【課題】厚膜の場合でもパターン寸法安定性に優れ、パターン密着性、エッジのシャープ性等が良好なパターンを形成でき、熱焼成工程で熱硬化収縮による表面粗度の悪化が生じず、遮光材としてカーボン等の導電性材料を用いた場合でも体積抵抗の低下のないブラックレジスト用感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（イ）光硬化性樹脂及び／又は光硬化性単量体、（ロ）黒色有機顔料、混色有機顔料及び遮光材から選ばれる少なくとも１種以上の遮光性顔料、及び（ハ）粒状シリカを含有して成るブラックレジスト用感光性樹脂組成物において、（ハ）成分の粒状シリカの一次粒子径の平均値が１０〜５０ｎｍ、遮光性顔料（ロ）と粒状シリカ（ハ）との一次粒子径の平均値の比（（ハ）／（ロ））が０．２〜５．０、及び組成物中の粒状シリカ（ハ）と遮光性顔料（ロ）との重量比（（ハ）／（ロ））が０．１〜１．０であるブラックレジスト用感光性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】基板に処理ガスを供給してガス処理を行う際に、大型化、複雑化を招くことなく、かつ処理ガス吐出口から基板までの距離を極力小さくすることができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】リフロー装置１００は、基板Ｇを搬送する搬送路２と、搬送路２の上方に設けられ、複数の処理ガス吐出口１１および吸引口１２が形成され搬送路２と対向する基準面１０ａを有し、搬送路２を搬送されている基板Ｇに処理ガスを供給し、かつ搬送路２を搬送されている基板Ｇを処理ガスの吐出および吸引により浮上させる浮上部材１０と、搬送路２に沿って基板Ｇを搬送させる搬送機構５と、浮上部材１０の処理ガスの吐出および吸引を調節して基準面１０ａと基板Ｇとの距離を制御する制御部２５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】より微細なパターンを簡便かつ効率的に形成可能であるとともに、半導体の製造プロセスに適用することのできる、実用性の高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）レジスト層を選択的に露光した後、現像して第一のパターンを形成する工程と、（２）隣接する第一のパターンどうしの間に、ポリシロキサンを含む樹脂成分及び溶媒を含有するとともに、酸発生剤から発生する酸の作用により架橋可能な樹脂組成物からなる未架橋埋め込み部を形成する工程と、（３）未架橋埋め込み部の所定領域を架橋させて、第一のパターン、第一の架橋部、未架橋埋め込み部、及び第二の架橋部がこの順で配列して繰り返す配列構造を形成する工程と、（４）第一のパターン及び未架橋埋め込み部を除去して第二のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法において有用である、除去可能な撥液性層を容易に形成することができる感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】パーフルオロアルキル基含有重合性不飽和モノマーと、ターシャリーブチル基で保護されたカルボキシル基を有する重合性不飽和モノマーおよび／またはターシャリーブチルオキシカルボニル基で保護されたフェノール基を有する重合性不飽和モノマーと、を少なくとも共重合することにより得られる、パーフルオロアルキル基含有樹脂（Ａ）；および、露光により酸を生じる光活性剤（Ｂ）；を含む、感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 微小なコンタクトホールを狭いピッチで形成することができ、且つ露光装置に対する要求（高ＮＡ）の緩和及びチップ面積の縮小をはかる。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、被処理膜１１上に、複数のコンタクトパターンのパターン開口を有し、且つ隣接するパターン開口を括れた状態で接続する接続開口を有するマスク材料膜２２を形成した後、マスク材料膜２２の各開口の側壁に側壁膜２５を形成することにより、パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離し、次いでマスク材料膜２２及び側壁膜２５をマスクとして被処理膜２１を選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】減少された寸法の電子装置フィーチャーを提供するための新規な方法を有することが望まれている。
【解決手段】半導体装置を製造するための新規な方法が提供される。本発明の好適な方法は、半導体基体の表面にフォトレジストを堆積させ、その後、レジストコーティング層を画像形成および現像すること；そのレジストレリーフ画像上に硬化性の有機または無機組成物を適用すること；エッチングしてその硬化性組成物により覆われたレジストのレリーフ画像を提供すること；および、そのレジスト物質を取り除き、これにより、硬化性の有機または無機組成物が、先に現像されたレジスト像と比較してピッチの増加したレリーフ画像で残存すること；を含む。 （もっと読む）

【課題】インクの残渣が発生しにくい隔壁と、インクの濡れ性に優れたドットを形成しうる含ケイ素重合体を含む感光性組成物の提供。
【解決手段】エチレン性二重結合を有する単量体の２種以上の共重合体であって、ケイ素原子含有基を有する側鎖と、側鎖１つにエチレン性二重結合を２つ以上有する側鎖とを有する含ケイ素重合体（Ａ）と、１分子内に酸性基とエチレン性二重結合とを有する感光性樹脂（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）とを含有する組成物であって、組成物の全固形分における含ケイ素重合体（Ａ）の割合が０．１〜２５質量％である感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】骨格中にハロゲン原子を含まず、化学線に対する透明性が高く高感度であり、半導体装置の製造工程で通常使用される現像液（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）による現像コントロール可能であり、熱硬化レリーフパターンの耐溶剤性が高いポリアミドを提供する。
【解決手段】ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン及びジカルボン酸を脱水縮合した化合物の繰り返し構造を有するポリベンゾオキサゾール前駆体ユニット、ならびにフェノール性水酸基を有さないジアミン及びフェノール性水酸基を有さないテトラカルボン酸を脱水縮合した化合物の繰り返し構造を有するポリイミドユニットの両方のユニット構造を有するポリアミドであり、例えば、下記一般式（１）で表されるポリアミド。
【化１】
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【課題】フォトレジストパターン用被覆材及びそれを用いた微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストパターン用被覆材１０Ｂは水溶性ポリマー及び下記の化学式１または化学式２で表される化合物からなる群より選択される少なくとも一つである添加剤を含む。


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【課題】レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法等を提供する。
【解決手段】パターンの形成方法であって、
母材上の薄膜の表面に、レジストによるパターンを形成する工程と、
レジストによるパターンの上に、反転層を形成する工程と、
反転層を前記レジストの表面が露出するまで除去した後に、レジストを除去することにより、レジストによるパターンと相補的な前記反転層による反転パターン形成する工程と、
反転層による反転パターンをマスクとして前記薄膜をエッチングし、該薄膜上に反転層を有する該薄膜によるハードマスク層を形成し、該ハードマスク層をマスクとして、または薄膜上の前記反転層を除去したハードマスク層をマスクとして、母材をエッチングする工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）