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国際特許分類[G11B5/39]の内容

国際特許分類[G11B5/39]に分類される特許

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【課題】安定的に薄膜をパターニングするためのマスクの作成方法を提供する。
【解決手段】本発明は、薄膜をパターニングするためのマスクの作成方法に関する。この方法は、基板の上にアルカリ溶液に可溶な無機材料を成膜するステップS1と、無機材料を所定のパターンに形成するステップS2と、無機材料をアルカリ溶液によって狭小化してマスクを形成するステップS3と、を含む。 (もっと読む)


【課題】再生信号におけるビット間干渉ノイズを低減する。
【解決手段】一実施形態のスピントルク発振素子再生ヘッドは、スピントルク発振素子及び一対のシールド部を備える。スピントルク発振素子は、磁気記録媒体に対向する第1の対向面を有する。前記スピントルク発振素子は、1対のシールド部の間に配置される。シールド部は、前記磁気記録媒体に対向する第2の対向面をそれぞれ有する。前記第2の対向面のそれぞれと前記磁気記録媒体との距離は、前記第1の対向面と前記磁気記録媒体との距離よりも短い。 (もっと読む)


【課題】フォームファクタの小型化に伴う、磁気不安定性を防ぐと共に、再生信号出力が上昇し、読み取り性能が向上した磁気センサ装置を提供する。
【解決手段】空気ベアリング面(ABS)に位置付けられ、スペーサ138を介して、第1の磁化自由層136と第2の磁化自由層136とを有して構成される三層スタック132を備え、三層スタックは、ABSに対して直交する軸に沿ったストライプ高さ154を有し、磁化自由層の各々がABSに対して傾斜した一軸異方性を有する。 (もっと読む)


【課題】 熱マグノンによるスピントルク発振素子を提供する。
【解決手段】 「熱マグノンによる」スピントルク発振素子(STO)は、熱流のみを用いて、スピントルク(ST)効果を惹起しかつ自由層磁化の持続的な振動を発生させる。熱マグノンによるSTOは、従来型の自由層および基準層に加えて、さらに、固定された面内磁化を有する磁性酸化物層と、その磁性酸化物層の1つの表面上の強磁性金属層と、自由層および金属層間の非磁性導電層と、磁性酸化物層のもう一方の表面上の電気抵抗性ヒータとを含む。熱マグノン効果のために、金属層と伝導層と自由層とを通る磁性酸化物層からの熱流によって、最終的に、自由層に対するスピン移行トルク(STT)が生じる。熱流と反対方向に流れるセンス電流が、自由層磁化の振動周波数を監視するために用いられる。 (もっと読む)


【課題】十分に高い抵抗変化率および絶縁破壊電圧を確保しつつ、安定した製造に適した磁気トンネル接合素子を備えた磁気メモリ構造を提供する。
【解決手段】この磁気メモリ構造は、基体上に、第1シード層と導電層とを順に有する下部電極と、導線としての上部電極と、下部電極と上部電極との間に配置され、かつ、下部電極の側から順に、下部電極と接すると共に窒化タンタルを含む第2シード層と、反強磁性ピンニング層と、ピンド層と、トンネルバリア層と、磁化自由層と、上部電極と接するキャップ層とを有する磁気トンネル接合素子とを備える。窒化タンタルは、窒素プラズマをタンタルのターゲットに衝突させる反応性スパッタリング処理によって形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】CPP構造磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、素子高さ方向の磁気抵抗効果センサ膜ジャンクション端部のエッチングダメージの影響を低減し、また、上部シールド層と下部シールド層の間の絶縁耐圧の劣化や、シールド起因の再生特性の変動を小さく抑え、さらに静電容量を小さく保つ。
【解決手段】ピニング層13の下面の素子高さ方向長さが第1の強磁性層14の下面の素子高さ方向長さよりも長く、ピニング層13の素子高さ方向端部が磁気抵抗効果センサ膜下面を延長した面に対してなす角度が、第2の強磁性層16の素子高さ方向端部が磁気抵抗効果センサ膜下面を延長した面に対してなす角度よりも小さく、素子高さ方向リフィル膜18の上面の高さが磁気抵抗効果センサ膜の上面と同じか、それよりも高い磁気抵抗効果型ヘッドとする。 (もっと読む)


【課題】耐食性スペーサ層を備え、より高い信号雑音比を有するCPP−GMRセンサを提供する。
【解決手段】膜面垂直通電(CPP)型巨大磁気抵抗効果(GMR)センサのスペーサ層を形成する材料の電気抵抗と耐食性を増大させるための方法と装置。スペーサ層および、それゆえCPP−GMRセンサの抵抗を大きくすることにより、より大きな電圧をセンサにかけることができ、信号対雑音比をより高くすることができる。スペーサ層の耐食性を高めることにより、製造中にスペーサ層を腐食性材料に曝す影響が最小限となる。たとえば、スズを銀に添加して金属合金スペーサ層を形成すれば、このスペーサ層の耐食性とCPP−GMRセンサの電気抵抗は、銀のみからなるスペーサ層の場合より増大する。Ag−Sn合金により、より大きな電流がセンサを流れ、これによって信号対雑音比が増大する。 (もっと読む)


【課題】小さいバンドギャップを持つ障壁膜を岩塩構造の(001)方向に高配向させて、低抵抗かつ高効率なスピン注入素子を提供する。
【解決手段】下地膜300、非磁性シード膜310、強磁性膜305、障壁膜307、強磁性膜308、保護膜309を積層してトンネル磁気抵抗効果素子1を形成する。非磁性シード膜310として、格子定数が強磁性膜305の格子定数の√2倍よりも小さい面心立方格子の物質を用いる。 (もっと読む)


【課題】CCP−CPP素子のMR変化率を向上させる。
【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と具える磁気抵抗効果素子において、前記磁化固着層の層中、前記磁化自由層の層中、前記磁化固着層及び前記スペーサ層の界面、並びに前記磁化自由層及び前記スペーサ層の界面の少なくとも一か所に、Si、Mg、B、Alを含む機能層を設ける。 (もっと読む)


【課題】 高い信号出力を有するスピン蓄積型磁気再生ヘッドおよび高密度の磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 第1の電極層の一端上に、第1の絶縁層を介して積層された第1の強磁性体層と、第1の電極層の他端上に、第1の絶縁層よりも大きな接合面積を持つ第2の絶縁層を介して積層された第2の強磁性体層と、第1の強磁性体層に接続されている検出電極と、第2の強磁性体層に接続されている第2の電極層とを備え、第1の電極層の幅lbが、第1の絶縁層から第2の絶縁層方向に向かうにつれ大きくなり、かつ第1の絶縁層と第2の絶縁層の間で一定の幅を持つ部分laを備えている。 (もっと読む)


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