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国際特許分類[H01J37/244]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの (7,637) | 細部 (4,344) | 検出器;関連の構成要素またはそのための回路 (320)

国際特許分類[H01J37/244]に分類される特許

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【課題】検査精度を向上させ、5〜30nmのデザインルールにも適用できる検査方法及び検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明の検査装置は、荷電粒子又は電磁波の何れか一つをビームとして発生させるビーム発生手段と、ワーキングチャンバ内に保持した検査対象に前記ビームを導き照射する1次光学系と、可動式のニューメリカルアパーチャ、および前記検査対象から発生して当該ニューメリカルアパーチャを通過した二次荷電粒子を検出する第1検出器を有する2次光学系と、前記第1検出器によって検出された二次荷電粒子に基づいて画像を形成する画像処理系と、前記可動式のニューメリカルアパーチャと前記第1検出器の間に設けられ、前記検査対象から発生する二次荷電粒子のクロスオーバ位置における位置及び形状を検出する第2検出器とを備える。 (もっと読む)


【目的】本発明は、電子検出装置および電子検出方法に関し、サンプルからの電子をほぼ完全に検出すると共に、チャネルによる増倍飽和による影響を低減して大きな入力電流まで比例した出力電流の検出することを目的とする。
【構成】電子を衝突させて2次電子を放出して増倍する第1の電子増倍手段と、第1の電子増倍手段に電子を加速して集束し衝突させる電圧を印加する第1の電圧印加手段と、第1の電子増倍手段より増倍されて放出された2次電子を衝突させて2次電子を放出して増倍する第2の電子増倍手段と、第2の電子増倍手段に第1の電子増倍手段から放出された電子を加速して集束し衝突させる電圧を印加する第2の電圧印加手段と、第2の電子増倍手段により増倍されて放出された2次電子を衝突させて電流を検出するアノードと、アノードに第2の電子増倍手段から放出された電子を加速して衝突させる電圧を印加する第3の電圧印加手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、異なる種類の複数の検出器を有した走査電子顕微鏡において、任意の観察条件で操作者が所望する観察画像を容易に取得する手段を提供することにある。
【解決手段】前記目的を達成するために、任意の観察条件を連続的に変化させながら画像をリアルタイムに表示させ、操作者はリアルタイムに表示される画像から、最適と感じる画像を選択することで容易に画像を取得することができる。観察条件には、ワーキングディスタンス,真空度,複数に分割された反射電子検出素子の検出信号の加減算操作、低真空二次電子検出器のバイアス電極に印加する電圧、ミキシング画像を表示する際の信号の混合比がある。 (もっと読む)


【課題】低照射量で取得される画像の品質改善。
【解決手段】当該粒子光学装置は、粒子源101、結像される対象物111を設ける対象物面、対象物面を照射する収束系104、対象物を透過する粒子を結像させ、対象物面の画像を生成する投影系106、及び画像を検出する検出器150を有する。検出器は、画素のアレイを有する半導体センサを有する。画素のアレイは、検出器に入射する粒子に応答して、アレイの各対応する画素から複数の画素信号を供する。当該方法は、複数の画素信号を受信する手順、複数の画素信号のビタビ検出(ViterbiDetection)を用いて再構成された画像を決定する手順を有する。ビタビ検出は、検出器に入射する複数の粒子の分布に対応する複数の異なる状態、及び、少なくとも2つの状態であって、複数の画素信号の単一の画素に入射する粒子のゼロではない同一の多重度に対応する状態を用いる。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、検出器等以外の方向に向かう荷電粒子を高効率に検出可能とする荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために、試料から放出される荷電粒子の軌道を集束する集束素子を、当該集束素子による集束作用が、試料に向かう荷電粒子線に影響を与えない(或いは影響を抑制可能な)位置に配置した荷電粒子線装置、及び荷電粒子線の照射方法を提案する。集束作用は、試料から放出された電子に選択的に影響し、試料に向かう荷電粒子線への影響を抑制されるため、試料から放出され、検出器等以外の方向に向かう荷電粒子を集束し、検出器等に導くことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、SEM用の複合静電/磁気対物レンズ内に設けられた鏡筒内後方散乱電子検出器に関する。
【解決手段】 当該検出器は、荷電粒子に敏感な表面−好適には静電集束場を生成する電極面(110)の1つとして機能するシンチレータディスク(406)−として形成される。前記シンチレータ内で生成された光子は、光子検出器(202,408)−たとえばフォトダイオード又は多画素光子検出器−によって検出される。前記対物レンズには、軸付近に保持される2次電子を検出する他の電子検出器(116)が備えられて良い。導光体(204,404)が、前記光子検出器とシンチレータとの間での電気的絶縁を供するのに用いられて良い。 (もっと読む)


【課題】nAレベルのきわめて小さいエミッション電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析方法を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析方法は、蛍光スクリーン18の直前に配置されて反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート17a,17bを含み、nAのレベルのエミッション電流値の電子線28を電子銃15から薄膜表面に向かって発射し、マイクロチャンネルプレート17a,17bによって電流増幅された反射電子を蛍光スクリーン18に入射させ、反射電子から生成される反射電子像回析パターンを蛍光スクリーン18に映し出す。 (もっと読む)


【課題】nAレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析装置10は、真空チャンバーの内部に着脱可能に設置された蒸着源14a〜14cと、試料11に形成された薄膜に向かって電子線28を発射する電子銃15と、薄膜の表面において反射した反射電子から生成される反射電子像回析パターンを映し出す蛍光スクリーン18と、反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート17a,17bとを有する。反射高速電子回析装置10では、nAのレベルのエミッション電流値の電子線28を電子銃15から薄膜に向かって発射する。 (もっと読む)


【課題】コントラストを向上させた荷電ビーム装置を提供する。
【解決手段】試料を検査する荷電粒子ビーム装置は、一次荷電粒子ビーム(7)を発生させる荷電粒子ビーム源(5)と、一次荷電粒子ビームを試料(3)上に差し向ける対物レンズ装置(40,45)と、試料から飛び出た二次荷電粒子を加速する減速界型装置と、中央開口(16)を備えていて、二次粒子を検出する少なくとも2つの方位検出器セグメントを含む第1の検出器装置(15,150)とを有し、対物レンズ装置は、試料からの飛び出し角度の異なる粒子が対物レンズと検出器装置との間で試料から実質的に同一距離のところにクロスオーバを呈するよう構成され、対物レンズとクロスオーバ(90)との間に設けられたアパーチュア(100)が検出器装置(15)の中央開口よりも小さい開口を有する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、TEMにおける直接電子検出器の保護方法に関する。
【解決手段】 本発明は、新たなビームパラメータの設定前に、検出器上での電流密度を予測する手順を有する。ビームパラメータとはたとえば、収束レンズ(104)と投影レンズ(106)の励起、及び/又はビームエネルギーの変化である。予測は、光学モデル又はルックアップテーブルを用いることによって行われる。前記検出器の予測された露光が所定値未満であるとき、所望の変化が行われ、さもなければ、警告メッセージが発生して、設定の変更は延期される。 (もっと読む)


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