【課題】Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板を製造するためのベース基板として好適に使用できる、結晶レベルでの歪みが低減されており、クラックおよび反りの発生が抑制された自立基板製造用基板を提供する。
【解決手段】不活性ガス中１０００℃において分解しない無機物質であって、１０００℃以上１６００℃以下で還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板、ベース基板上に形成された、単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物、または単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物と非晶質Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物との混合物からなる厚さ３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層上に形成された、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層の厚さの１００倍以上の厚さを備えたＩＩＩ族窒化物非単結晶層、を備えて構成される積層体とし、ベース基板とＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層との界面に複数の空隙を設ける。 （もっと読む）

【課題】定常運転時とメンテナンス時とにかかわらずレーザが発振しているか否かを常に明示して作業者が現場で直接的に安全確認をすることができる発振レーザ明示機能を有する結晶化装置及び結晶化装置における発振レーザ明示方法を提供する。
【解決手段】レーザ光路を取り囲む周囲部材の表面にレーザ光またはレーザ光からの散乱光を受けて発光する蛍光体を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｎチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタのシリコンのチャネル領域に引張応力を効果的に印加することを可能とし、また寄生トランジスタの移動度を高めることを可能にする。
【解決手段】シリコン基板１１と、前記シリコン基板１１に区画された素子形成部１２と、前記素子形成部１２に形成されたＮチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタ２０と、前記シリコン基板１１に形成されていて前記素子形成部１２の側部を囲む溝部１３と、前記溝部１３内に絶縁材料が埋め込まれて形成された素子分離部１４と、少なくとも前記Ｎチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタ２０のチャネル長Ｌ方向と平行な前記溝部１３の側面に形成されたシリコンゲルマニウムエピタキシャル成長層１５を有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子用のシリコン基板をその有利な製造方法に併せて提供する。
【解決手段】固体撮像素子の埋め込み型フォトダイオードの直下にゲッタリング層が形成され重金属の捕獲効率の高い固体撮像素子用シリコン基板の製造方法であって、シリコン基板表面に炭素化合物層を形成する炭素化合物層形成工程Ｓ２と、該炭素化合物層の直上にシリコンエピタキシャル層を形成するエピタキシャル工程Ｓ３、Ｓ４と、前記エピタキシャル層の直下に炭素と酸素による複合体を形成しゲッタリングシンクを形成する６００〜８００℃で０．２５〜３時間の熱処理工程Ｓ５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの温度ゆらぎによるレーザ光の屈折現象に起因するレーザ光の照射ムラを低減する。
【解決手段】レーザアニール装置１は、少なくとも被照射体７におけるレーザ照射領域に不活性ガスＧを供給するガス供給装置１０と、不活性ガスＧの温度を調整するガス温調装置１５とを備える。ガス温調装置１５は、不活性ガスＧの温度と、不活性ガスの供給領域の外側であってレーザ光の光路を囲む空間（部屋Ｒ）の雰囲気温度との温度差が小さくなるように、レーザ照射領域に供給される不活性ガスＧの温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板の主表面上に、基板の主表面を構成する材料の格子定数とは格子定数の異なる材料からなる薄膜を成膜することによりヘテロエピタキシャル膜を成膜させる際に、膜の界面付近において組成が急峻に変化していない遷移層が出現する。この遷移層が、ヘテロエピタキシャル膜の界面付近における結晶の特性を劣化させる。
【解決手段】成膜させたい薄膜を構成する材料の格子定数と、薄膜が成膜される基板の一方の主表面を構成する材料の格子定数とに応じて、主表面に沿った方向に対して基板を湾曲させる。そして、基板を湾曲させた状態で、その基板の一方の主表面上に薄膜を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣの高品質単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも直径約３インチ（７５ｍｍ）と、４°オフ軸のウェハに対して、約５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチ（６．２５ｃｍ^２）の連続した表面領域とを有するＳｉＣウェハであって、その製造方法は、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で、該ブールをスライスして、ウェハにするステップであって、該ウェハは、各ウェハ上に、５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域を有する、ステップとを包含する。前記方法で背蔵した高品質シリコンカーバイド半導体前駆体ウェハ４は、追加的に、１つ以上の少なくとも一つのＩＩＩ族窒化物層６を有する。 （もっと読む）

【課題】高集積化を妨げずに、多結晶ＴＦＴのオン電流及び移動度を高めることができる半導体装置の作製方法と、それによって得られる半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜に触媒元素を添加して加熱することで、結晶性が高められた第１の領域と、第１の領域と比較して結晶性が劣っている第２の領域とを形成し、第１の領域に第１のレーザー光を照射することで、第１の領域よりも結晶性が高められた第３の領域を形成し、第２の領域に第２のレーザー光を照射することで、第２の領域よりも結晶性が高められた第４の領域を形成し、第３の領域と第４の領域をパターニングして、第１の島状の半導体膜と、第２の島状の半導体膜をそれぞれ形成し、第１と第２のレーザー光は、互いにエネルギー密度が同じであり、第１のレーザー光の走査速度は第２のレーザー光の走査速度より速い半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に密着して支持されたガラス基板１の表面にあるアモルファスシリコン膜上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃをほぼ垂直に吹き付けてアモルファスシリコン膜をアニールする。 （もっと読む）

本発明は、支持基板（１）上にゲルマニウム層（３）を含む構造の製造プロセスであって、（ａ）上記支持基板（１）と、ゲルマニウム層（３）と直接接触した状態にある酸化シリコン層（２０）と、ゲルマニウム層（３）と、を含む中間構造（１０）を形成するステップと、（ｂ）酸化シリコン層（２０）からゲルマニウム層（３）を通して酸素の少なくとも一部を拡散するために、所定の温度および所定の時間、中性または還元雰囲気中、上記中間構造（１０）に熱処理を適用するステップとを含むことを特徴とするプロセスに関する。 （もっと読む）