【課題】粒内欠陥を抑制した高品質な結晶を得る。
【解決手段】投影マスク１５は、第１スリットパターン１５−１を介したレーザ光の照射によって、第１照射パターンを形成するためのブロックＢ１と、第２スリットパターン１５−２を介した照射によって、第１照射パターンと平行であるとともに第１照射パターンの端部の一部を重畳する第２照射パターンを形成するためのブロックＢ２と、第３スリットパターン１５−３を介した照射によって、第１照射パターンおよび第２照射パターンと直交する第３照射パターンを形成するためのブロックＢ３と、第４スリットパターン１５−４を介した照射によって、第１照射パターンと平行である第４照射パターンを形成するためのブロックＢ４とを備え、第３レーザ光の照射により、第１照射パターンと第２照射パターンと第３照射パターンとの重畳領域に単結晶の種結晶領域を形成し、第４照射パターンが種結晶領域の一部と重畳する。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン層を得る結晶化技術として、能動層の一部にＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕの金属触媒を導入し、加熱処理を施して結晶化を行い、引き続きエキシマレーザ等によりエネルギーを与えることで種結晶を形成し、非晶質シリコン層領域を結晶化するという発明が提案されているが、この技術を用いた場合、種結晶の面配向を制御することができないという課題がある。
【解決手段】アルミニウム層１０２上に非晶質シリコン層１０３を堆積した後、アニールを行うことで層転換を行わせる。同時に非晶質シリコン層１０３は（１１１）配向を有する多結晶シリコン層１０４に変換される。多結晶シリコン層１０４をパターニングし種結晶として用いて、積層された非晶質シリコン層１０５をレーザアニールにより結晶化し、結晶シリコン層１２を有する半導体装置１０８の製造方法を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶性のよい窒素化合物半導体層が得られ、しかも低コストで生産性のよい窒素化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４とを有するＳｉ基板１を準備する工程と、上記Ｓｉ基板１を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる際に、上記埋め込み絶縁層４との界面８近傍のＳｉ層を残存Ｓｉ層５として残す工程と、表面の単結晶ＳｉＣに対してさらに窒素化合物半導体層１５をエピタキシャル成長させる工程とを行なう。 （もっと読む）

【課題】薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明が提供する薄膜製造方法は、以下のステップを含む：オリジナル基板を提供する；エッチング停止薄膜層をオリジナル基板上に形成する；犠牲層をエッチング停止薄膜層上に形成する；気体イオンを注入し、イオン分布濃度ピーク層を形成し、有効転移薄膜層及び残留層を定義する；有効転移薄膜層及び残留層を分離する。犠牲層の厚度を制御することにより、有効転移薄膜層の厚度を効率的に制御することができる。また、有効転移薄膜層厚度を均一にし、ナノメートルオーダーの厚度を達成する。 （もっと読む）

【解決手段】 微小電子デバイスを形成する方法および対応する構造を記載する。当該方法は、基板にＧａＳｂ核生成層を形成する段階と、ＧａＳｂ核生成層にＧａ（Ａｌ）ＡｓＳｂバッファ層を形成する段階と、Ｇａ（Ａｌ）ＡｓＳｂバッファ層にＩｎ_０．５２Ａｌ_０．４８Ａｓ下側バリア層を形成する段階と、Ｉｎ_０．５２Ａｌ_０．４８Ａｓ下側バリア層にＩｎ_ｘＡｌ_１−ｘＡｓグレーデッド層を形成する段階とを備えるとしてよい。当該方法によれば、欠陥の少ない、勾配をつけたＩｎＧａＡｓベースの量子井戸構造を有するデバイスを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素エピタキシャル層中の基底面転位を減らすことができる炭化珪素半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の構成要素が作りこまれるための層であるドリフト層となる第１の半導体層と，炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板の間に，ドリフト層と同一伝導型の２層以上の半導体層によって構成されるバッファ層をエピタキシャル成長によって設ける。ドリフト層とこのバッファ層の界面，バッファ層を構成する半導体層間の界面，前記バッファ層と下地基板の界面においてドナー濃度の段差を設け，ドリフト層側の方が下地基板側よりもドナー濃度が低くなるようにするすることにより，ドリフト層が単層であるよりも，あるいは，１層からなるバッファ層を設けるよりも，多くの基底面転位を貫通刃状転位に変換することができる。 （もっと読む）

多結晶層の製造方法において、基材（１）上に一連の層を堆積し、前記一連の層は、非晶質初期層（４）、金属活性層（２）および初期層（４、１０）と活性層（２、１１）との間に堆積された中間層（３）を含む。中間層（３）をチタンをベースとして製造する。活性層（２）に位置する多結晶最終層を製造するために一連の層を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶化触媒の均一な低濃度拡散制御で金属触媒から形成されるシードの位置を調整して多結晶シリコーン層内のチャネル領域を単結晶に近いように形成することによって薄膜トランジスタの素子特性を向上させて均一な値を得ることができる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは基板上に形成された金属触媒層、金属触媒層上に次々と形成された第１キャッピング層及び第２キャッピング層パターンを含む。製造方法は金属触媒層上に第１キャッピング層を形成する。第１キャッピング層上に第２キャッピング層を形成してパターニングする。パターニングされた第２キャッピング層上に非晶質シリコーン層を形成する。金属触媒を拡散させる。非晶質シリコーン層を結晶化して多結晶シリコーン層を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く反りが小さい半導体電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、前記基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した２層以上の複合層を有するバッファ層と、前記基板と前記バッファ層との間に形成された、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる介在層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、を備え、前記バッファ層において、前記第一半導体層の層厚が不均一であるとともに、該第一半導体層のうち少なくとも一つが、前記基板に対して発生させる反りの方向が反転する臨界厚さよりも厚い層厚を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、補助基板上に緩和エピタキシャルベース層を得ることを含む、エピタキシャル成長のための基板の作製方法に関する。本発明の目的は、望ましい格子パラメータを有する材料が、異なる格子パラメータを有する別の材料の上で、より効率的に、熱力学的及び結晶学的に高い安定性を有してエピタキシャル成長することを可能にする基板を作ることにある。
【解決手段】この目的は、上記のタイプの方法であって、エピタキシャルベース層の少なくとも一部をキャリア基板上に移してベース基板を形成することと；エピタキシャルベース層の材料をキャリア基板上でさらに成長させることとをさらに含む方法により達成される。 （もっと読む）