリル化プロセスを用いて微細なパターンの形成を可能とし、しかもシリル化部表面に形成されるＳｉＯ_x 層の除去を支障なく行うことのできる、半導体装置の製造方法が提供が望まれている。
【解決手段】 下地基板２０上の被パターニング層２３上にレジスト層２４を形成し、次にレジスト層２４の所定箇所を露光し、次いでこの露光工程後のレジスト層２４における未露光部分をシリル化する。続いて、露光した箇所のレジスト層２４をドライ現像によって除去し、シリル化された部分に対応した積層パターン３０を得る。次いで、積層パターン３０からその表層部に形成されたＳｉＯ_x層２９を除去してレジストパターン３２を形成する。その後、レジストパターン３２をマスクにして被パターニング層２３をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 感光層の上に水溶性のオーバーコートを有する感光性平版印刷版を画像露光の後、現像の前に洗浄水で洗浄して該オーバーコート層を除去する処理を含む処理方法における現像前洗浄に用いる洗浄水を循環再利用しても槽内や配管に炭酸カルシウムの沈着や樹脂濃度の上昇による処理速度の低下とカビ発生等の問題を解消し、処理の迅速化及び安定化が可能な感光性平版印刷版の処理方法を提供する。
【解決手段】 感光層の上に水溶性のオーバーコート層を設けた感光性平版印刷版を洗浄工程で洗浄水で洗浄した後に現像する処理方法において、該洗浄工程で用いる洗浄水がキレート剤、界面活性剤又は防腐剤を含有する洗浄液である処理方法。 （もっと読む）