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国際特許分類[G03F7/40]の内容

国際特許分類[G03F7/40]に分類される特許

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【課題】レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法等を提供する。
【解決手段】パターンの形成方法であって、
母材上の薄膜の表面に、レジストによるパターンを形成する工程と、
レジストによるパターンの上に、反転層を形成する工程と、
反転層を前記レジストの表面が露出するまで除去した後に、レジストを除去することにより、レジストによるパターンと相補的な前記反転層による反転パターン形成する工程と、
反転層による反転パターンをマスクとして前記薄膜をエッチングし、該薄膜上に反転層を有する該薄膜によるハードマスク層を形成し、該ハードマスク層をマスクとして、または薄膜上の前記反転層を除去したハードマスク層をマスクとして、母材をエッチングする工程と、を有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】良好な感度および解像力を有するとともに、プロセス裕度およびプロセス安定性に優れた化学増幅型感放射線性樹脂組成物を用いて、特に0.2μm以下の微細レジストパターンを形成する際に、マイクロブリッジ等のパターン欠陥の発生の極めて少ないパターニングを実現する。
【解決手段】化学増幅型感放射線性樹脂組成物として、組成物中のベース樹脂であるアルカリ可溶性樹脂あるいは酸解離性保護基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性樹脂における、多角光散乱法によるゲル透過クロマトグラフィー法により求めた重量平均分子量のポリスチレン換算値が100万以上の超高分子量成分が0.2ppm以下であるものを用い、これを被加工対象2上に塗布してフォトレジスト膜3を形成した後、露光、現像することにより0.2μm以下の微細レジストパターン4を形成する。次いでドライエッチングを行い、半導体装置のゲート電極やホール形状、溝形状などのパターニングを行う。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法であって、ドライエッチング処理後のフォトレジスト層の除去が容易であって、所望の着色層パターンを形成することが可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】(a)支持体上に着色層を形成する工程と、(b)前記着色層上にフォトレジスト層を形成する工程と、(c)前記フォトレジスト層をパターン様に除去して前記着色層上に画像を形成する工程と、(d)前記パターン様に前記着色層をフッ素系ガスと酸素とを含むガスを用いたドライエッチング処理により除去する工程と、(e)前記ドライエッチング処理によりフォトレジスト層の露出面側に形成された表面変質層を、含酸素ガスを用いたドライエッチング処理により除去する工程と、(f)残存するフォトレジスト層を除去する工程と、を含むカラーフィルタの製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】基板に形成されたレジストパターンとミキシングすることがなく、且つこのパターン間に良好に埋め込むことができると共に、酸素アッシング耐性及び保存安定性に優れるパターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法を提供する。
【解決手段】本反転パターン形成方法は、基板上にレジストパターンを形成する工程と、パターン間にパターン反転用樹脂組成物を埋め込む工程と、レジストパターンを除去し、反転パターンを形成する工程と、を備えるものであって、パターン反転用樹脂組成物は、ポリシロキサン及び有機溶剤を含有し、且つポリシロキサンは、[RSiX4−a](Rは炭素数1〜3のアルキル基、Xは塩素原子又は−OR、Rは炭素数1〜4のアルキル基、aは1〜3の整数である)で表される1種又は2種以上の化合物を加水分解及び/又は縮合させて得られたものである。 (もっと読む)


【課題】350〜430nmの波長を有する光源に対して、感度、密着性に優れ、かつコントラストおよび保存安定性の良好な、アルカリ性水溶液によって現像しうる感光性樹脂組成物の提供。
【解決手段】(a)α,β−不飽和カルボキシル基含有単量体を共重合成分として含み、酸当量が100〜600であり、重量平均分子量が20,000〜500,000である熱可塑性共重合体:20〜90質量%、(b)少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー:5〜75質量%、(c)アクリジン誘導体を含む光重合開始剤:0.01〜20質量%、(d)特定のメルカプトチアジアゾール化合物:0.01〜5質量%、及び(e)ロイコ染料:0.01〜5質量%、を含有する感光性樹脂組成物を用いる。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体1上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成し、第一のレジスト膜2を選択的に露光し、現像して複数のレジストパターン3を形成し、レジストパターン3の表面にそれぞれ金属酸化物膜からなる被覆膜4を形成して複数の被覆パターン5を形成し、該被覆パターン5に対して200℃以上の温度でベーク処理を施し、該被覆パターン5が形成された支持体1上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成し、第二のレジスト膜6を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン5と、第二のレジスト膜6に形成されたレジストパターン7とからなるパターンを支持体上に形成する。 (もっと読む)


本発明の触媒前駆体樹脂組成物は有機高分子樹脂と、フルオロ化銀イオン有機錯化物と、エチレン性不飽和結合を有する多官能単量体と、光開始剤と、有機溶媒を含んで成り、金属パターンは本発明の触媒前駆体樹脂組成物で基材に触媒パターンを形成した後、形成された触媒パターンを還元させ、還元された触媒パターンに無電解メッキして形成される。本発明の触媒前駆体樹脂組成物を用いて金属パターンを形成する場合、触媒の混和性に優れて沈殿がなく、形成された触媒層の耐化学性と接着性に優れ、現像またはメッキ工程のような湿潤工程中の触媒の損失が少なく、蒸着速度が向上され、無電解メッキ後、均一で、且つ微細な優れたパターン特性を有する金属パターンが形成される。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体1上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成し、第一のレジスト膜2を選択的に露光し、現像して複数のレジストパターン3を形成し、レジストパターン3の表面にそれぞれ金属酸化物膜からなる被覆膜4を形成して複数の被覆パターン5を形成し、該被覆パターン5が形成された支持体1表面をアルカリ処理し、該被覆パターン5が形成された支持体1上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成し、第二のレジスト膜6を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン5と、第二のレジスト膜6に形成されたレジストパターン7とからなるパターンを支持体上に形成する。 (もっと読む)


フォトリソグラフィ2層塗布基板を形成する、多層リソグラフィプロセスで使用するためのエッチング耐性熱硬化性下層組成物であって、該組成物は、(a)構造式(I)の少なくとも一つの繰り返し単位と、構造式(II)の少なくとも一つの繰り返し単位と、任意に構造式(III)の少なくとも一つの繰り返し単位と、から構成される、但し、構造式(I)、構造式(II)及び構造式(III)のいずれも酸感応性基を含有しない、少なくとも一つのシクロオレフィンポリマーと、(b)アミノ又はフェノール架橋剤からなる群から選択される少なくとも一つの架橋剤と、(c)少なくとも一つの熱酸発生剤(TAG)と、(d)少なくとも一つの溶媒と、(e)任意に、少なくとも一つの界面活性剤と、を有する。
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【課題】220℃以下の低温下の加熱処理でも十分な耐熱性と機械特性を与えるネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】ネガ型感光性樹脂組成物は、(a)一般式(I)で示される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、(b)活性光線照射により酸を発生する化合物と、及び(c)酸の作用により前記(a)成分と架橋あるいは重合し得る化合物とを含有してなる。
【化1】


(式中、U又はVは二価の有機基を示し、U又はVの少なくとも一方は炭素数1〜30の脂肪族鎖状構造を含む基である。) (もっと読む)


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