【課題】エピタキシャル膜の表面欠陥と、この膜の外周部のスリップとの発生を防止でき、ゲッタリングサイトを有して製造コストも低減可能なエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１１の表層への酸素のイオン注入量を低減し、イオン注入層１５を低温のエピタキシャル成長時に熱処理し、表層に不完全埋め込み酸化膜１２を形成する。そのため、ウェーハ１１の低コスト化が図れる。また、イオン注入の不具合で酸化膜が途切れても、エピタキシャル膜１４のピットの発生が抑制され、膜１４の表面欠陥が低減される。また、膜１４の外周部の厚肉化を防ぎ、ウェーハ外周部のスリップを抑制できる。しかも、不完全埋め込み酸化膜１２はゲッタリングサイトも兼ねるので、エピタキシャルウェーハ１０の金属汚染を防げる。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutをそれぞれ照射する。これにより、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像（透過画像データＤ１）を取得する。また、画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）の透過輝度とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）の透過輝度との透過コントラストを求める。そして求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。これにより、従来よりも確実な選別が実現される。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界が大きく電気的特性の向上したＴＦＴを、コスト上昇を抑制しつつ形成する。
【解決手段】平坦な表面を有する基板１０の該表面上に、高熱伝導性を有する材料からなる熱伝導層３７を形成する第１の工程と、熱伝導層３７を、熱伝導層３７の少なくとも一部が表面に対して傾斜する傾斜部３８となるようにパターニングする第２の工程と、少なくとも傾斜部３８を覆うように、基板１０上に非晶質シリコン層３２を形成する第３の工程と、非晶質シリコン層３２をレーザーアニールにより結晶化して多結晶シリコン層３４を形成する第４の工程と、多結晶シリコン層３４上に、平面視で傾斜部３８と少なくとも一部が重なるようにゲート電極４２を形成する第５の工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
歪み技術を用いたＭＯＳトランジスタにおいて、リーク電流を抑える。
【解決手段】
半導体装置は、第１の格子定数を有する第１の半導体で形成された半導体基板に形成され、活性領域を画定する素子分離領域と、活性領域の中間位置を横断して、半導体基板上方にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極側壁上に形成されたサイドウォールスペーサとを含むゲート電極構造と、ゲート電極構造両側の活性領域と素子分離領域との界面が半導体基板の表面に表出した境界の一部を覆って半導体基板の表面上方に配置された他のゲート電極構造であって、他のゲート電極と該他のゲート電極の側壁上に形成された他のサイドウォールスペーサとを含む他のゲート電極構造と、ゲート電極構造と他のゲート電極構造の間の活性領域をエッチして形成されたリセスと、リセスを埋めてエピタキシャル成長され、第１の格子定数と異なる第２の格子定数を有する第２の半導体で形成された半導体層と、を有する。 （もっと読む）

より大きな密度の結晶欠陥を有する支持体と、前記支持体の前面の第１の領域上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された表面層とを有する。追加層を、前記支持体の前記前面の少なくとも第２の領域に配置することができ、前記支持体の結晶欠陥を埋め込むのに十分な厚さを有する。基板は、前記支持体と前記絶縁層との間であって、前記支持体の前記前面の少なくとも前記第１の領域に渡って配置されたエピタキシャル層も含むことができる。また、前記表面層の前記第１の領域上にマスク層を形成するステップと、前記マスク層によって覆われていない前記第２の領域内の前記表面層及び前記絶縁層を除去するステップとによって基板を作製する方法を有する。前記追加層は、前記第２の領域に形成され、形成後に平坦化される。
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【課題】非晶質半導体薄膜の結晶化と選択的な高濃度不純物拡散をひとつの工程で行うことにより薄膜トランジスタの製造工程を簡単にし，製造コストを低減する。
【解決手段】絶縁基板上の非晶質半導体薄膜上に堆積した不純物を含む皮膜を所定の形状にパターン形成し、外方拡散防止膜で被覆したのち，連続発振レーザを照射することにより該非晶質の結晶化と同時に，該皮膜から不純物を該薄膜に選択的に高濃度に拡散させることにより半導体薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜が薄膜化しゲート構造が複雑化した場合においても、動作速度に優れ、高信頼性を安定して確保できるＭＯＳＦＥＴを実現する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板３に、ｎチャネル型電界効果トランジスタ及びｐチャネル型電界効果トランジスタを形成する工程（ａ）と、ｎチャネル型電界効果トランジスタ上及びｐチャネル型電界効果トランジスタ上を覆うように応力膜１１を形成する工程（ｂ）と、応力膜１１上に、ｐチャネル型電界効果トランジスタの上方を覆い且つｎチャネル型電界効果トランジスタの上方に開口を有する遮光膜１２を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、半導体基板３上の全面に紫外線を照射する工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】平坦度の高いシリコンウェーハを得る。
【解決手段】シリコンウェーハ６２は、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたものである。エピタキシャルシリコンウェーハは、このように中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたエピタキシャル成長用シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することにより得る。ＳＯＩウェーハは、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたシリコンウェーハを支持基板とし、シリコンウェーハの凹部面側を貼り合わせ面の主面とすることにより得る。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ層とＳｉＯ_２等の埋め込み絶縁層との界面を均一な状態にして結晶性のよいＳｉＣ層が得られ、しかも低コストで生産性のよい単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４とを有するＳｉ基板１を準備し、上記Ｓｉ基板１を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる単結晶ＳｉＣ基板の製造方法であって、上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる際に、埋め込み絶縁層４との界面８近傍のＳｉ層を残存Ｓｉ層５として残す。 （もっと読む）

【課題】寄生容量の増加による表示特性の低下、および半導体層下のゲート電極と同一の金属層のレイアウトに依存する半導体層のレーザアニール時の結晶性の勾配発生を抑制し、輝度ムラを解決すること。
【解決手段】本発明は、ガラス基板４０上に形成される第１電極４１と、第１電極４１上に第１絶縁膜５１を介して形成される伝熱金属層６１と、伝熱金属層６１上に形成される第２絶縁膜５２を介して形成される半導体層５０と、半導体層５０上に形成される第２電極４２および第３電極４３とを有する半導体装置である。 （もっと読む）