【課題】構成が簡単なプラズマドーピング方法及び装置、より具体的には、危険なドーピング原料ガスを用いる必要がなく、ドーピング工程において真空設備を用いる必要がなく、さらに、ドーピング工程とは別に活性化工程を設ける必要がない、プラズマドーピング方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が、ボロンガラスを表面にコーティングした石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】保守点検の作業をする空間が狭まるのを抑制することができる基板処理装置及び基板処理装置の保守点検方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、筺体１２と、筺体１２内と作業者が保守点検する保守点検空間８４とを連通する保守点検口に接続部材１０６を軸として開閉自在に設けられた保守点検開閉部１０４と、保守点検開閉部１０４の開閉動作を干渉する位置と干渉しない位置との間で移動する操作部９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】待機室内の窒素ガス循環とクリーンエア一方向流れとを両立する。
【解決手段】待機室１２に窒素ガスとクリーンエアを待機室１２内に供給するクリーンユニット４１を設け、吸込口３３を有する吸込ダクト３２を反対側に設け、吸込ダクト３２に集合ダクト３４を連絡ダクト３５、３６を介して接続し、集合ダクト３４に排気ダクトを接続し、排気ダクトに排気ファンを介設する。クリーンユニット４１から待機室１２に吹き出したクリーンエアを吸込ダクト３２で吸い込み、連絡ダクト３５、３６を経由して集合ダクト３４に集合させて、排気ダクトに排気させる。大気モードの流れをパージモードの流れと同一に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る横型拡散炉１は、炉本体１０と、炉口１０ｂを閉塞する閉塞体１５と、炉本体１０内を加熱する加熱体２０と、半導体ウェーハＷを複数平行保持させる横型ボート３０と、平行保持させた半導体ウェーハＷへのプロセスガスＰ_Ａの直接的な接触を遮蔽すると共に、半導体ウェーハＷの上方領域Ｏ_１の外周部近傍を通過するプロセスガスＰ_Ａのガス流速をＳＯ_１（０は含まず）、半導体ウェーハＷの側方領域Ｏ_２の外周部近傍を通過するプロセスガスＰ_Ａのガス流速をＳＯ_２（０は含まず）としたときに、ＳＯ_１＜ＳＯ_２の関係を満たすように、側方領域Ｏ_２の外周部近傍を通過する前のプロセスガスＰ_Ａを整流するプロセスガス整流板４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の冷却媒体の使用量を増加させずに冷却効果を高める。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内を加熱する加熱部と、処理室外に設けられ、処理室と処理室外の機器とを冷却する少なくとも1つ以上設けられた冷却部と、冷却部に供給される冷媒の熱を、冷却部から排出される冷媒へ熱移動させる熱移動部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炉内で基板の面を処理し、薄層の析出を向上させると共にガス相成分と面の反応を向上させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】排気システム及びその方法は、排気ガスがガス処理装置に運ばれるようにする。ドアシールと不活性ガス浄化システムは、炉が安全に作動し、ドアシール領域でプロセスガスの反応を最小にする。排気システムは、プロセス管であって、第１の端部と、第２の端部と、第１の端部と第２の端部との間の外面と、第１の端部の外面に配置された第１の係合面と、を有するプロセス管と、プロセス管の第１の端部と係合するドアであって、プロセス管の第１の端部が挿入される凹んだキャビティを形成するリップと、プロセス管の長手方向軸に対して一定の角度でプロセス管の第１の係合面と係合し、リップの内面に配置された第２の係合面と、プロセス管の第２の端部を貫通する排気管と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材を処理するのに用いられるインライン設備に関する。
【解決手段】幾つかの用途では、当該設備は、ＰＶ電池又はモジュールのインライン製造において用いられる。幾つかの実施態様では、基材の熱処理のための複数の加熱技術を含む加熱システムが提供され、第１の加熱システムが基材の温度を所望の設定値に急速に上昇させるのに用いられ、第２の加熱システムが熱処理プロセス全体を通して基材を設定値の温度に維持するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部およびブロア出力演算部に送られる。ヒータ出力演算部において、ヒータ出力用数値モデルおよび温度センサ５０からの信号に基づいて、ヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部において、ブロア出力用数値モデルおよび温度センサ５０からの信号に基づいて、ブロア出力が求められる。 （もっと読む）

【課題】移載室内のエア滞留発生を抑制して、移載室内における確実なエアフロー形成を実現する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、基板を保持した状態で処理室内に対して搬入出される基板保持体と、未処理基板を基板保持体に保持させるチャージ動作および処理済基板を基板保持体から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室と、移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備えた基板処理装置において、クリーンユニットを、平面多角形状に構成された移載室内における角部に配設する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部５１ａに送られる。ヒータ出力演算部５１ａにおいて、設定温度決定部５１ｃで求められた設定温度Ａと温度センサ５０からの温度に基づいて、ヒータ１８Ａのみで温度調整した場合のヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部５１ｂはヒータ出力に基づいてブロア出力を生じさせる。 （もっと読む）