【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、Ｔ０ピーク及びＬ０ピーク以外のピークが観察される。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、７００Åより大きい。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶の基板からの剥離の成功率を高め、クラックの発生を抑制することである。
【解決手段】基板１上にIII 族金属窒化物単結晶の複数の帯状の種結晶膜３を形成し、この際基板に非育成面１ｂを形成する。複数の種結晶膜３上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。複数の種結晶膜３が互いに非育成面１ｂによって分けられており、複数の種結晶膜３が、それぞれ、一方の端部３ａ、他方の端部３ｂおよび一方の端部と他方の端部との間の本体部３ｃを備えている。種結晶膜３の一方の端部３ａの幅Ｗａが他方の端部３ｂの幅Ｗｂよりも小さく、前記複数の種結晶膜において一方の端部が各種結晶膜の長手方向に見て同じ側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物単結晶を得ると共に、その基板からの自然剥離を促進することで、クラックを更に低減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物からなるバッファ層２およびこのバッファ層２上に形成されたＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜３を備える複数の育成部９とを備えており、隣り合う複数の育成部９の間に基板１の表面１ｂが露出している育成用部材７を使用する。育成用部材７をウエットエッチングに供することによってバッファ層２を育成部９の端面からエッチングし、次いでＩＩＩ族窒化物単結晶を種結晶膜３上にフラックス法によって育成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜から紫外線照射処理によって脱ガスしたガス成分の排気時間を短縮し、異常放電をなくすことができる真空排気系を備えた紫外線照射処理装置及びＬｏｗ−ｋ膜の紫外線キュア方法を提供する。
【解決手段】基板加熱機構２４を備えた基板支持ステージが配置されている紫外線照射処理室２の上部に、紫外線光源２１を組み込んだ紫外線照射装置２２と紫外線透過窓２３が配置され、前記処理室２の内部を排気するための真空排気系であって、大気から低真空領域に排気するための低真空用ポンプ２６ａと、低真空領域から中・高真空領域へ排気するための中・高真空用ポンプ２６ｂと、を組み合わせた真空排気系２６が接続されてなる紫外線照射処理装置を用いて、基板Ｓ上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜を熱キュア処理する。 （もっと読む）

【課題】溶液内のＣ溶解度を高めてＳｉＣ単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うＳｉＣ成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１０内の底部にＳｉＣ種結晶２０を設置すると共に、るつぼ１０内にＳｉとＣとＸ（ＸはＳｃ及びＹを除く遷移金属、Ａｌ、Ｇｅ及びＳｎから選ばれる１種以上）を含む溶液３０を存在させ、溶液３０を過冷却させて種結晶２０上にＳｉＣ単結晶を成長させると共に、ＳｉＣ単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ１０の上部から溶液３０に粉末状もしくは粒状のＳｉ及び／又はＳｉＣ原料４１を添加する。 （もっと読む）

【課題】圧電素子用に、組成ずれが少なく結晶性の良好なニオブ酸カリウム混晶系ペロブスカイト型酸化物厚膜を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物膜１は、基板１０上に成膜され、平均膜厚が５μｍ以上であり、且つ、一般式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を含む。（Ｋ_{１−ｗ−ｘ}，Ａ_ｗ，Ｂ_ｘ）（Ｎｂ_{１−ｙ−ｚ}，Ｃ_ｙ，Ｄ_ｚ）Ｏ_３・・・（Ｐ）（式中、０＜ｗ＜１．０，０≦ｘ≦０．２，０≦ｙ＜１．０，０≦ｚ≦０．２，０＜ｗ＋ｘ＜１．０。ＡはＫ以外のイオン価数が１価のＡサイト元素、ＢはＡサイト元素、Ｃはイオン価数が５価のＢサイト元素、ＤはＢサイト元素。Ａ〜Ｄは各々１種又は複数種の金属元素である。） （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく、良好な圧電特性を有する圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子の製造方法は、圧電体層の原料液となる前駆体溶液を第１電極１０上に塗布して前駆体層２２を形成する工程と、前駆体層２２を熱処理により脱脂する工程と、脱脂した前駆体層２２を結晶化して、圧電体層を形成する工程と、を含み、前駆体溶液は、ビスマス、ナトリウム、バリウム、およびチタンを含み、熱処理の温度は、４２５℃以上４５０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】 製造工程が容易であるとともに光電変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置１０の製造方法は、多価アルコールを含む第１の有機溶媒に第１の金属元素を含む金属化合物を溶解して原料溶液を作製し、原料溶液を加熱して第１の金属元素を含む金属微粒子を作製する工程と、金属微粒子を第１の有機溶媒から取り出し、第１の有機溶媒の沸点以上の温度で熱処理する工程と、熱処理した金属微粒子を第２の有機溶媒に分散して半導体層形成用溶液を作製し、半導体層形成用溶液を電極上に被着し、乾燥して金属微粒子を含む皮膜を作製する工程と、カルコゲン元素を含む雰囲気下で皮膜を加熱して、金属微粒子とカルコゲン元素とを反応させて成る、光電変換層としての半導体層３を作製する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ６．５ｍｉｌ（１６５μｍ）に対応するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ホルダ１とその下方に配置された回収ホルダ２との間にスライダー３をスライド自在に設け、そのスライダー３に原料ホルダ１の原料溶液溜４から原料溶液が供給されると共に回収ホルダ２の溶液収納槽５へ原料溶液を排出する基板ホルダ部６を形成し、その基板ホルダ部６内に基板８を縦に複数枚保持させた後、スライダー３をスライドさせて基板ホルダ部６内に原料溶液を供給し、基板８上にエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させた後、スライダー３をスライドさせて基板ホルダ部６内の原料溶液を排出するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法において、基板８を基板ホルダ部６内に保持させる際に、隣り合う基板８，８間のメルト幅１３を３ｍｍ以下とし、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハの総厚を１９０μｍ以下とする。 （もっと読む）