【課題】制御パラメータの測定値が、その基準値に対して偏差の上限値を超えた場合と偏差の下限値を超えた場合とで、状況に応じたエラー処理を選択できる。
【解決手段】基板を処理する基板処理室と、記憶部と、基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置において、記憶部は、プロセスレシピを記憶するプロセスレシピ記憶部と、制御パラメータの基準値を記憶する制御パラメータ記憶部と、制御パラメータの基準値に対する上限偏差値と下限偏差値を記憶するアラーム値記憶部とを備え、制御部は、プロセスレシピ記憶部に記憶したプロセスレシピを実行するプロセスレシピ実行部と、制御パラメータの測定値がアラーム値記憶部に記憶された上限偏差値と下限偏差値を超えたか否か判断し、上限偏差値を超えた場合と下限偏差値を超えた場合とで、異なる処理を実施するエラー処理部とを備える。 （もっと読む）

【課題】幅広い用途に適用可能なプロセスウィンドウの広いプラズマドーピング方法を提供する。
【解決手段】リン、ヒ素及びアンチモンの少なくとも１種を含むガスのプラズマを生成して該プラズマ中のリン、ヒ素及びアンチモンの少なくとも１種のラジカル２１を処理対象物１３たるシリコン基板の表面に堆積させる第１工程と、第１工程で処理対象物１３表面に堆積されたラジカル２１にヘリウムイオン２２を照射する第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】不純物の飛散を抑止すると共に効率のよいドーピングを実施する。
【解決手段】シリコン基板の一面に不純物を接触させた状態で、前記シリコン基板の他面側からシリコン基板を透過する赤外レーザ光を照射する第１段階と、前記赤外レーザ光を前記シリコン基板と前記不純物との界面領域に集光させて前記シリコン基板を加熱する第２段階と、前記不純物を前記シリコン基板内にドーピングする第３段階と、を行なうものである。 （もっと読む）

【課題】経時変化により熱電対素線が断線することや、熱電対接合部の位置ずれを抑制することができる温度検出装置を提供する。
【解決手段】鉛直方向に延在するように設置され鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって前記絶縁管の貫通穴に挿通され前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、前記絶縁管の下方に設けられた空間であって前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアとを有し、前記熱電対素線の上部又は鉛直方向における中間部を前記絶縁管に支持されるように温度検出装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】被処理体が大型化した場合であっても、同時に処理すべき被処理体の枚数を抑える必要がない。
【解決手段】熱処理装置１はクリーンルーム１Ａ内に設置される。この熱処理装置１は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６内周面に設けられたヒータ５とを有する熱処理炉２と、処理容器３の上方の炉口３ａを閉塞する蓋体１０と、蓋体１０に保温筒１１を介して吊設され被処理体Ｗを多段に保持する保持具１２とを備えている。熱処理装置１の熱処理炉２のうち、高さ方向長さの大部分は、クリーンルーム１Ａの床面Ｆ下方に位置している。 （もっと読む）

【課題】基板搬送効率を向上できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板が互いに第１の間隔をあけて重なるように複数の基板を収容する基板容器が載置される容器載置部と、第１の間隔よりも狭い第２の間隔をあけて複数の基板が互いに重なるように複数の基板を保持する基板保持具と、基板支持可能な少なくとも２つの基板支持部を含み、基板保持具と基板容器との間で複数の基板を受け渡す基板搬送部であって、少なくとも２つの基板支持部が、第１の間隔で互いに重なるように配置され、基板容器に対して共に進退し、基板保持具に対して独立に進退する基板搬送部と、少なくとも２つの基板支持部のうちの下方の基板支持部が基板を支持しているときに、上方の基板支持部が動作しないように上方の基板支持部を制御する制御部とを備える熱処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】被処理体が大型化した場合であっても、蓋体の肉厚を過度に大きくすることなく、蓋体の重量増加を抑える。
【解決手段】熱処理装置１は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６内周面に設けられたヒータ５とを有する熱処理炉２と、処理容器３の炉口３ａを閉塞する蓋体１０と、蓋体１０上に保温筒１１を介して支持され被処理体Ｗを多段に保持する保持具１２とを備えている。蓋体１０はステンレス等の耐食性金属製となっており、下方へ向って突出する湾曲板からなる。 （もっと読む）

【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板（ウエハ）へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート３を縦型の熱処理炉２内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口２０から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート３が前記熱処理炉２の下方側に位置しているときに、前記炉口２０を塞ぐ蓋体６１を設ける。この蓋体６１は前記炉口２０を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体６１が前記炉口２０を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体６１の上面のパーティクルをクリーニングノズル７により吸引して除去する。このため、次に蓋体６１が炉口２０を塞いだ時に、熱処理炉２内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、信頼性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体層の上に、前記半導体層に添加される不純物元素を有する被膜を形成する工程と、第１希ガス原子を含むプラズマ状態の第１ガスと、前記第１希ガス原子よりも原子質量が小さい第２希ガス原子もしくは水素（Ｈ）を含むプラズマ状態の第２ガスと、を前記被膜に向かって照射する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な工程でアクセプタ濃度の異なる領域を一度に形成することが可能な、ｐ型拡散層の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を形成したシリコン基板上に、アクセプタ元素を含む組成物層を形成する工程と、組成物層を形成した後に、熱拡散処理を施す工程と、前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記組成物層を除去する工程と、を有するｐ型拡散層の製造方法。 （もっと読む）