【課題】クロムが入っていない位相変位リソグラフィを用いて微細フィーチャの形成を容易にする方法を提供する。
【解決手段】細長い、クロムが入っていない架橋フィーチャ１０４は、フォトリソグラフィマスクを通るエネルギに対して１８０度を超える公称位相差を引起すエッチング深さを有して、フォトリソグラフィマスク上に形成される。対応するフォトレジストフィーチャは架橋フィーチャ１０４を用いて形成される。位相差は、対応するフォトレジストフィーチャの寸法的変動を最小にするよう選択される。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗センサーのための磁気バイアス構造を提供する。
【解決手段】 本発明は、自由層の堅牢性向上およびバルクハウゼンノイズの低減のために磁気バイアスを改善する新たな磁気バイアス構造を有する磁気読み出しヘッドである。バイアス構造は、第１および第２の下層の上に形成されるハード磁性層を含む。第１の下層の少なくとも一部分は、別個の材料の島として形成され、第２の下層は第１の下層の上に形成される。第１の下層は、０．２５〜０．７５ｎｍの厚さを有する。新たなシード層構造により、ハード磁性層が、センサースタックに隣接する領域でも、センサースタックの自由層と実質的に平行な磁気異方性を有する。 （もっと読む）

【課題】CPP-Tri-layer型磁気ヘッドの小型化を実現する。
【解決手段】実施形態に係わる磁気ヘッドは、第１及び第２磁気シールド層１１，１５間に配置される磁気抵抗素子とハードバイアス層ＨＢとを備える。磁気抵抗素子は、第１及び第２磁気フリー層ＦＬ１，ＦＬ２と、これらの間の非磁性層１３とを備える。第１及び第２磁気フリー層ＦＬ１，ＦＬ２の磁化方向は、外部磁界が零のときにハードバイアス層ＨＢからの磁界により概略垂直状態にある。ハードバイアス層ＨＢは、Fe、又は、FeとCoを主成分とする合金を備える。ハードバイアス層ＨＢのアスペクト比は、２以上である。ハードバイアス層ＨＢの厚さは、第１及び第２磁気シールド層１１，１５間のギャップよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】読み取り素子のための空間の大きさを縮小することによって、磁気シールドの大きさおよびシールド間の利用可能な空間の大きさを最小化する。
【解決手段】空気ベアリング面（ＡＢＳ）１４８に対して設置されたデータ読み取りスタック１３２は、第１のバッファ層１４２と第２のバッファ層１４２との間に取り付けられ、少なくとも一方のバッファ層は、データ読み取りスタックに所定の短絡比を付与する。 （もっと読む）

【課題】 シザーズ構造を有する磁気抵抗センサの磁気バイアス構造を提供する。
【解決手段】 磁気バイアス付与の堅牢性を向上させる新規のハードバイアス構造を有するシザーズ型磁気センサ。当該センサは、電気絶縁障壁層または導電スペーサ層等の非磁性層により分離された第１の磁気層および第２の磁気層を含むセンサスタックを含む。第１の磁気層および第２の磁気層は、逆平行に結合されるが、磁気バイアス構造により、エアベアリング面に対して平行でも垂直でもない方向に傾けられた磁化方向を有する。磁気バイアス構造は、センサスタックの後縁から延在し、センサスタックの第１の側面および第２の側面に整列した第１の側面および第２の側面を有するネック部を含む。バイアス構造はまた、ネック部から後方に延在する先細または楔形部を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲ素子の設置環境が高温環境下であってもＴＭＲ素子の絶縁破壊を防ぎ、さらにはノイズの影響を受け難く、高いＳ／Ｎ比を得ることができる磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 トンネル磁気抵抗素子２と、該トンネル磁気抵抗素子２の両端子に一端が接続された一対のリード線３と、一対のリード線３の他端に接続されトンネル磁気抵抗素子２を電圧駆動または電流駆動して抵抗変化を検出する駆動検出回路４とを備え、該駆動検出回路４が、一対のリード線３の他端に接続された一対の出力端子４ａ間に少なくとも一対のダイオード６ａを互いに逆向きにして並列または直列に接続して構成された保護回路６を有している。 （もっと読む）

【課題】この発明のさまざまな実施例は、第１の強磁性自由層１３８と第２の強磁性自由層１４０との間に配置されたスペーサ層１４２とともに構築されてもよい、磁気応答積層１３２に一般的に向けられる。
【解決手段】少なくとも１つの強磁性自由層は、磁気応答積層の磁気抵抗比（ＭＲ）を向上させる結合サブ層１８６，１９６を有することができる。 （もっと読む）

【課題】装置、センサおよびセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】さまざまな実施の形態が、概して所定の第１の形態を有する減結合層で構築された磁気センサに向けられる。磁気自由層は、減結合層に接して隣り合うように蒸着可能であり、減結合層は、処置得の第２の形態を有する少なくとも第１のサブ層を有するように構成された磁気自由層を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と不変な磁化方向とを有する第１の磁性体３０と、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と可変な磁化方向とを有する第２の磁性体１０と、磁性層１０，３０の間の非磁性体２０とを、含む。第１及び第２の磁性体のうち少なくとも一方は、ボロン（Ｂ）及び希土類金属及び遷移金属を含む磁性層３０１を備え、磁性層３０１において、希土類金属の含有量は、２０ａｔ．％以上であり、遷移金属の含有量は、３０ａｔ．％以上であり、ボロンの含有量が、１ａｔ．％以上、５０ａｔ．％以下である。 （もっと読む）

【課題】安定した情報の記録および再生を行なうことができる。
【解決手段】本実施形態に係る磁気媒体は、第１磁性層、第２磁性層、および非磁性層を含む。第１磁性層は、第１磁性体により形成され、磁化の方向に応じて前記情報が記録される。第２磁性層は、前記第１磁性体と磁気異方性が異なる第２磁性体により形成される。非磁性層は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に積層され、非磁性体で形成される。前記第１磁性層の磁化と前記第２磁性層の磁化とは、前記非磁性層を介した磁気の交換作用により、互いの磁化が反対方向を向いて結合することを示す反平行結合する。 （もっと読む）