【課題】被処理物の拡散処理を連続的に行うことができる構成でありながら、被処理物の大きさとは関係のない要因によって、加熱炉が大型化するのを防ぐことが可能となる連続拡散処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の板状の被処理物を載せる搬送台５０と、直線状に延びる筒状の加熱炉１と、加熱炉１内に搬送台５０を順次搬入し、加熱炉１内を搬送した搬送台５０を順次搬出する搬送装置２と、搬送台５０に載せた被処理物を加熱する加熱装置３と、加熱炉１内に拡散処理のためのガスを供給するガス供給装置４１とを備えている。搬送装置２は、搬入部１１の上流側に位置する搬送台５０を押すことにより当該搬送台５０を加熱炉１内へ搬入すると共に、搬入した搬送台５０によって、先に搬入されている搬送台５０を搬出部１２側へ押して加熱炉１内を列状として搬送する。 （もっと読む）

【課題】基板への磁性原子の導入時間を短縮することができるとともに、室温でも使用可能な磁性半導体を実現する磁性半導体用基板、磁性半導体用基板の製造方法及び磁性半導体用基板の製造装置を提供する。
【解決手段】レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層１０３と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数のボートを用いる基板処理方法に於いて、ボートの個体差に基づく処理品質の相異を解消し、処理品質の安定化、向上を図る。
【解決手段】 反応炉１１と、該反応炉内で基板を保持する為の複数のボート２１ａ，２１ｂと、該ボートの識別手段を有し、基板処理の内容に応じてボートを指定して基板処理を行う。 （もっと読む）

【課題】拡散炉の内部の温度を正確に測定することができる拡散炉用熱電対を得る。
【解決手段】ウェハ用ボート２４上に、複数の擬似ウェハ２６が一列に整列された状態で積載されている。複数の擬似ウェハ２６は、それぞれ中央部まで達する切り込み２８を有する。複数の擬似ウェハ２６の切り込み２８に熱電対３０が差し込まれている。このため、温度測定時の拡散炉１０の内部状態は、半導体ウェハ１４の熱処理時の拡散炉１０の内部状態と近くなる。従って、半導体ウェハ１４の熱処理時における拡散炉１０の内部の温度を正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＤＭＯＳトランジスタのサイズを小さくし、製造コストを下げる製造方法を提供する。
【解決手段】この発明によれば、半導体基板上にトレンチを形成する工程と、前記トレンチ上にシリコン層を形成する工程と、前記シリコン層に第１導電型の不純物を導入する工程と、前記不純物が導入された前記シリコン層を不活性雰囲気下で加熱することにより、前記不純物を前記シリコン層に拡散させる工程と、前記不純物が拡散された前記シリコン層を酸化雰囲気下で加熱する工程と、前記トレンチを挟むように、第１導電型の不純物が導入されたドレインコンタクト領域と第２導電型の不純物が導入されたボディ領域とを形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を安定して得ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面には砥粒痕が形成されており、ドーパント拡散領域が砥粒痕の伸長方向と為す角度が−５°〜＋５°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有する半導体装置およびその半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 内管及び外管の着脱を効率良く行うことができ、使用する着脱治具のコストを低減できる。
【解決手段】 着脱工程は、外管の下端外縁を覆うように設けられた第１台座を蓋体上に載置し、蓋体を昇降させることで外管を着脱させる工程と、支持部に内管を支持させ、支持部の下端外縁を覆うように設けられた第２台座を蓋体上に載置し、蓋体を昇降させることで内管及び支持部を着脱させる工程と、を有し、外管を着脱させる工程と、内管及び支持部を着脱させる工程と、では、蓋体の軸心と同心状に配置するよう構成される第１台座又は第２台座に対し、第１台座の下側面の少なくとも一部を共通着脱治具の上面の少なくとも一部に重ね、第２台座の下側面の少なくとも一部を共通着脱治具の一部に重ね、共通着脱治具を介して第１台座又は第２台座を蓋体上に載置する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板が反っていても水平に保持することができ、被処理基板の位置ずれや反り量のばらつきを吸収することができるようにすることである。
【解決手段】左右一対の前側支柱２６と、左右一対の後側支柱２７とを有し、これら前側支柱２６および後側支柱２７に被処理基板ｗを前方から挿入可能で且つ上下方向に所定の間隔で保持可能な複数の溝２８，２９を形成してなる基板保持具９において、前側支柱２６の前記溝２８上の支持面２８ａを前後方向の中心線ｃ１に対して接近すべく斜め前方に延長させ、互いに接近した前側支柱２６の支持面２８ａの先端における被処理基板ｗの支持点３０，３０間の寸法Ｘ２を、前記後側支柱２７の支持面２９ａの先端における被処理基板ｗの支持点３１，３１間の寸法Ｙ２と同じにした。 （もっと読む）

【課題】基板処理面と基板周縁部との流速差の増大を抑制し、成膜処理の均一性を向上させ、処理品質の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】基板２００を保持する基板保持具１８と、前記基板及び基板保持具を収納する反応管２０５と、前記基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給系２３３ａ，２３３ｂ，２４０ａ，２４０ｂと、前記反応管内の雰囲気を排気する排気系２３１とを有し、前記基板保持具は複数の支柱１１３と、該支柱に設けられ、前記基板を載置する円環状の部材であって、円環の一部に欠切部が形成された整流部材とを備え、該整流部材の外周と前記反応管の内壁面との間の距離が、前記支柱と前記反応管の内壁面との距離より短い。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる熱処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室に収容された基板を基板の外周側から加熱する加熱装置と、前記加熱装置と処理室との間に設けられた冷却ガス流路と、前記冷却ガス流路に冷却ガスを流す冷却装置と、前記加熱装置を上方から下方にかけて分割した領域の前記冷却ガス流路とそれぞれ連通し、前記冷却装置により前記冷却ガス流路へ冷却ガスを流す複数の冷却ガス吸気路と、前記複数の冷却ガス吸気路にそれぞれ設けられた圧力検出器と、前記圧力検出器が検出する圧力値に基づいて、前記冷却装置を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）