【課題】天井断熱材のクラックの発生を少なくし、天井断熱材の破損、落下のおそれを低減することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱材を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。このヒータ２０６は、環状の側壁断熱材１２と、側壁断熱材１２に載置される天井断熱材１６と、側壁断熱材１２の内側に設けられる発熱体１４とを有する。ヒータ２０６の天井断熱材１６には、応力緩和部が天井断熱材１６の中心側から周縁側に向かって複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】温度安定時に温度を均一に維持することができ、昇降温時に容易に制御することができる。
【解決手段】制御装置５１は個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモデル７２ａと、制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモデル７２ｂをとることができる。昇降温時に少制御ゾーンモデル７２ｂをとって少ない数の制御ゾーンＣ_１、…Ｃ_５の温度センサ５０からの信号に基づいて、各制御ゾーンＣ_１、…Ｃ_５に設置されたヒータ１８Ａを個別に制御する。温度安定時に多制御ゾーンモデル７２ａをとって、多い数の制御ゾーンＣ_１、…Ｃ_１０の温度センサ５０からの信号に基づいて、各制御ゾーンＣ_１、…Ｃ_１０に設置されたヒータ１８Ａを個別に制御する。 （もっと読む）

【課題】縦型炉内にカバーボート内の平面状の薄型半導体基板を搬入する改良型搬入装置を提供する。
【解決手段】バッチ処理用に構成される縦型炉において半導体基板を搬入する搬入装置に用いられるウエハボート組立体であって、半導体基板を保持するウエハボートと、これらの基板を実質的に取り巻くように構成されるカバーとを含むウエハボート組立体において：
ベース部と、ベース部に取り付けられる第１のカバー部分であって、少なくとも部分的にベース部上側周縁部に沿って延在する第１のカバー部分とを有する第１のウエハボート部分と；
第１のウエハボート部分に取外し可能に配設されると共に第１のカバー部分と協働するように構成される第２のカバー部分であって、少なくとも１つの加工処理対象の半導体基板を受ける受入れスロットを含む第２のカバー部分を有する第２のウエハボート部分とを具備するウエハボート組立体。 （もっと読む）

【課題】側鎖に極性基を持たないシロキサンポリマーを含有する組成物の親水性基板に対する密着性を向上させる。
【解決手段】実施の形態に係るケイ素含有膜形成組成物は、側鎖に環構造を持つシロキサンポリマー（Ａ）と、極性低分子化合物（Ｂ）と、溶剤（Ｃ）と、を含有する。シロキサンポリマ−（Ａ）は、下記式（ａ−２）で表される構成単位を有する。極性低分子化合物（Ｂ）として、２級または３級のアルコールアミンまたはアルキルアミンなどの塩基性を有するアミン類が挙げられる。溶剤（Ｃ）は、シロキサンポリマー（Ａ）を溶解できるものであればよい。
【化１】
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【課題】 基板表面にアモルファス層を確実に良好に形成でき、所望の不純物導入を行うことができる不純物導入方法を提供する。
【解決手段】 不純物導入方法は、シリコン単結晶基板の表面にネオンからなるプラズマを照射してアモルファス層を形成する第１工程と、アモルファス層に不純物を導入する第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】加熱効率が高く、しかも更なる高速での昇温及び降温が可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すようにした熱処理装置２において、排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられてその上面側に前記被処理体を載置させるための載置台１８と、前記載置台の上部に設けられる複数の熱電変換素子２２と、前記処理容器の天井部を気密に覆う光透過窓８と、前記処理容器内に向けて必要なガスを導入するガス導入手段１２と、前記光透過窓の上方に設けられて前記被処理体に向けて加熱用の光を射出する半導体光射出素子５８を含む複数の加熱光源５２よりなる加熱手段４６とを備える。これにより、加熱効率が高く、しかも被処理体に対して更なる高速での昇温及び降温が可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に堆積させた不純物のラジカルの厚さ（量）を比較的高精度に測定し、その結果に基づいて所望量の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入することができるプラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室１２と、プラズマ生成室１２に連通して設けられて処理対象である基板Ｓを保持するステージ３１が設けられた処理室１３と、を備え、プラズマ生成室１２で生成されたプラズマ中の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入するプラズマドーピング装置１０であって、ラジカルの生成量を測定する測定手段５０を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板を基板保持具に搭載して縦型熱処理炉に搬入し、熱処理を行う熱処理装置において、縦型熱処理炉からアンロードされた基板保持具に搭載された基板を速やかに降温させること。
【解決手段】前面から、当該前面に対向する後面の気流形成用の排気口６３ａに向って横方向の気流が形成されたローディングエリアＳ２内にて、熱処理炉２の下方側のアンロード位置におけるウエハボート３Ａと前記排気口６３ａとの間に、アンロードにより高温に加熱された雰囲気を吸引排気するための熱排気用の排気口７１が形成された排気ダクト７Ｂ，７Ｃを設ける。アンロードされた高温状態のウエハボート３Ａ近傍の雰囲気は排気ダクト７Ｂ，７Ｃから排気されるので、上方側への熱拡散が抑えられ、横方向の気流がウエハボート３Ａ及びウエハ群に供給されて、熱処理後のウエハを速やかに降温させることができる。 （もっと読む）

【課題】ガス排出路の下流端に堆積した材料の逆流の問題が克服または軽減される熱処理炉と、この逆流の問題を克服または軽減するように従来の熱処理炉に（場合によっては本来設置されていたライナーの交換品として）設置されうるライナーとを提供する。
【解決手段】中心軸を有する略ベルジャー形の外側反応管と、複数の基板を保持したウェーハボートを収容するための開端式内側反応管とを備える熱処理炉であって、内側反応管は外側反応管内にほぼ同軸に配設され、これにより内側反応管の外壁と外側反応管の内壁との間にガス流路が画成され、内側反応管の外壁と外側反応管の内壁の少なくとも一方に、当該壁からガス流路内に半径方向に突出する流れデフレクタが設けられる熱処理炉。 （もっと読む）

【課題】 レーザを照射することによって形成されるリッジに伴う太陽電池の性能の低下を軽減させるレーザドーピング方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面にドーパントを接触させる接触工程と、半導体基板の表面の第１照射領域にレーザ光を照射する第１照射工程と、第１照射領域に形成されたリッジを含んだ第２照射領域を定め、当該第２照射領域にレーザ光を照射する第２照射工程とを有する、レーザ光を照射してドーパントをドープするレーザドーピング方法により解決する。 （もっと読む）