【課題】ＭＩＳトランジスタを備える半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１の主面ｓ１上のうち、ｎＭＩＳ領域ＲｎにｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎを形成し、ｐＭＩＳ領域ＲｐにｐＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｐを形成し、それらの側方下部に、それぞれ、ｎ型ソース・ドレイン領域ｓｄｎおよびｐ型ソース・ドレイン領域ｓｄｐを形成する。続いて、シリコン基板１の主面ｓ１と両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐとを覆うようにして、引張応力を持つ第１応力膜Ｎ１ａを形成する。その後、ｐＭＩＳ領域Ｒｐの第１応力膜Ｎ１ａにイオン注入３００を施すことで応力を緩和させる。その後、熱処理を施すことで両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐを結晶化してから、第１応力膜Ｎ１ａを除去する。両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐを結晶化する工程では、第１応力膜Ｎ１ａの引張応力をｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎに記憶させる。 （もっと読む）

【課題】カーボンの供給を抑えた反応室内条件下でのエピタキシャル成長用基板として好適な炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンの供給を抑えた反応室１内条件下、炭化珪素基板４をアルゴン雰囲気下にてエピタキシャル成長温度まで昇温させて基板４の表面をアルゴン処理し、エピタキシャル成長温度に到達した段階で昇温のための加熱およびアルゴンガス供給を停止する炭化珪素エピタキシャル用基板４の製造方法。 （もっと読む）

【課題】オン電流が高くオフ電流が低い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層に接し、非晶質構造の中に複数の結晶領域を含みチャネル形成領域を構成する半導体層と、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物半導体層と、該半導体層と該一導電型を付与する不純物半導体層との間の非晶質半導体により構成されるバッファ層とを有し、前記結晶化領域は、前記ゲート絶縁層と前記半導体層との界面から離れた位置から、前記半導体層が堆積される方向に向けて、前記一導電型を付与する不純物半導体層に達しない領域内において略放射状に成長した逆錐形状の構造を有する薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】結晶面方位が一定であり、相対的に高密度に集積が可能であり、かつ、比較的簡単なプロセスを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層に金属原子を導入して熱処理をすることにより半導体層の結晶配向を制御する半導体装置の製造方法（ＭＩＬＣ法）において、半導体層の一定形状を有する領域（１１４）に金属原子を導入する工程を備えることにより、半導体層に応力を生じさせ応力により半導体層の結晶面方位を制御するものである。この一定形状は、熱処理時に半導体層に応力を生じさせることが可能な角部（Ｐ）を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の初期伸縮状態が個体毎に異なる要因、およびレーザー光照射で基板が熱膨張する要因による、レーザー光の照射位置の位置ずれを抑制する。
【解決手段】結晶化装置は、レーザー光を照射する照明光学系と、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子と、変調光を基板上に結像させる結像光学系と、基板を支持すると共に基板上の二次元位置を定める基板ステージとを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化させる。各基板が共通に備える熱膨張による位置ずれ量と各基板に固有の初期伸縮量とを用いて照射位置の座標値を補正する補正手段と、補正手段の補正座標値を用いて、基板ステージ上の照射位置を補正制御する制御手段とを備える。初期伸縮量に基づいてレーザー光の照射位置を位置補正して基板が固有に備える位置ずれを解消し、熱膨張を予測して照射位置毎に位置補正することで熱膨張による位置ずれを解消する。 （もっと読む）

【課題】高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセ
ス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を
実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガ
ス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理
により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタ
リングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する
半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上の膜を効率よく加熱することができる加熱装置を提供する。
【解決手段】高温ガスを絞ってビーム状にして基板に垂直に入射させると停滞層が出来ない、または、薄いので効率よくガスの温度を基板に伝えられる。この現象を別の言い方をすると基板の温度は垂直に入射する高温ガスに対してよく伝わる。この原理を用いて、ガスを急速に効率よく加熱するガス加熱装置である。支持台２６上に載置されたガラス基板２４の表面２５に、このガラス基板の軟化点温度よりも高い単一の高温ガスビームを垂直に吹き付けて高温に加熱する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができ、さらに単結晶半導体層の欠損領域に残存する異物を的確、有効に分離除去することにより、レーザ照射時における異物の残存等に伴うシリコン膜の破裂・消失を低減させることができる半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 その製造方法は、支持基板に単結晶半導体層を貼り合わせ、貼り合わせ後前記単結晶半導体層の欠損領域を欠損検知装置により検出し、検出後前記欠損領域にクラスターイオンビームを照射してゴミを分離除去し、次いで前記欠損領域及び前記単結晶半導体層上に非単結晶半導体層を形成し、形成後前記検出情報に基づいて前記欠損領域の非単結晶半導体層を結晶化し、その後平坦化処理することにより前記結晶化後に残存する非単結晶半導体層を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子用の多層膜構造体を基板上に形成する多層膜構造体であって、大きな伸張歪を半導体層に印加できる多層膜構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子用の多層膜構造体１０を基板上に形成する際に、基板１１上に、当該基板１１を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数の結晶からなるとともに、圧縮歪を有する圧縮歪半導体層１２を形成する。その圧縮歪半導体層１２の上方に、圧縮歪半導体層１２を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数の結晶からなるとともに、無歪の無歪半導体層１３を積層する。圧縮歪半導体層１２の圧縮歪を緩和させることにより、無歪半導体層１３に伸張歪を印加する。それにより、大きな伸張歪を無歪半導体層１３に印加することができる。 （もっと読む）

【課題】第１領域と第２領域に違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層が形成された表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置において、第１領域と第２領域を有する基板層と、基板層の第１領域に形成された第１多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第２領域に形成された第２多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。 （もっと読む）