【課題】 引き置きによるパターンの寸法変動を抑制し、精度よいパターンを再現性よく製造する方法の提供。
【解決手段】 （１）基板上にポリシラザン化合物および光酸発生剤を含んでなる感光性組成物の塗膜を形成させる工程、（２）塗膜を像様露光する工程、（３）塗膜を弱アルカリ性水溶液に浸漬する工程、および（４）現像する現像工程を含んでなるパターン形成方法、およびそれにより得られたパターンを焼成してシリカ質膜を製造する方法。このシリカ質膜は、半導体デバイスに応用することができる。 （もっと読む）

【課題】 カラーフィルターやブラックマトリックスパターンを形成するための顔料分散型感光性樹脂組成物の洗浄用として特に優れた洗浄除去用溶剤を提供する。
【解決手段】 洗浄除去溶剤として、ハンセン（Ｈａｎｓｅｎ）溶解パラメータにおける水素結合力パラメータ（δ_Ｈ）が５〜１０の溶剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】塗り付け開始時の厚塗りそのものを減少し、且つ、塗布開始時に塗布ビードを確実に形成できる塗布方法及び装置を提供する。
【解決手段】スライドビードコータ８４のスライド面８６上に、曲板状のガイド部材１００を設置する。ガイド部材１００は、リップ９４の延長上の点Ｏを中心として円弧状に形成され、ガイド部材１００の下流側端部１００Ｂは、リップ９４の上に配置される。スライド面８６上を流下する塗布液８８は、ガイド部材１００のガイド面１００Ａによってガイドされて集液され、液盛り上がり部９６を形成する。これにより、塗布液８８の架橋点が形成され、塗布が開始される。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁のフォトレジストを完全に除去するとともに、フォトレジストの外周部の盛り上がりを低減したフォトレジスト塗布方法を提供すること。
【解決手段】基板２１を回転させてフォトレジスト３１をスピンコートするフォトレジスト塗布工程と、基板２１を回転させながら基板２１の周縁２１Ａに溶剤４１を供給し、基板２１の周縁２１Ａからフォトレジスト３１を除去する周縁洗浄工程と、基板２１を回転させながらフォトレジスト３１の表面を乾燥させるフォトレジスト乾燥工程とで構成し、周縁洗浄工程とフォトレジスト乾燥工程とを複数回繰り返して、基板周縁のフォトレジスト３１の残渣を除去するとともに、フォトレジスト３１の外周部の盛り上がりを低減するようにした。 （もっと読む）

【課題】塗布膜液量を５ｃｃ／ｍ² 以下に薄膜塗布する場合でも、帯状支持体と計量用のロッドとが接触しないようにできるので、塗布層表面に欠陥を発生させることがない。
【解決手段】連続走行する可撓性の帯状支持体１４に給液流路１０から塗布液を所望塗布液量よりも過剰に塗布した直後、帯状支持体１４の塗布面側を、帯状支持体１４がラップされるロッドラップ面の下流側端部近傍が切り欠かれた切欠き部４２Ａを有すると共に、塗布中は回転しないように固定された切欠きロッドにラップさせる。 （もっと読む）

新聞のフレキソ印刷版を製造するために、デジタル画像化によるフレキソ印刷版のインライン製造のための装置が使用される。
（もっと読む）

【課題】 ｄｅｅｐＵＶ光のような短波長の光を露光源とし、比較的厚さが厚く、かつ高解像度のレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング基板に水酸基を持つポリマーおよび光酸発生剤を含むポジ型の化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をシリコン元素を含む化合物と気相中または液相中で反応させて前記レジスト膜表面において前記ポリマーをシリル化する工程と、シリル化された前記レジスト膜にディープ紫外光、電離放射線または近接場光を選択的に照射して露光する工程と、前記露光後の前記レジスト膜を水蒸気雰囲気中で加熱して前記レジスト膜表面の露光部においてシリル化されたポリマーを脱シリル化する工程と、現像して前記露光部を所望深さ選択的に除去する工程と、未露光部をマスクとして前記露光部に位置するレジスト膜部分をさらに酸素含有ガスを用いたドライエッチングにより除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 画像の欠けが防止された液晶表示装置、及びこれを製造するためのパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 仮支持体上に少なくとも一層の感光性樹脂層を有する感光性転写材料を基板に転写する工程、所望のパターンで露光する露光工程、及び、現像処理により不要部を除去する現像工程、を含み、かつこの順で実施されるパターン形成方法であって、前記転写工程と前記露光工程との間に、前記感光性転写材料を転写した基板を加熱する基板加熱工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。また、少なくとも一層のナフトキノンジアジド誘導体を含む感光性転写材料の転写工程の基板温度が１２０℃以上１８０℃以下、又はロール温度が１３０℃以上１６０℃以下又は搬送速度が１ｍ／分以上２ｍ／分以下であるパターン形成方法。また、熱可塑性樹脂と中間層がある場合には、前記転写工程と前記露光工程との間に、該熱可塑性樹脂層と該中間層とを除去する工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ＰＥＢ工程を行う前にフォトレジスト内のガスを抜くことにより、ガスによる被エッチング物の形状異常の発生を抑制し、かつ、ＰＥＢ工程による線幅制御性を確保することができる半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】 露光工程を終了した半導体基板１をＰＥＢ室５に配置されたヒータプレート７により、フォトレジスト３が硬化する温度よりも低い温度ＷＴ１に加熱し、ｔａ時間放置する。これにより、フォトレジスト３に含まれている溶剤などから発生するガスを、フォトレジスト３が硬化する前に抜くことができる。従って、ガスによりフォトレジスト３が膨張したり、ガスが、マスクされたフォトレジスト中に侵入したりすることがなくなるので、フォトレジスト３の形状が変化してしまい、被エッチング物の線幅性が低下してしまうおそれがない。 （もっと読む）

【課題】反射防止組成物および回路の製造に用いられるこれらの組成物の使用方法を提供する。
【解決手段】本発明の組成物は溶媒系に溶解または分散されたポリマーからなる。好ましい態様では、上記ポリマーが、式（Ｉ）および（ＩＩ）からなる群から選択される構造を有する光を弱める部位を含む。ここで、各Ｘ¹およびＸ²は、個別に、電子吸引基からなる群から選択され、Ｒ²はアルキル基およびアリール基からなる群から選択され、Ｒ³は水素およびアルキル基からなる群から選択される。得られた組成物は、スピンボール適合性があり（即ち、それらは、マイクロクロリソグラフィー工程の焼成段階より先に、または、保管している間に、架橋しない。）、湿式現像でき、優れた光学特性を有している。
【化１９】

（もっと読む）